Преподаватели

avatar
Расписание

Аванесян Вачаган Тигранович

Должность:

профессор

Ученая степень и звание:

доктор физ.-мат. наук, профессор

Кафедра:

физической электроники

Образование:

Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ульянова(Ленина)

Профессиональные и научные интересы:

Исследование электрофизических свойств, энергетических параметров зонной структуры и дисперсии оптических констант широкозонных полупроводниковых материалов с различной степенью структурного упорядочения, нашедших перспективное применение в элементах опто-, микро- и наноэлектроники.

Дисциплины, которые ведет преподаватель по основным образовательным программам в 2024/25 учебном году Форма обучения Курс Семестр ЭУК Общее кол-во часов
Модуль "Физико-химический". Физика. 44.03.01 Педагогическое образование – Биологическое образование (бакалавриат) очная 1 1 – 22
Модуль "Физическая электроника". Физические основы твердотельной электроники. 44.03.01 Педагогическое образование – Физическое образование (бакалавриат) очная 4 1 ЭУК 63
Модуль "Физикo-математический". Физика. 06.03.01 Биология – Общая биология (бакалавриат) очная 1 2 – 48
Вариативные модули. Прикладные аспекты физики конденсированного состояния. 03.03.02 Физика – Физика конденсированного состояния вещества (бакалавриат) очная 4 2 ЭУК 70
Практики, которые ведет преподаватель по основным образовательным программам в 2024/25 учебном году Форма обучения Курс Семестр ЭУК Общее кол-во часов
Данных о практиках не обнаружено.
Темы ВКР, которыми руководил преподаватель Форма обучения Год
Оптические свойства плёнок оксида цинка, полученных методом катодного распыления бакалавриат 2024
Особенности переноса заряда в легированных слоях сульфида цинка в низкочастотном электрическом поле бакалавриат 2023
Оптические и электрофизические характеристики тонких пленок оксида цинка бакалавриат 2021
Оптические и фотоэлектрические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута магистратура 2020
Фотоиндуцированные поляризационные процессы в поликристаллических слоях электролюминофора переменного тока магистратура 2020
Низкочастотная диэлектрическая спектроскопия и электрические свойства керамик цирконата-титаната свинца магистратура 2020
Особенности транспорта носителей заряда в металлооксидной полупроводниковой структуре бакалавриат 2019
Дисперсия диэлектрических параметров широкозонного полупроводника бакалавриат 2019
Релаксационные явления в слоях электролюминофора переменного поля на основе сульфида цинка, активированного медью магистратура 2019
Оптическое поглощение фоторефрактивных кристаллов силленитной структуры бакалавриат 2018
Диэлектрическая спектроскопия высокомолекулярных соединений на основе амидных групп магистратура 2018
Электронные процессы в кристаллах класса силленитов магистратура 2016
Оптические и электрические свойства плёнок линейного полиимида магистратура 2016
Инфракрасная спектроскопия плёнок полиимида ароматического строения бакалавриат 2016
Диэлектрическая спектроскопия плёнок наполненного сополиамида бакалавриат 2016
Температурная зависимость оптических и электрических свойств поликристаллических слоев Pb3O4 магистратура 2015
Электрофизические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников сложного состава магистратура 2015
Фотоиндуцированные явления в наноструктурированных электролюминесцентных слоях магистратура 2015
Электрофизические свойства пленок полиимида специалитет 2015
Диэлектрическая спектроскопия полимерного связующего электролюминесцентных слоев бакалавриат 2014
Оптическое поглощение в металлополимерных структурах бакалавриат 2014
Электрофизические свойства металлооксидных структур на основе Ta2O5 специалитет 2014
Процессы переноса заряда и диэлектрической поляризации в монокристаллах титаната висмута специалитет 2014
Повышение квалификации преподавателя Продолжительность Год
Повышение качества образовательного процесса в вузе до 72 час. 2024
Оптимизация профессиональной деятельности в учебном процессе 1. Профессиональная программа повышения квалификации «Новые эффективные инструменты для вовлечения студентов в обучение на электронном курсе» с 10.10.2023 по 23.11.2023 в объёме 18 часов. Удостоверение № ЭД 7824000014 . 2. Профессиональная программа повышения квалификации «Эффективные инструменты для вовлечения студентов в обучение на электронном курсе» с 18.04.2023 по 06.06.2023 в объёме 18 часов. Удостоверение № 782419760402. до 72 час. 2023
"ЭФФЕКТИВНЫЕ ИНСТРУМЕНТЫ ДЛЯ ВОВЛЕЧЕНИЯ СТУДЕНТОВ В ОБУЧЕНИЕ НА ЭЛЕКТРОННОМ КУРСЕ" (май 2023 г.) в центре образовательных услуг Лань с 18.04.2023 по 06.06.2023. Удостоверение № 782419760402. до 72 час. 2022
"Психолого-педагогические основы инклюзивного высшего образования" в период 23.08.2021-27.08.2021. 72 час. 2021
"Развитие универсальных педагогических компетенций педагога в условиях цифровой трансформации образования" в период 09.11.2021-30.11.2021. 72 час. 2021
"Психолого-педагогические основы инклюзивного высшего образования" ФГБОУ ВО РГПУ им. А. И. Герцена до 72 час. 2017
Проектирование и организация учебного процесса в электронной информационно-образовательной среде ВУЗа до 72 час. 2016
Проектирование фонда оценочных средств основной профессиональной образовательной программы высшего образования до 72 час. 2016
№ п/п Наименование проекта Роль в проекте Источник финансирования Сроки реализации
1 Комплексное исследование процессов переноса и накопления заряда в пространственно сетчатых полимерах Исполнитель Минобрнауки РФ, государственное задание 2014-2016

Уважаемый преподаватель, если Вы не обнаружили свои публикации или данные о наукометрических показателях, обратитесь, пожалуйста, в фундаментальную библиотеку: с помощью специальной формы передачи данных, по почте или по адресу: наб. реки Мойки, д.48, корп.5, комн.9.

Наименование публикации Ссылки
Хинич И. И. Лабораторные работы по радиотехнике : учебно-методическое пособие / Хинич И. И., Кононов А. А., Федичкин С. В. ; рецензенты : Зеликман М. А., Аванесян В. Т. ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2025. — 81 с. — ISBN 978-5-8064-3601-7.Тираж: 300 экз. Объем в п.л.: 5,062 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. The behavior of the optical characteristics of modified arsenic triselenide film / Avanesyan V. T. // Physics of Complex Systems. — 2024. — Volume 5, N 1. – P. 39-43. — URL: https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/168. — DOI: 10.33910/2687-153X-2024-5-1-39-43. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
РИНЦ ВАК ВАК К3
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства тонких модифицированных пленок триселенида мышьяка / Аванесян В. Т. // Актуальные вопросы современной науки: теория, методология, практика, инноватика : сборник научных статей по материалам XIII Международной научно-практической конференции, Уфа, 17 ноября 2023 года / Уфимский университет науки и технологий. — Уфа, 2023. — Часть 1. – С. 15-19. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=60015016. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Оптическая сенсорная структура тонкой пленки оксида цинка / Аванесян В. Т., Простова В. В., Сычев М. М., Ерузин А. А. ; В. Т. Аванесян, В. В. Простова, М. М. Сычев, А. А. Ерузин // Фундаментальные и прикладные научные исследования: актуальные вопросы современной науки, достижения и инновации : сборник научных статей по материалам XIII Международной научно-практической конференции, Уфа, 15 декабря 2023 года / Уфимский университет науки и технологий. — Уфа, 2023. — Часть 1. – С. 8-12. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=59762752. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Optical spectroscopy of thin zinc oxide films doped with copper = Оптическая спектроскопия тонких пленок оксида цинка, легированных медью / Avanesyan V. T., Zharkoy A. B., Sychov M. M., Eruzin A. A. ; Avanesyan V. T., Zharkoy A. B., Sychov M. M., Eruzin A. A. // Physics of the Solid State. — 2023. — Volume 65, Issue 5. – Article 819. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=62071165. — DOI: 10.21883/pss.2023.05.56055.31.
РИНЦ ВАК ВАК К1
Avanesyan V. T. Electric transport in thin modified films of selenide and sulfide of arsenic / Avanesyan V. T. // Physics of Complex Systems. — 2023. — Volume 4, N 2. - P. 68-74. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=53988270. — DOI: 10.33910/2687-153X-2023-4-2-68-74.
РИНЦ ВАК
Оптическая спектроскопия тонких пленок оксида цинка, легированных медью = Optical Spektroscopy of Tnin Zing Oxide Films Doped with Copper / Аванесян В. Т., Жаркой А. Б., Сычев М. М., Ерузин А. А. ; В. Т. Аванесян, А. Б. Жаркой, М. М. Сычев, А. А. Ерузин // Физика твердого тела. — 2023. — Том 65, N 5. - С. 854-857. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/55504. — DOI: 10.21883/FTT.2023.05.55504.31. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
РИНЦ Ядро ВАК ВАК К1 RSCI
Optical characteristics of modified As30S70 thin films / Avanesyan V. T., Provotorov P. S., Krbal M., Kolobov A. V. ; V. T. Avanesyan, P. S. Provotorov, M. Krbal, A. V. Kolobov // Physics of Complex Systems. — 2022. — Volume 3, N 3. – P. 137-143. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=49506887. — DOI: 10.33910/2687-153X-2022-3-3-137-143.
РИНЦ
Effect of doping of molybdenum on the optical properties of glasses of the As-S system / Provotorov P. S., Avanesyan V. T., Krbal M., Kolobov A. V. ; P. S. Provotorov, V. T. Avanesyan, M. Krbal, A. V. Kolobov // Physics of Complex Systems. — 2021. — Volume 2, N 3. – P. 115-121. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46529591. — DOI: 10.33910/2687-153X-2021-2-3-115-121.
РИНЦ
Avanesyan V. T. Dielectric spectroscopy of a composite of polyvinyl alcohol cyanoethyl ether with graphene-modified ferroelectric barium titanates / Avanesyan V. T., Sychev M. M., Chekuryaev A. G. // Physics of Complex Systems. — 2021. — Volume 2, N 3. – P. 95-100. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46529588. — DOI: 10.33910/2687-153X-2021-2-3-95-100.
РИНЦ
Спектроскопия тонких пленок оксида цинка вблизи края фундаментального поглощения = Spectroscopy of Zinc Oxide Thin Films Near the Fundamental Absorption Edge / Аванесян В. Т., Провоторов П. С., Стожаров В. М., Сычев М. М., Ерузин А. А. ; В. Т. Аванесян, П. С. Провоторов, В. М. Стожаров, М. М. Сычев, А. А. Ерузин // Оптика и спектроскопия. — 2021. — Том 129, N 9. – С. 1142-1145. — DOI: 10.21883/OS.2021.09.51340.1776-21.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро ВАК RSCI
Spectroscopy of Zinc Oxide Thin Films near the Fundamental Absorption Edge / Avanesyan V. T., Provotorov P. S., Stozharov V. M., Sychev M. M., Eruzin A. A. ; Avanesyan V. T., Provotorov P. S., Stozharov V. M., Sychev M. M., Eruzin A. A. // Optics and Spectroscopy. — 2021. — Volume 129, N 9. - P. 1142-1145. — DOI: 10.1134/S0030400X21090046. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science ВАК
Электрорадиотехнологии (лабораторный практикум) : учебно-методическое пособие = А. А. Кононов, И. О. Попова, А. П. Смирнов, В. В. Маслов, А. В. Колобов ; рецензенты : В. Т. Аванесян, И. И. Хинич ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена / Кононов А. А., Попова И. О., Смирнов А. П., Маслов В. В., Колобов А. В. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2021. — Часть 1. - 72 с. — ISBN 978-5-8064-3019-0. — 978-5-8064-3017-6 (Ч. 1). — URL: https://e.lanbook.com/book/252692. — ЭБС Лань.Тираж: 35 экз. Объем в п.л.: 4,5 п.л.
Полный текст: https://e.lanbook.com/book/252692
DOI: нет
РИНЦ
Электрорадиотехнологии (лабораторный практикум) : учебно-методическое пособие = А. А. Кононов, И. О. Попова, С. В. Федичкин, А. В. Колобов, Р. А. Кастро ; рецензенты : В. Т. Аванесян, И. И. Хинич ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена / Кононов А. А., Попова И. О., Федичкин С. В., Колобов А. В., Кастро Р. А. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2021. — Часть 2. - 68 с. — ISBN 978-5-8064-3019-0. — 978-5-8064-3018-3 (Ч. 2). — URL: https://e.lanbook.com/book/252695. — ЭБС Лань.Тираж: 35 экз. Объем в п.л.: 4,25 п.л.
Полный текст: https://e.lanbook.com/book/252695
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Особенности переноса заряда в легированных слоях сульфида цинка в низкочастотном переменном электрическом поле / Аванесян В. Т., Жаркой A. Б., Ракина А. В. // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Том 54, N 6. – С. 519-522. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43800461. — DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49377.9361. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
РИНЦ Ядро ВАК RSCI
Аванесян В. Т. Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi12SiO20 / Аванесян В. Т., Писковатскова И. В. // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Том 54, N 1. – С. 22-24. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42571058. — DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48763.9192. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
РИНЦ Ядро ВАК RSCI
Avanesyan V. T. Dielectric polarisation in naturally disordered trilead tetroxide PB3O4 / Avanesyan V. T., Baranova E. P., Chursina K. A. // Physics of Complex Systems. — 2020. — Volume 1, N 3. - P. 87-92. — URL: https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/29. — DOI: 10.33910/2687-153X-2020-1-3-87-92. Объем в п.л.: 0,75 п.л.
РИНЦ
Avanesyan V. Electric modulus spectroscopy of PA6/PA66 aliphatic polyamide / Avanesyan V., Salnikova Z. // AIP Conference Proceedings : International conference "Physics of dielectrics", XV, Saint Petersburg, October 5-8, 2020. — 2020. — Volume 2308. - Article 030013. — DOI: 10.1063/5.0035258.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Avanesyan V. T. Charge-Transfer Features in Zinc Sulfide Doped Layers in a Low-Frequency Alternating Electric Field / Avanesyan V. T., Zharkoy A. B., Rakina A. V. // Semiconductors. — 2020. — Volume 54, N 6. - P. 623-626. — DOI: 10.1134/S1063782620060044. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science ВАК
Avanesyan V. T. Photodielectric Effect in Bi12SiO20 Sillenite Crystals / Avanesyan V. T., Piskovatskova I. V. // Semiconductors. — 2020. — Volume 54, N 1. - P. 19-21. — DOI: 10.1134/S1063782620010030. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science ВАК
Аванесян В. Т. Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута / Аванесян В. Т., Писковатскова И. В., Стожаров В. М. // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Том 53, N 8. – С. 1043-1046. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41129828. — DOI: 10.21883/FTP.2019.08.47992.9115. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
РИНЦ Ядро ВАК RSCI
Avanesyan V. T. Effect of X-Ray Radiation on the Optical Properties of Photorefractive Bismuth-Silicate Crystals / Avanesyan V. T., Piskovatskova I. V., Stozharov V. M. // Semiconductors. — 2019. — Volume 2019, Issue 8. - P. 1024-1027. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782619080049. — DOI: 10.1134/S1063782619080049. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science ВАК
Аванесян В. Т. Оптическая спектроскопия фоторефрактивных кристаллов в тематике выпускных квалификационных работ / Аванесян В. Т., Писковатскова И. В. // Физика в системе современного образования (ФССО-2019) : сборник научных трудов XV Международной конференции, Санкт-Петербург, 3-6 июня 2019 года / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2019. — Том 1. - С. 43-47. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Фотодиэлектрический эффект в научно-исследовательском практикуме / Аванесян В. Т., Жаркой А. Б., Писковатскова И. В. // Физика в системе современного образования (ФССО-2019) : сборник научных трудов XV Международной конференции, Санкт-Петербург, 3-6 июня 2019 года / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2019. — Том 1. - С. 39-42. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Электротехнический практикум : учебно-методическое пособие / Горяев М. А., Маслов В. В., Попова И. О., Смирнов А. П. ; М. А. Горяев, В. В. Маслов, И. О. Попова, А. П. Смирнов ; рецензенты : В. Т. Аванесян, И. И. Хинич ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург : Издательство РГПУ им. А. И. Герцена, 2018. — Часть 1. - 94 с. — ISBN 978-5-8064-2571-4. — URL: https://znanium.com/catalog/document?id=362316. — ЭБС Znanium.Тираж: 80 экз. Объем в п.л.: 5,875 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Optical Absorption of Copper-Activated Zinc-Sulfide Polycrystalline Layers / Avanesyan V. T., Rakina A. V., Kablukova, N. S. // Semiconductors [Text]. — 2018. — Volume 52, Issue 8. - P. 977-979. — DOI: 10.1134/S106378261808002X . Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Полный текст: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science ВАК
Photodielectric Processes in ZnS : Cu Polycrystalline Layers / Avanesyan V. T., Rakina A. V., Pak V. G., Sychev M. M. ; V. T. Avanesyan, A. V. Rakina, V. G. Pak, M. M. Sychev // Physics of the Solid State [Text]. — 2018. — Volume 60, Issue 2. - P. 271-273. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783418020051. — DOI: 10.1134/S1063783418020051. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science ВАК
Avanesyan V. T. Conductivity of polymer structure based on Ni (II) complex in alternating and direct current fields / Avanesyan V. T., Puchkov M. U., Zharkoy A. B. // Университетский научный журнал. — 2017. — N 35. - С. 25-31. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=41221780. Объем в п.л.: 0,875 п.л.
DOI: нет
РИНЦ ВАК
Аванесян В. Т. Диэлектрическая спектроскопия пленок алифатического сополиамида / Аванесян В. Т., Сальникова Ж. А., Матреничев В. В. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017) : материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая-02 июня 2017 года / Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2017. — Том 2. - С. 70-72. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=29647644. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Фотодиэлектрический отклик электролюминесцентных слоев на основе ZnS:Cu / Аванесян В. Т., Ракина А. В., Пак В. Г., Сычев М. М. ; В. Т. Аванесян, А. В. Ракина, В. Г. Пак, М. М. Сычев // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017) : материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая-02 июня 2017 года / Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2017. — Том 2. - С. 67-69. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=29647643. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Оптическое поглощение фоторефрактивных кристаллов Bi12SiO20 / Аванесян В. Т., Пайма К. И., Стожаров В. М. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017) : материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая-02 июня 2017 года / Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2017. — Том 2. - С. 65-66. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=29647642. Объем в п.л.: 0,25 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Электрические свойства фоточувствительных полимеров в специальном физическом практикуме / Аванесян В. Т., Пучков М. Ю. // Физика в системе современного образования (ФССО-17) : материалы XIV Международной конференции, село Дивноморское, 17-21 сентября 2017 года / Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Донской государственный технический университет. — Ростов-на-Дону, 2017. — С. 40-38.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Переходные процессы в неупорядоченных полупроводниках в тематике выпускных квалификационных работ / Аванесян В. Т., Жаркой А. Б. // Физика в системе современного образования (ФССО-17) : материалы XIV Международной конференции, село Дивноморское, 17-21 сентября 2017 года / Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Донской государственный технический университет. — Ростов-на-Дону, 2017. — С. 37-38.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Electron transfer in the structure of a photorefractive doped Bi12TiO20 : Ru crystal / Avanesyan V. T., Paima K. I., Stozharov V. M. // Physics of the solid state [Text]. — 2017. — Volume 59, issue 6. - P. 1076-1079. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783417060026. — DOI: 10.1134/S1063783417060026.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Optical and electrical properties of composites based on functional components of an electroluminescent layer / Avanesyan V. T., Rakina A. V., Sychov M. M., Vasina E. S. ; V. T. Avanesyan, A. V. Rakina, M. M. Sychov, E. S. Vasina // Optics and Spectroscopy [Text]. — 2016. — Volume 121, Issue 1. - P. 52-55. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS0030400X16070055. — DOI: 10.1134/S0030400X16070055. Объем в п.л.: 0,5 п.л.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Dielectric response of doped Bi12TiO20 : Ru crystals in an alternating electric field / Avanesyan V. T., Paima K. I. // Physics of the Solid State [Text]. — 2016. — Volume 58, Issue 8. - P. 1560-1562. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783416080023. — DOI: 10.1134/S1063783416080023. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Особенности строения и физические свойства фоторефрактивных кристаллов со структурой силленита / Аванесян В. Т., Пайма К. И., Потачев С. А. , Абрамова Н. М. // Наука сегодня: проблемы и пути решения [Текст] : материалы международной научно-практической конференции, Вологда, 30 марта 2016 г. — Вологда, 2016. — С. 6-7. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=25953564.
DOI: нет
РИНЦ
Оптические и электрические характеристики композитов на основе функциональных компонентов электролюминесцентного слоя / Аванесян В. Т., Ракина А. В., Сычев М. М., Васина Е. С. ; В. Т. Аванесян, А. В. Ракина, М. М. Сычев, Е. С. Васина // Оптика и спектроскопия. — Москва, 2016. — Том 121, N 1. - С. 58-61. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=26301962. — DOI: 10.7868/S0030403416070059.
РИНЦ Ядро RSCI
Аванесян В. Т. Электрофизические свойства пленок линейного ароматического полиимида / Аванесян В. Т., Ракина А. В. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения [Текст] : материалы Международной научно-технический конференции "Itermatic - 2016", Москва, 21-25 ноября 2016 года / Российская академия наук. — Москва, 2016. — Часть 2. - С. 174-176. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=29381934.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрические характеристики пленок сополиамида с углеродным наполнителем / Аванесян В. Т., Сальникова Ж. А., Попрядухин П. В. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения [Текст] : материалы Международной научно-технический конференции "Itermatic - 2016", Москва, 21-25 ноября 2016 года / Российская академия наук. — Москва, 2016. — Часть 2. - С. 138-140. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=29381922.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Оптическая спектроскопия фоторефрактивного кристалла класса силленитов / Аванесян В. Т., Пайма К. И. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения [Текст] : материалы Международной научно-технический конференции "Itermatic - 2016", Москва, 21-25 ноября 2016 года / Российская академия наук. — Москва, 2016. — Часть 1. - С. 172-174. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=29381855.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрическая спектроскопия пленок сополиамида с углеродным наполнителем / Аванесян В. Т., Сальникова Ж. А. // Актуальные проблемы физики твердого тела [Текст] : сборник докладов Международной научной конференции, Минск, 22-25 ноября 2016 года / Национальная академия наук Беларуси, Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению (Институт физики твердого тела и полупроводников), Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. — Минск, 2016. — Том 2. - С. 12-14.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Инфракрасная спектроскопия полиимидной пленки / Аванесян В. Т., Платко А. П. // Актуальные проблемы физики твердого тела [Текст] : сборник докладов Международной научной конференции, Минск, 22-25 ноября 2016 года / Национальная академия наук Беларуси, Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению (Институт физики твердого тела и полупроводников), Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. — Минск, 2016. — Том 2. - С. 9-11.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Особенности структуры и поляризационные свойства полиамидных соединений / Аванесян В. Т., Сальникова Ж. А. // Наука сегодня : факты, тенденции, прогнозы [Текст] : материалы международной научно-практической конференции, 22 июня 2016 г. — Вологда, 2016. — Часть 1. - С. 6-7. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=26334384.
DOI: нет
РИНЦ
Диэлектрическая поляризация фотоэлектрически активной поликристаллической структуры / Аванесян В. Т., Бушуева З. Н., Вишневская А. В., Жаркой А. Б., Ракина А. В. ; В. Т. Аванесян, З. Н. Бушуева, А. В. Вишневская, А. Б. Жаркой, А. В. Ракина // Наука сегодня : проблемы и перспективы развития [Текст] : материалы международной научно-практической конференции, 30 ноября 2016 г. — Вологда, 2016. — Часть 1. - С. 7-9. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=27588236.
DOI: нет
Аванесян В. Т. Температурная зависимость электрической проводимости пленок сополиамида СПА-3 с углеродными добавками / Аванесян В. Т. , Сальникова Ж. А. // Наука сегодня : проблемы и перспективы развития [Текст] : материалы международной научно-практической конференции, 30 ноября 2016 г. — вологда, 2016. — Часть 1. - С. 6-7. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=27588235.
DOI: нет
Аванесян В. Т. Изотермическая релаксация тока в легированных монокристаллах силленита Bi\Н12\нSiO\Н20 \н: Ge / Аванесян В. Т., Абрамова Н. М. // Физика твердого тела [Текст]. — Санкт-Петербург, 2015. — Том 57, выпуск 11. - С. 2112-2114. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/42395.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Avanesyan V. T. Impedance spectra of doped bismuth silicate Bi12SiO20: Ge crystals / Avanesyan V. T., Abramova N. M. // Physics of the Solid State [Text]. — 2015. — Volume 57, Issue 6. - P. 1100-1102. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783415060025. — DOI: 10.1134/S1063783415060025. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Electrical properties of chalcogenide glass of composition Ge8As32S60 / Avanesyan V. T., Dzhamgozova E. R., Arsova D. A. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 2015. — Volume 41, Issue 4. - P. 410-412. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1087659615040021. — DOI: 10.1134/S1087659615040021. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Isothermal relaxation of current in doped Bi12SiO20 : Ge sillenite single crystals / Avanesyan V. T., Abramova N. M. // Physics of the Solid State [Text]. — 2015. — Volume 57, Issue 11. - P. 2170-2172. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783415110049. — DOI: 10.1134/S1063783415110049. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. Photodielectric properties of polycrystalline naturally disordered layers of red lead / Avanesyan V., Rakina A. // International conference on Amorphous and nanocrystalline semiconductors, 26 : ICANS26 [Text] : abstracts and program, Aachen, Germany, 13-18 September, 2015. — Aachen, 2015. — P. 39-40.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. Optical spectroscopy of a new polymer structure of the azomethine base with an inclusion of a metal center / Avanesyan V., Rakina A. // International conference on Amorphous and nanocrystalline semiconductors, 26 : ICANS26 [Text] : abstracts and program, Aachen, Germany, 13-18 September, 2015. — Aachen, 2015. — P. 35.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Электрофизические методы исследования вещества : учебное пособие / Аванесян В. Т., Потачев С. А. ; РГПУ. — Санкт-Петербург : КультИнформПресс, 2015. — 52 с. — ISBN 978-5-8392-0532-1.Тираж: 300 экз. Объем в п.л.: 3 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Электрофизические и оптические свойства полимерного материала в специальном физическом практикуме / Аванесян В. Т., Максютова А. Р., Ракина А. В. // Физика в системе современного образования (ФССО-15) [Текст] : материалы XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 1-4 июня 2015 года. — Санкт-Петербург, 2015. — Т. 1. - С. 28-30.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Метод импедансной спектроскопии в специальном физическом практикуме / Аванесян В. Т., Абрамова Н. В. // Физика в системе современного образования (ФССО-15) [Текст] : материалы XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 1-4 июня 2015 года. — Санкт-Петербург, 2015. — Т. 1. - С. 26-28.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Photodielectric properties of the poly metallopolymer structures / Avanesyan V. T., Puchkov M. U. // Broadband dielectric spectroscopy and its applications [Текст] : International Conference on Broadband Dielectric Spectroscopy, 8 th, Wisla (Poland), 14-19 September 2014 years. — Wisla, 2014.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Spectrophotometric analysis of a high-temperature phase transition in lead tetroxide Pb3O4 / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G., Chursina K. A. // Optics and Spectroscopy [Text]. — 2014. — Volume 117, Issue 3. - P. 411-413. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS0030400X14090045. — DOI: 10.1134/S0030400X14090045. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Поляризационные процессы в халькогенидном стеклообразном полупроводнике системы Ge-As-S / Аванесян В. Т., Джамгозова Е. Р., Арсова Д. А. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVII международной конференции, Махачкала, 15-19 сентября 2014 г. / Министерство науки и образования РФ, Российский фонд фундаментальных исследований, Институт нанотехнологии микроэлектроники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Махачкала, 2014. — С. 121-122.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Импедансная спектроскопия электролюминесцентной конденсаторной структуры ZnS(Cu) / Аванесян В. Т., Попчук М. В. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVII международной конференции, Махачкала, 15-19 сентября 2014 г. / Министерство науки и образования РФ, Российский фонд фундаментальных исследований, Институт нанотехнологии микроэлектроники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Махачкала, 2014. — С. 119-120.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Оптическая спектроскопия металлополимерных комплексов Ni(II) с включением нанотрубок платины / Аванесян В. Т., Ракина А. В. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVII международной конференции, Махачкала, 15-19 сентября 2014 г. / Министерство науки и образования РФ, Российский фонд фундаментальных исследований, Институт нанотехнологии микроэлектроники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Махачкала, 2014. — С. 117-118.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Спектры диффузного отражения микрокристаллических слоев ортоплюмбата свинца Pb3O4 при структурном фазовом переходе / Аванесян В. Т., Чурсина К. А. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники [Текст] : Сборник трудов IX Международной конференции, Санкт-Петербург, 07-10 июля 2014 г. / Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН . — Санкт-Петербург, 2014. — С.353-354.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Фотополяризационные процессы в халькогенидных стеклах сложного состава / Аванесян В. Т. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники [Текст] : Сборник трудов IX Международной конференции, Санкт-Петербург, 07-10 июля 2014 г. / Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН . — Санкт-Петербург, 2014. — С.247-248.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Photodielectric properties of the poly[NiSalen] metallopolymer structures / Avanesyan V. T., Puchkov M. U. // Broadband dielectric spectroscopy and its applications, 8 [Text] : joint meeting of the 8th Conference of the International dielectric society & the 14th Conferenceon dielectric and related phenomena : programme & book of abstracts, Wisla (Poland), September 14-19, 2014. — Wisla, 2014. — P-52.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрические спектры халькогенидного стеклообразного полупроводника состава GE24AS16S60 / Аванесян В. Т., Арсова Д., Джамгозова Е. Р. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2014) [Текст] : материалы XIII междунар. конф., С.-Петербург, 2-6 июня 2014 г. — СПб., 2014. — Т. 2. - С. 15-17.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Спектроскопия диффузного отражения в поликристаллчиеских слоях ортоплюмбата свинца Pb3O4 / Аванесян В. Т., Чурсина К. А. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2014) [Текст] : материалы XIII междунар. конф., С.-Петербург, 2-6 июня 2014 г. — СПб., 2014. — Т. 2. - С. 13-15.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Relaxation processes in the polymer structure of an azomethine base / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G., Zharkoi A. B., Potachev S. A. ; V. T. Avanesyan, E. G. Vodkailo, A. B. Zharkoi, S. A. Potachev // Technical Physics Letters [Text]. — 2013. — Volume 39, issue 7. - P. 594-596. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785013070031. — DOI: 10.1134/S1063785013070031. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Optical spectroscopy of azomethine-base (H2msalpn-1,3) polymer films / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G., Potachev S. A. // Optics and Spectroscopy [Text]. — 2013. — Volume 115, Issue 3. - P. 432-434. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S0030400X13050020. — DOI: 10.1134/S0030400X13050020. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Оптическая спектроскопия нового металлополимерного комплекса Cu(II) на базе азометинового основания / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. // Актуальные проблемы физики твердого тела : ФТТ - 2013 [Текст] : тсборник докладов международной научной конференции: в 3-х томах, Минск, 15-18 октября 2013 г. / Национальная академия наук Беларуси, Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению (Институт физики твердого тела и полупроводников), Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований . — Минск, 2013. — Том 3. - С. 377-379.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Изотермическая релаксация тока в электролюминесцентных слоях ZnS:Cu с участием глубоких центров захвата / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Потачев С. А. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVI международной конференции, Ульяновск, 26-30 июня 2013 г. / Институт нанотехнологии микроэлектромники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Ульяновск, 2013. — С. 280-281.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Кинетика фотодиэлектрического эффекта в поликристаллических слоях Pb3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Жаркой А. Б. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVI международной конференции, Ульяновск, 26-30 июня 2013 г. / Институт нанотехнологии микроэлектромники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Ульяновск, 2013. — С. 278-279.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Процессы диэлектрической поляризации в новом металлополимере на основе комплекса Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы [Текст] : труды XVI международной конференции, Ульяновск, 26-30 июня 2013 г. / Институт нанотехнологии микроэлектромники РАН, Ульяновский государственный университет, Дагестанский государственный университет, Академия наук Татарстана . — Ульяновск, 2013. — С. 159-160.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства полимерных структур на основе комплекса Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г., Потачев С. А. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2013. — N 157. - С. 127-130. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=20160978.
DOI: нет
РИНЦ ВАК
Процессы переноса заряда с участием глубоких локальных центров в фоторефрактивных монокристаллах силленита висмута / Аванесян В. Т., Севрюгина М. П., Потачев С. А. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XV-той Международной конференции, Ульяновск, 04-07 сентября 2012 года / Министерство науки и образования РФ, Ульяновский государственный университет, Российский фонд фундаментальных исследований. — Ульяновск, 2012. — С. 256-257.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Электронные процессы в наноструктурированных полимерных комплексах на основе переходных металлов / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г., Баранова Е. П., Жаркой А. Б. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XV-той Международной конференции, Ульяновск, 04-07 сентября 2012 года / Министерство науки и образования РФ, Ульяновский государственный университет, Российский фонд фундаментальных исследований. — Ульяновск, 2012. — С. 254-255.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Поляризационные свойства наноструктурированного функционального композита в составе электролюминесцентного конденсатора / Аванесян В. Т., Бондаренко Е. В., Огурцов К. А., Сычев М. М. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XV-той Международной конференции, Ульяновск, 04-07 сентября 2012 года / Министерство науки и образования РФ, Ульяновский государственный университет, Российский фонд фундаментальных исследований. — Ульяновск, 2012. — С. 197-198.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Частотная дисперсия электрических параметров халькогенидного стеклообразоного полупроводника Ge20As20S60 / Аванесян В. Т., Арсова Д., Пронин В. П. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники [Текст] : сб. тр. VIII Междунар. конф., С.-Петербург, 2-5 июля 2012 г. — СПб., 2012. — С. 201-202.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Optical spectroscopy of conducting Schiff-base polymer films / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G. // Optics and Spectroscopy [Text]. — 2012. — Vol. 112, iss. 4. - P. 528-530. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS0030400X12040042. — DOI: 10.1134/S0030400X12040042.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Dielectric properties of polymer structures of the azomethine base with an inclusion of a metal center / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G. // Physics of the Solid State [Текст]. — 2012. — Vol. 54, iss. 2. - P. 425-427. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783412020060. — DOI: 10.1134/S1063783412020060.
Scopus Web of Science
Электрофизические свойства электролюминесцентной структуры на основе ZnS(Cu) / Аванесян В. Т., Бондаренко Е. В., Диброва М. Г., Пилипцов Е. А. ; В. Т. Аванесян, Е. В. Бондаренко, М. Г. Диброва, Е. А. Пилипцов // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XIII Международной конференции. — Ульяновск, 2011. — С. 132-133.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Charge transfer in metallopolymer structure based on Cu(II) complexes / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G. // Technical Physics Letters [Текст]. — 2011. — Vol. 37, iss. 9. - P. 817-819. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785011090045. — DOI: 10.1134/S1063785011090045.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. Dielectric relaxation of a new metal containing films of poly-[CumSalpn-1.3] / Avanesyan V., Vodkailo E. // International Sumposium on Electrets,14 [Текст] : proc., Montpellier, Languedoc-Roussillon, France, 28-31 aug., 2011 . — Montpellier, Languedoc-Roussillon, 2011. — P. 129-130. — URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/6085016/. — DOI: 10.1109/ISE.2011.6085016.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Дисперсия диэлектрических характеристик полимерных структур на основе комплекса Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. // Физика твердого тела [Текст]. — 2011. — Т.52, вып.10. - С. 2052-2055. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/2012.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Аванесян В. Т. Перенос заряда в металлополимерной структуре на основе комплекса Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. // Письма в "Журнал технической физики" [Текст]. — 2011. — Т. 37, вып. 17. - С. 58-64. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/14296.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Длинновременная релаксация тока в естественно-неупорядоченном полупроводнике Pb3О4 / Аванесян В. Т., Севрюгина М. П. // Физика твердого тела [Текст]. — 2011. — Т.53, вып.5. - С.881-884. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/1419.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Фотоиндуцированные явления в оксидах и халькогенидах металлов / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский Г. А., Бордовский В. А., Потачев С. А. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, Г. А. Бордовский, В. А. Бордовский, С. А. Потачев // Физика неупорядоченных и наноструктурированных оксидов и халькогенидов металлов [Текст] / РГПУ. — СПб., 2011. — С. 283-306.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Фазовые переходы в металлооксидных полупроводниках / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский Г. А., Бордовский В. А. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, Г. А. Бордовский, В. А. Бордовский // Физика неупорядоченных и наноструктурированных оксидов и халькогенидов металлов [Текст] / РГПУ. — СПб., 2011. — С. 185-210.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Структурно-чувствительные электронные свойства полупроводниковых оксидов металлов / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский Г. А., Бордовский В. А. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, Г. А. Бордовский, В. А. Бордовский // Физика неупорядоченных и наноструктурированных оксидов и халькогенидов металлов [Текст] / РГПУ. — СПб., 2011. — С. 40-69.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Структурные особенности металлооксидных полупроводников / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский Г. А., Бордовский В. А. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, Г. А. Бордовский, В. А. Бордовский // Физика неупорядоченных и наноструктурированных оксидов и халькогенидов металлов [Текст] / РГПУ. — СПб., 2011. — С. 12-40.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Физика неупорядоченных и наноструктурированных оксидов и халькогенидов металлов : монография / Бордовский Г. А., Бордовский В. А., Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Ханин С. Д., Марченко А. В., Серегин П. П., Кастро Р. А., Потачев С. А., Горяев М. А., Ильинский А. В., Шадрин Е. Б. ; Г. А.Бордовский, В. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, С. Д. Ханин, А. В. Марченко, П. П. Серегин, Р. А. Кастро, С. А. Потачев, М. А. Горяев, А. В. Ильинский, Е. Б. Шадрин. — СПб. : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2011. — 382 с.Тираж: 50 экз. Объем в п.л.: 24,0 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Long-term relaxation of the current in a naturally disordered Pb3O4 semiconductor / Avanesyan V. T., Sevryugina M. P. // Physics of the Solid State [Текст] . — 2011. — Vol. 53, iss. 5. - P. 939-942. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783411050040. — DOI: 10.1134/S1063783411050040.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Фотополяризационные явления в электролюминесцентных слоях ZnS (Cu) / Аванесян В. Т., Горелкина Т. Г., Диброва М. Г. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011) [Текст] : материалы XII междунар. конф., С.-Петербург, 23-26 мая 2011 г. — СПб., 2011. — Т. 1. - С. 184-186.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрическая спектроскопия высокоомных поликристаллических слоев ортоплюмбата свинца Pb3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Потачев С. А. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011) [Текст] : материалы XII междунар. конф., С.-Петербург, 23-26 мая 2011 г. — СПб., 2011. — Т. 1. - С. 181-184.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Оптическая спектроскопия и электрофизические свойства полимерной структуры на основе комплекса Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г., Потачев С. А. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011) [Текст] : материалы XII междунар. конф., С.-Петербург, 23-26 мая 2011 г. — СПб., 2011. — Т. 1. - С. 179-181.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрическая спектроскопия полимерной пленки на основе комплекса Cu[mSalpn] / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XII Международной конференции, посвященной XX-летию кафедры оптики и спектроскопии (инженерной физики). — Ульяновск, 2010. — С. 186.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Оптические свойства наноструктурированного металлополимерного комплекса на основе Cu(II) / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г., Потачев С. А. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XV-той Международной конференции, Ульяновск, 04-07 сентября 2012 года / Министерство науки и образования РФ, Ульяновский государственный университет, Российский фонд фундаментальных исследований. — Ульяновск, 2010. — С. 185.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Релаксационные процессы в МДМ-структуре на основе оксида свинца Pb3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Севрюгина М. П. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы [Текст] : труды XII Международной конференции, посвященной XX-летию кафедры оптики и спектроскопии (инженерной физики). — Ульяновск, 2010. — С. 184.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Dispersion of dielectric characteristics of polymer structures based on the Cu(II) complex / Avanesyan V. T., Vodkailo E. G. // Physics of the Solid State [Текст]. — 2010. — V. 52, iss. 10. - P. 2199-2202. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783410100306. — DOI: 10.1134/S1063783410100306.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. Dielectric polarization and conductivity of new metal-containing polymer thin film structure / Avanesyan V., Vodkalio E. G. // Annual International Conference and Seminar on Micro / Nanotechnologies and Electron Devices EDM, 2010, 11 [Текст] : proc., Novosibirsk, 30 june-4 july, 2010 . — Novosibirsk, 2010. — P. 71-73. — URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/5568660. — DOI: 10.1109/EDM.2010.5568660.
РИНЦ Ядро Scopus
Спектроскопия тонкопленочной металлополимерной структуры на основе комплекса [Cumsalphen] / Аванесян В. Т., Борисов А. Н., Водкайло Е. Г., Потачев С. А. ; В. Т. Аванесян, А. Н. Борисов, Е. Г. Водкайло, С. А. Потачев // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2010. — N 122. - С. 52-63. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=13054189.
DOI: нет
РИНЦ ВАК
Аванесян Т. В. Фотодиэлектрический эффект в тонкопленочных структурах металлополимера поли [NiSalen] / Аванесян Т. В., Пучков М. Ю. // Физика твердого тела [Текст] . — 2009. — N 51 (10). - С. 2052-2054. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/2441. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
DOI: нет
РИНЦ RSCI
Аванесян В. Т. Фотодиэлектрическая структура на основе ортоплюмбата свинца / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Баранова Е. П. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения [Текст]. — 2009. — Т. 9, N 1. - С. 169-172. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=16227155.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Дисперсионные спектры фотоактивных металлополимерных структур на основе комплекса [NiSalen] / Аванесян В. Т., Пучков М. Ю. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2009. — N 95. - С. 39-46.
Полный текст: нет
DOI: нет
ВАК
Avanesyan V. T. Hopping conductivity in polycrystalline photoconductive Pb3O4 layers / Avanesyan V. T., Potachev S. A., Baranova E. P. // Semiconductors [Текст]. — 2009. — Vol. 43, iss. 11. - P. 1496-1498. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782609110165. — DOI: 15302999.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Photodielectric effect in thin-film structures of the poly[NiSalen] metallopolymer / Avanesyan V. T., Puchkov M. Y. // Physics of the Solid State [Текст]. — 2009. — Vol. 51, iss. 10. - P. 2178-2181. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS106378340910031X. — DOI: 10.1134/S106378340910031X.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Перенос носителей заряда в фотопроводящих слоях ортоплюмбата свинца с участием глубоких локальных центров / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Потачев С. А. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы и 9 школы молодых ученых "Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистемs [ Текст]: тр. XI междунар. конф., Ульяновск, 2009 г. — Ульяновск, 2009. — С.44.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb3O4 / Аванесян В. Т., Потачев С. А., Баранова Е. П. // Физика и техника полупроводников [Текст]. — 2009. — Т. 43, вып. 11. - С. 1538-1540. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/7001.
DOI: нет
РИНЦ RSCI
Диэлектрическая спектроскопия в специальном физическом практикуме / Аванесян В. Т., Заграничек А. Л., Коршунова М. К., Потачев С. А., Трополева О. Л. ; В. Т. Аванесян, А. Л. Заграничек, М. К. Коршунова, С. А. Потачев, О. Л. Трополева // Физика в системе современного образования (ФССО-09) [Текст] : материалы десятой междунар. конф., С.-Петербург, 31 мая - 4 июня 2009 г. — СПб.,2009. — Т. 1 . - С. 306-308.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Научно-исследовательский практикум по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в рамках физического образования / Аванесян В. Т., Ананьева Е. Л., Иванова Л. С., Потачев С. А., Рокотова Н. В. ; В.Т. Аванесян, Е. Л. Ананьева, Л. С. Иванова, С. А. Потачев, Н. В. Рокотова // Физика в системе современного образования (ФССО-09) [Текст] : материалы десятой междунар. конф., С.-Петербург, 31 мая - 4 июня 2009 г. — СПб., 2009. — Т. 1. - С. 304-306.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Перенос носителей заряда в металлополимерных пленках поли[NiSalen] / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Потачев С. А., Пучков М. Ю. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, С. А. Потачев, М. Ю. Пучков // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2009. — N 11 (79) : Естественные и точные науки. Физика. - С. 40-47. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=16285327.
DOI: нет
РИНЦ ВАК
Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008) : Материалы XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 3-7 июня 2008 г. / Редакционная коллегия: Гороховатский Ю. А., Анисимова Н. И., Аванесян В. Т., Афанасьев В. П., Бойцов В. Г., Борисова М. Э., Дебердеев Р. Я., Закревский В. А., Марков Ю. Ф., Немов С. А., Полонский Ю. А., Рычков А. А., Сажин Б. И., Серегин П. П., Темнов Д. Э., Теруков Е. И., Ханин С. Д. — СПб : Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2008. — Т. 2 (приложение). - 12 с. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43989296. Объем в п.л.: 1,5 п.л.
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян Т. В. Особенности электропроводности металлополимерной тонкопленочной структуры поли [NiSalen] / Аванесян Т. В., Пучков М. Ю. // Физика твердого тела [Текст] . — 2008. — N 50 (11). - С. 2106-2108. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/2861. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Аванесян Т. В. Электрические свойства полимера на основе комплексного соединения Ni(II) / Аванесян Т. В., Пучков М. Ю. // Журнал технической физики [Текст] . — 2008. — N 78 (6). - С. 138-139. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/9449. Объем в п.л.: 0,25 п.л.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Avanesyan V. T. Characterization and conductivity study of [NiSalen] polymer complex / Avanesyan V. T., Puchkov M. U., Shagisultanova G. A. . — ISBN 978-5-88725-157-8 // Физика электронных материалов [Текст] : сборник трудов 3-ей международной конференции, Калуга, 01-04 октября 2008 г. / ФБГОУ ВПО "Калужский государственный университет им. К.Э.Циолковского". — Калуга, 2008. — Том 1. - С. 191-195.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Электрофизические свойства полимеров на основе комплексов Ni(II) / Аванесян В. Т., Вовк Г. В., Пучков М. Ю., Шагисултанова Г. А. ; В. Т. Аванесян, Г. В. Вовк, М. Ю. Пучков, Г. А. Шагисултанова // Высокомолекулярные соединения [Текст]. — 2008. — Т. 50, N 10. - С. 1860-1865. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=11533452.
DOI: нет
РИНЦ RSCI
Avanesyan V. T. Specific features of electrical conduction of the poly-[NiSalen] metal-containing polymer thin-film structure / Avanesyan V. T., Puchkov M. Yu. // Физика твердого тела [Текст]. — 2008. — Vol. 50, N. 11. - C. 2106-2108. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783408110310. — DOI: 10.1134/S1063783408110310.
Scopus Web of Science RSCI
Avanesyan V. T. Electrical performance of a Ni(II) complex polymer / Avanesyan V. T., Puchkov M. Yu. // Technical Physics Letters [Текст]. — 2008. — Vol. 34, iss. 6. - P. 811-812. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063784208060261. — DOI: 10.1134/S1063784208060261.
Scopus Web of Science
Компьютеризация физического эксперимента при исследовании диэлектрических характеристик образцов / Аванесян В. Т., Потачев С. А., Пучков М. Ю., Филиппов С. Н. ; В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, М. Ю. Пучков, С. Н. Филиппов // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008) [Текст] : материалы XI Междунар. конф., С.-Петербург, 3-7 июня 2008 г. — СПб., 2008. — Т. 1. - С. 157-159.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Electrophysical properties of polymers based on Ni(II) complexes / Avanesyan V. T., Puchkov M. Y., Vovk G. V., Shagisultanova G. A. ; V. T. Avanesyan, M. Y. Puchkov, G. V. Vovk, G. A. Shagisultanova // Polymer Science Series B [Text]. — 2008. — Vol. 50, iss. 9-10. - P. 263-267. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1560090408090066. — DOI: 10.1134/S1560090408090066.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Дисперсионные спектры фотодиэлектрической структуры на основе комплекса [NiSalen] / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Борисов А. Н., Пучков М. Ю., Шагисултанова Г. А. ; В. Т. Аванесян, Г. А. Бордовский, А. Н.Борисов, М. Ю. Пучков, Г. А. Шагисултанова // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008) [Текст] : материалы XI Междунар. конф., С.-Петербург, 3-7 июня 2008 г. — СПб., 2008. — Т. 2. - С. 10-12.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Особенности процесса электропереноса в редокс-полимерной структуре на основе комплекса Ni(II) / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Пучков М. Ю., Шагисултанова Г. А. ; В. Т. Аванесян, Г. А. Бордовский, М. Ю. Пучков, Г. А. Шагисултанова // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2008. — N 9 (48) : Естественные и точные науки (физика, химия, современная техника и технология, естествознание, методика преподавания естественных и точных наук, математика). - С. 35-43. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=13054172.
DOI: нет
РИНЦ ВАК
Аванесян В. Т. Структура и фотостимулированные явления в Pb3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Потачев С. А. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2008. — N 9 (48) : Естественные и точные науки (физика, химия, современная техника и технология, естествознание, методика преподавания естественных и точных наук, математика). - С. 7-16. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=13054169.
DOI: нет
РИНЦ Ядро ВАК
Диэлектрическая спектроскопия полимерных пленок на основе комплекса [NiSalen] / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Пучков М. Ю. , Шагисултанова Г. А. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, М. Ю. Пучков, Г. А. Шагисултанова // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008) [Текст] : материалы XI Междунар. конф., С.-Петербург, 3-7 июня 2008 г. — СПб., 2008. — Т. 1. - С. 154-156.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. T. Infralow-frequency dielectric response of Pb3O4 polycrystalline layers / Avanesyan V. T., Baranova E. P., Grabko G. I. // Physics of the Solid State [Текст]. — 2008. — Vol. 50, iss.1. - P. 22-24. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783408010058. — DOI: 10.1007/s11451-008-1005-4.
РИНЦ Ядро Scopus
Avanesyan V. T. Frequency dispersion of the dielectric characteristics in polymer films based on the [NiSalen] complex / Avanesyan V. T., Puchkov M. U. // Physics of the Solid State [Text]. — 2007. — Volume 49, Issue 11. - P. 2191-2193. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783407110285. — DOI: 10.1134/S1063783407110285. Объем в п.л.: 0,375 п.л.
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Частотная дисперсия диэлектрических характеристик в полимерных пленках на основе комплекса [NiSalen] / Аванесян В. Т., Пучков М. Ю. // Физика твердого тела [Текст]. — 2007. — Т. 49, вып. 11. - С. 2088-2090 .
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства полимерных пленок на основе комплекса [NiSalen] / Аванесян В. Т., Пучков М. Ю. // Письма в "Журнал технической физики" [Текст]. — 2007. — Т. 33, вып. 15. - С. 34-39. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/13612.
DOI: нет
РИНЦ Ядро
Аванесян В. Т. Низкочастотные фотодиэлектрические процессы в поликристаллических слоях Pb3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П. // Письма в "Журнал технической физики" [Текст]. — 2007. — Т. 33, вып. 10. - С. 49-54. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/11905.
DOI: нет
РИНЦ Ядро
Аванесян В. Т. Фотодиэлектрический эффект в поликристаллических слоях PB3O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П. // Физика твердого тела [Текст]. — 2007. — Т. 49, вып. 10. - С. 1762-1770. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/3180.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Avanesyan V. T. Photodielectric effect in polycrystalline layers of Pb3O4 / Avanesyan V. T., Baranova E. P. // Physics of the Solid State [Текст]. — 2007. — Vol. 49, iss. 10. - P. 1845-1847. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS106378340710006X. — DOI: 10.1134/S106378340710006X.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Isothermal polarization in thin-film Al-As2Se3-Al metal-dielectric-metal structures / Avanesyan V. T., Grabko G. I. // Semiconductors [Текст]. — 2007. — Vol. 41, iss. 12. - P. 1419-1421. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS106378260712007X. — DOI: 10.1134/S106378260712007X.
Scopus Web of Science
Kinetics of polarization current in a Pb3O4 wide-gap photoconductor / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Baranova E. P., Grabko G. I. ; V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskii, E. P. Baranova, G. L. Grabko // Semiconductors [Текст]. — 2007. — Vol. 41, iss. 12. - P. 1405-1407. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782607120044. — DOI: 10.1134/S1063782607120044.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Relaxation of photodielectric effect in Pb3O4 layers / Avanesyan V. T., Baranova E. P. // Semiconductors [Текст]. — 2007. — N 41, iss. 10. - P. 1201-1203 . — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782607100144. — DOI: 10.1134/S1063782607100144.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ структуры Al-As2Se3-Al / Аванесян В. Т., Грабко Г. И. // Физика и техника полупроводников [Текст]. — 2007. — Т. 41, вып. 12. - С. 1440-1443. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6469.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Кинетика поляризационного тока в широкозонном фотопроводнике Pb3O4 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Баранова Е. П., Грабко Г. И. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, Е. П. Баранова, Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников [Текст]. — 2007. — Т. 41, вып. 12. - С. 1425-1429. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6466.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Аванесян В. Т. Релаксация фотодиэлектрического эффекта в слоях Pb3 O4 / Аванесян В. Т., Баранова Е. П. // Физика и техника полупроводников [Текст]. — 2007. — Т. 41, N 10. - С. 1218-1220. — URL: http://journals.ioffe.ru/articles/6433.
DOI: нет
РИНЦ Ядро RSCI
Avanesyan V. T. Dielectric properties of polymer films based on [NiSalen] complexes / Avanesyan V. T., Puchkov M. Yu. // Technical Physics Letters [Текст]. — 2007. — Vol. 33, iss. 8. - P. 645-647. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785007080068. — DOI: 10.1134/S1063785007080068.
Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Low-frequency photodielectric phenomena in polycrystalline Pb 3O4 layers / Avanesyan V. T., Baranova E. P. // Technical Physics Letters [Текст]. — 2007. — Vol. 33, iss. 5. - P. 428-429. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785007050197. — DOI: 10.1134/S1063785007050197.
Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Изучение фотополяризационных процессов в научно-исследовательском практикуме магистратуры факультета физики / Аванесян В. Т., Баранова Е. П., Пучков М. Ю. // Физика в системе современного образования (ФССО-07) [Текст] : материалы девятой междунар. конф., С.-Петербург, 4-8 июня 2007 г. — СПб., 2007. — Т. 1. - С. 26-27.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Avanesyan V. Dielectric relaxation in disordered thin layers of trilead tetraoxide / Avanesyan V., Bordovskii V., Baranova E. ; V. Avanesyan, V. Bordovskii, M. Puchkov, G. Shagisultanova // Conference International dielectric society, 4 & International conference Dielectric and related phenomena, 9 : IDS&DRP 2006 [Text] : abstracts, Poznan, Poland, 3-7 September, 2006 / Technical university of Lodz, department of molecular physics, Polish academy of science, Institute of molecular physics. — Lodz, 2006. — P. 143-144.
Полный текст: нет
DOI: нет
Dielectric polarisation in photo- and electroactive polymers based on transition metal complexes / Avanesyan V., Bordovskii V., Puchkov M. U., Shagisultanova G. ; V. Avanesyan, V. Bordovskii, M. Puchkov, G. Shagisultanova // Conference International dielectric society, 4 & International conference Dielectric and related phenomena, 9 : IDS&DRP 2006 [Text] : abstracts, Poznan, Poland, 3-7 September, 2006 / Technical university of Lodz, department of molecular physics, Polish academy of science, Institute of molecular physics. — Lodz, 2006. — P. 143-144.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Процессы зарядообразования в системе Bi-Pb-O / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2006. — N 6 (15) : Физика. - С. 14-20.
Полный текст: нет
DOI: нет
ВАК
Аванесян В. Т. Поляризационные свойства высокоомного полупроводника Pb3 O4 в условиях фотовозбуждения / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Потачев С. А. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена [Текст]. — СПб., 2006. — N 6 (15) : Физика. - С. 7-13.
Полный текст: нет
DOI: нет
ВАК
Лабораторные работы по оптике / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Сельдяев В. И. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, В. И. Сельдяев ; научный редактор С. Д. Ханин ; рецензенты : В. Г. Бойцов, С. А. Потачев ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2005. — 78 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Polarization phenomena in the naturally-disordered photoconductive Pb3O4 at low temperatures / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A. // Journal of non-crystalline solids [Text]. — 2005. — Vol. 351, N 33-36. - P. 2849-2852.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Polarization properties of lone pair Pb-O oxide structure / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Potachov S. A. // Physics of electronic materials [Текст] : proc. of the 2 Intern. conf., Kaluga, May 24-27, 2005. — Kaluga, 2005. — Vol. 1. - P. 109-112.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. Dielectric relaxation and structural properties of Pb3O4 / Avanesyan V., Bordovskii V. // International conference on Broadband dielectric spectroscopy and its applications, 3 : BDS 2004 [Text] : final program and book of abstracts, Delft university of technology, the Netherlands, 23-26 August, 2004. — Delft, 2004. — P. 168.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. Low-frequency dielectric characterisation of PbO / Avanesyan V., Bordovskii G. // International conference on Broadband dielectric spectroscopy and its applications, 3 : BDS 2004 [Text] : final program and book of abstracts, Delft university of technology, the Netherlands, 23-26 August, 2004. — Delft, 2004. — P. 167.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Поляризация халькогенидных стеклообразных полупроводников системы AS-SE / Аванесян В. Т. , Грабко Г. И. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004) [Текст] : материалы X Международной конференции, 23-27 мая 2004 г. — СПб., 2004. — С. 58-60.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Фотоиндуцированная поляризация в оксидах свинца / Аванесян В. Т. , Бордовский Г. А., Потачев С. А. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004) [Текст] : материалы X Международной конференции, 23-27 мая 2004 г. — СПб., 2004. — С. 55-56.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Моделирование процессов зарядообразования в поликристаллической высокоомной структуре Bi2O3-PbO / Аванесян В. Т. , Бордовский В. А., Жаркой А. Б. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004) [Текст] : материалы X Международной конференции, 23-27 мая 2004 г. — СПб., 2004. — С. 14-17.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Исследование пленок полиамида методами термостимулированной деполяризации и релаксации потенциала / Аванесян В. Т. , Геращенко Ю. С. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004) [Текст] : материалы X Международной конференции, 23-27 мая 2004 г. — СПб., 2004. — С. 57-58.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Термоактивационная спектроскопия полиамида / Аванесян В. Т., Геращенко Ю. С., Гороховатский Ю. А. // Тонкие пленки и наноструктуры (Пленки-2004) [Текст] : материалы Междунар. науч. конф. , Москва, 7-10 сент. 2004 г. — М., 2004. — Ч. 1. - С. 109-111.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Диэлектрическая релаксация в оксидной системе PbO-Bi203 / Аванесян В. Т. // Полиматериалы -2003 [Текст] : материалы Международной научной конференции "Межфазная релаксация в полиматериалах", Москва, 25-29 ноября 2003 г. / Московский технологический университет (МИРЭА) . — Москва, 2003. — Часть 2. - С. 7-11.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Изотермическая релаксация тока поляризации в мышьяковистых халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. , Грабко Г. И. // Полиматериалы -2003 [Текст] : материалы Международной научной конференции "Межфазная релаксация в полиматериалах", Москва, 25-29 ноября 2003 г. / Московский технологический университет (МИРЭА) . — Москва, 2003. — Часть 2. - С. 173-176.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Термоактивационная спектроскопия волокнитов полиамида / Аванесян В. Т., Геращенко Ю. С. , Гороховатский Ю. А. // Полиматериалы -2003 [Текст] : материалы Международной научной конференции "Межфазная релаксация в полиматериалах", Москва, 25-29 ноября 2003 г. / Московский технологический университет (МИРЭА) . — Москва, 2003. — Часть 1. - С. 109-111.
Полный текст: нет
DOI: нет
Лабораторные работы по электричеству / Бордовский В. А., Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Сельдяев В. И. ; В. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, В. И. Сельдяев ; науч. ред. С. Д. Ханин ; РГПУ. — СПб. : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2002. — 85 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Dielectric characterization of the lone pair oxide structure / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Potachov S. A. // Journal of non-crystalline solids [Text]. — 2002. — Vol. 305, N 1-3. - P. 136-139.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Физика полупроводников и полуметаллов (ФПП-2002) : тезисы докладов Всероссийской научной конференции, Санкт-Петербург, 4-6 февраля 2002 г. / редакционная коллегия : В. Т. Аванесян, В. П. Афанасьев, Ю. А. Гороховатский, В. М. Грабов, К. Г. Иванов, В. А. Мошников, С. А. Немов, И. А. Смирнов, Д. Э. Темнов, А. Б. Федорцов, С. Д. Ханин ; Координационный Совет по физическому образованию при Министерстве образования РФ, РГПУ. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2002. — 270 с. — ISBN 5-8064-0526-5.Тираж: 120 экз. Объем в п.л.: 17,0 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Концепция неподеленной электронной пары и фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклах / Аванесян В. Т., Нагайцев А. Ю. // Физика полупроводников и полуметаллов (ФПП-2002) [Текст] : тезисы докладов Всероссийской научной конференции, Санкт-Петербург, 4-6 февраля 2002 г. / Координационный Совет по физическому образованию при Министерстве образования РФ, РГПУ . — Санкт-Петербург, 2002 . — С. 49-50.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Фотодиэлектрический отклик высокоомного полупроводника / Аванесян В. Т. // Физика полупроводников и полуметаллов (ФПП-2002) [Текст] : тезисы докладов Всероссийской научной конференции, Санкт-Петербург, 4-6 февраля 2002 г. / Координационный Совет по физическому образованию при Министерстве образования РФ, РГПУ . — Санкт-Петербург, 2002 . — С. 47-48.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Dielectric spectroscopy of the lone pair oxide structures / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Potachev S. A. // Dielectric spectroscopy in physical, chemical and biological applications : DS2001 [Текст] : book of abstracts of the 1 International conference, Jerusalem, March 12-15, 2001. — Jerusalem, 2001. — P. 90.
Полный текст: нет
DOI: нет
Gennadii Alekseevich Bordovskii. (On the occasion of his sixtieth birthday) / Avanesyan V. T., Anisimova N. I., Bordovskii V. A., Bursian E. V., Castro R. A., Solomin V. P., Khanin S. D. ; V. T. Avanesyan, N. I. Anisimova, V. A. Bordovskii, E. V. Bursian, R. A. Castro, V. P. Solomin, S. D. Khanin // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 2001. — Volume 27, N 3. - P. 284-285.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Web of Science
Avanesyan V. T. Photodielectric effect / Avanesyan V. T., Bordovskii G. A., Potachov S. A. // Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering Online [Электронный ресурс] . — 2001. — 28 Feb.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Поляризационные явления в температурной области несоразмерной PbO / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Потачев С. А. // Материаловедение [Текст] . — 2001. — N 3. - С. 14-16.
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Avanesyan V. T. The time domain data analysis of the isothermal relaxation response / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Bordovskii G. A. // Dielectric spectroscopy in physical, chemical and biological applications : DS2001 [Текст] : book of abstracts of the 1 International conference, Jerusalem, March 12-15, 2001. — Jerusalem, 2001. — P. 89.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Relaxation dark currents in As-Se glasses / Avanesyan V. T., Bordovskii G. A., Castro R. A. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 2000. — Volume 26, Issue 3. - P. 257-259.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Polarization properties of modified As2Se3 films / Avanesyan V. T., Bordovskii G. A., Castro R. A. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 2000. — Vol. 26, iss. 3. - P. 291-292.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Релаксационные темновые токи в стеклах системы As–Se / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. // Физика и химия стекла [Текст]. — 2000. — Т.26, N 6. - С.369-373.
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Аванесян В. Т. Поляризационные свойства модифицированных пленок As2Se3 / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. // Физика и химия стекла [Текст]. — 2000. — Т. 26, N 3. - С. 420-422.
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Аванесян В. Т. Релаксационные темновые токи в стеклах системы As-Se / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. // Химия и физика стекла [Текст]. — 2000. — Т. 26, N 3. - С. 369-373.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Полиморфный фазовый переход в структуре тройного соединения Bi6Pb2O11 / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А. // Физика конденсированного состояния и электроника : Проблемы науки и образования [Текст] : [сб. науч. тр.] / РГПУ. — СПб., 2000. — С. 13-21.
Полный текст: нет
DOI: нет
Лабораторные работы по молекулярной физике / Бордовский В. А., Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Сельдяев В. И. ; В. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, В. И. Сельдяев ; РГПУ. — СПб. : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2000. — 63 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Лабораторные работы по механике / Бордовский В. А., Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Сельдяев В. И. ; В. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, В. И. Сельдяев ; РГПУ. — СПб. : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2000. — 84 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Влияние модифицирующей примеси на структуру локальных состояний халькогенидных стекол системы As-Se / Аванесян В. Т., Нагайцев А. Ю., Потачев С. А. // Физика конденсированного состояния и электроника : Проблемы науки и образования [Текст] : [сб. науч. тр.] / РГПУ. — СПб., 2000. — С. 41-48.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Особенности процессов зарядообразования в стеклообразных халькогенидах / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Нагайцев А. Ю. // Физика конденсированного состояния и электроника : Проблемы науки и образования [Текст] : [сб. науч. тр.] / РГПУ. — СПб., 2000. — С. 34-41.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Поляризационные явления в температурной области несоразмерной модуляции a-PbO / Аванесян В. Т., Потачев С. А. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2000) [Текст] : тезисы докладов девятой международной конференции, 17-22 сентября 2000 г. / Министерство образования Российской Федерации, Координационный совет по физическому образованию МОРФ, Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", секция "Физика сегнетоэлектриков и диэлектриков", Российская академия естественных наук, Академия электротехнических наук Росийской Федерации, Санкт-Петербургский государственный технический университет, Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2000. — Том 1. - С. 166-167.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Моделирование деполяризационного процесса в рамках дебаевского приближения / Аванесян В. Т. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2000) [Текст] : тезисы докладов девятой международной конференции, 17-22 сентября 2000 г. / Министерство образования Российской Федерации, Координационный совет по физическому образованию МОРФ, Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", секция "Физика сегнетоэлектриков и диэлектриков", Российская академия естественных наук, Академия электротехнических наук Росийской Федерации, Санкт-Петербургский государственный технический университет, Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2000. — Том 1. - С. 14-16.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Концепция одиночной пары и поляризационные процессы в высокоомных поликристаллических и аморфных фотопроводниках / Аванесян В. Т. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2000) [Текст] : тезисы докладов девятой международной конференции, 17-22 сентября 2000 г. / Министерство образования Российской Федерации, Координационный совет по физическому образованию МОРФ, Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", секция "Физика сегнетоэлектриков и диэлектриков", Российская академия естественных наук, Академия электротехнических наук Росийской Федерации, Санкт-Петербургский государственный технический университет, Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2000 . — Том 1. - С. 12-14.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Polarization phenomena in a-PbO photoelectret ceramic / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Potachov S. A. // International symposium on electrets, 10 : ISE-10 [Text] : proc., Delphi, Greece, 22-24 Sept., 1999. — Delphi, 1999. — P. 193-196.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Avanesjan V. T. Long-time relaxation currents in As-Se glasses / Avanesjan V. T., Bordovskii G. A., Castro R. A. // Стекла и твердые электролиты [Текст] : тезисы докладов международной конференции, Санкт-Петербург, 17-19 мая 1999 г., приуроченная к 100 летней годовщине со дня рождения Рудольфа Людвиговича Мюллера и 275 летнему юбилею Санкт-Петербургского государственного университета. — Санкт-Петербург, 1999. — С. 66.
Полный текст: нет
DOI: нет
Компьютерный эксперимент в спецпрактикуме по физике / Аванесян В. Т., Васильев А. А., Плещенков И. Н., Потачев С. А. ; В. Т. Аванесян, А. А. Васильев, И. Н. Плещенков, С. А. Потачев // Физика в системе современного образования (ФССО-99) [Текст] : тез. докл. пятой междунар. конф., 21-24 июня 1999 г. — СПб., 1999. — Т. 3. - С. 69-70.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Photocapacitance and photoreflectance characterization of Pb3O4 photoelectrets / Avanesyan V. T., Badakhshan A. // International symposium on electrets, 10 (ISE-10) [Text] : proc., Delphi, 22-24 Sept., 1999. — Delphi, 1999. — P. 205-208.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Avanesyan V. T. Polarization properties of As2Se3 modified films / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Castro R. A. // Стекла и твердые электролиты [Текст] : тезисы докладов международной конференции, Санкт-Петербург, 17-19 мая 1999 г. , приуроченная к 100 летней годовщине со дня рождения Рудольфа Людвиговича Мюллера и 275 летнему юбилею Санкт-Петербургского государственного университета. — Санкт-Петербург, 1999. — С. 70.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Polarization properties in incommensurate modulation phase of the lead oxide at the low temperature / Avanesyan V. T., Bordovskii G. A., Potachov S. A. // Electrets [Text] : coll. of materials / Herzen State Ped. Univ. of Russia. — St. Petersburg, 1999. — P. 16-20.
Полный текст: нет
DOI: нет
The capacitance properties of heterogeneous junction in lead oxide systems / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Palanduzyan U. H., Potachov S. A. ; V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskii, U. H. Palanduzyan, S. A. Potachov // Electrets [Text] : coll. of materials / Herzen State Ped. Univ. of Russia. — St. Petersburg, 1999. — P. 31-36.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Формирование исследовательских умений студентов-физиков в педагогическом университете / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Физика в системе современного образования (ФССО-99) [Текст] : тез. докл. пятой междунар. конф., 21-24 июня 1999 г. — СПб., 1999. — Т. 1. - С. 136-137.
Полный текст: нет
DOI: нет
The capacitance properties of heterogeneous junction in lead oxide systems / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Palanduzyan U. H., Potachov S. A. ; V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskii, U. H. Palanduzyan, S. A. Potachov // Electrets [Text] : coll. of materials / Herzen State Ped. Univ. of Russia. — St. Petersburg, 1998. — P. 31-36.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Научная работа в Университете Северной Айовы (UNI) под эгидой АСПРЯЛ / Аванесян В. Т. // Международное сотрудничество в образовании в контексте диалога двух культур [Текст] : материалы Международной научно-практической конференции, посвященной 10-летию сотрудничества РГПУ им. А. И. Герцена, АСПРЯЛ и Университета Северной Айовы, 15 мая 1998 г. — Санкт-Петербург, 1998 . — С. 115-117.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Polarization properties in incommensurate modulation phase of the lead oxide at the low temperature / Avanesyan V. T., Bordovskii G. A., Potachov S. A. // Electrets [Text] : coll. of materials / Herzen State Ped. Univ. of Russia. — St. Petersburg, 1998. — P. 16-20.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. T. Relaxation properties of a metal-chalcogenide glassy semiconductor / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Castro R. A. // Semiconductors [Text]. — 1997. — Vol. 31, iss. 11. - P. 1155-1156.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Avanesyan V. T. Influence of bismuth on dark current relaxation in As2Se3 layers / Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Castro R. A. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 1997. — Vol. 23, iss. 6. - P. 455-456.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Релаксационные свойства контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31, N 11. - С. 1340-1341.
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Аванесян В. Т. Влияние примеси висмута на процессы релаксации темнового тока в слоях As2Se3 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Физика и химия стекла. — 1997. — Т.23,N6.-C.643-645.
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
Аванесян В. Т. Поляризационные явления и диэлектрические потери в халькогенидных стеклах / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Диэлектрики-97 [Текст] : тез. докл. междунар. науч.-техн. конф. по физике твердых диэлектриков, С.-Петербург, 24-27 июня 1997 г. — СПб., 1997. — [Ч.1]. - С. 93-94.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Низкочастотные релаксационные свойства в позиционно-неупорядоченных структурах системы PbO-Bi2O3 / Аванесян В. Т., Потачев С. А. // Диэлектрики-97 [Текст] : тез. докл. междунар. науч.-техн. конф. по физике твердых диэлектриков, С.-Петербург, 24-27 июня 1997 г. — СПб., 1997. — [Ч. 1]. - С. 66-67.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Инфранизкочастотные релаксационные процессы в аморфных и поликристаллических полупроводниках / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. // Диэлектрики-97 [Текст] : тез. докл. междунар. науч.-техн. конф. по физике твердых диэлектриков, С.-Петербург, 24-27 июня 1997 г. — СПб., 1997. — [Ч. 1]. - С. 65.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. Dielectric behaviour of PbO-Bi2O3 electret system at infralow frequencies / Avanesyan V., Bordovskii G., Potachov S. // International Symposium on Electrets, 9 : ISE-9 [Text] : proc., Shanghai, China, 25-30 Sept., 1996. — Shanghai, 1996. — P. 394-396.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Avanesyan V. Electrical properties of Pb3O4 photoelectret layers / Avanesyan V., Bordovskii G., Potachov S. // International Symposium on Electrets, 9 : ISE-9 [Text] : proc., Shanghai, China, 25-30 Sept., 1996. — Shanghai, 1996. — P. 390-393.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Метод контроля низкочастотных поляризационных параметров полупроводниковых структур на основе халькогенидных стекол / Бордовский Г. А., Аванесян В. Т., Кастро Р. А. ; сост. : Г. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Р. А. Кастро. — СПб., 1996. — 4 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Метод контроля вольтфарадных характеристик (ВФХ) халькогенидных стеклообразных полупроводников в системе As-Se / Бордовский Г. А., Аванесян В. Т., Кастро Р. А., Потачев С. А. ; сост. : Г. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Р. А. Кастро, С. А. Потачев. — СПб., 1996. — 3 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Avanesyan V. The Dielectric Behaviour of PbO-Bi2O3 electret system at infralow Freguencies / Avanesyan V., Bordovskii G., Potachov S. // Internathional Symposium on Electrets,9:ISE-9:Proc.,Shanghhai,China,25-30 Sept.1996. — Shanghai,1996. — P.394-396.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро
Метод исследования релаксационных характеристик слоев на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) / Бордовский Г. А., Аванесян В. Т., Кастро Р. А. ; сост. : Г. А. Бордовский, В. Т. Аванесян, Р. А. Кастро. — СПб., 1995. — 2 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Некоторые вопросы компьютерной подготовки физиков в педвузах / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Физика в системе современного образования (ФССО-95) [Текст] : тезисы докладов международной конференции, 26-30 июня 1995 г. / Организация ООН по вопросам образования , науки и культуры, Государственный комитет Российской Федерации по высшем образованию, Евразийское физическое общество, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, РГПУ, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 1995. — С. 165.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Формирование экспериментальных навыков в системе профессиональной подготовки учителей физики / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. // Физика в системе современного образования (ФССО-95) [Текст] : тезисы докладов международной конференции, 26-30 июня 1995 г. / Организация ООН по вопросам образования , науки и культуры, Государственный комитет Российской Федерации по высшем образованию, Евразийское физическое общество, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, РГПУ, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 1995. — С. 158.
Полный текст: нет
DOI: нет
Polarization properties of layers in As-Se modified system / Anisimova N. I., Avanesyan V. T., Bordovskii V. A., Castro R. A., Nagaytcev A. Yu. ; N. I. Anisimova, V. T. Avanesyan, V. A. Bordovski, R. A. Castro, A. Yu. Nagaytcev // International Symposium on Electrets, 8 : (ISE-8) [Text] : proceedings, Paris, France, September 7-9, 1994. — Piscataway, 1994. — P. 136-141.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus Web of Science
Аванесян В. Т. Диэлектрическая релаксация в высокоомных сегнетоактивных поликристаллах Pb3O4 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Бордовский Г. А. // Электрическая релаксация в высокоомных материалах (Релаксация-94) [Текст] : тез. докл. Междунар. науч.-техн. конф., 3-7 окт. 1994 г. — СПб., 1994. — С. 113-115.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Деполяризационные явления в системе оксидов PbO-Bi2O3 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Жаркой А. Б. // Электрическая релаксация в высокоомных материалах (Релаксация-94) [Текст] : тез. докл. Междунар. науч.-техн. конф., 3-7 окт. 1994 г. — СПб., 1994. — С. 107-108.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Фотодиэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро // Диэлектрики - 93 [Текст] : тезисы докладов Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков с международным участием участием, 22-24 июня 1993 г. — Санкт-Петербург, 1993. — Часть 1. - С. 37.
Полный текст: нет
DOI: нет
Изотермическая релаксация фототока в аморфных слоях селенида мышьяка, модифицированных свинцом / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Бордовский Г. А., Кастро Р. А. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро // Диэлектрики - 93 [Текст] : тезисы докладов Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков с международным участием участием, 22-24 июня 1993 г. — Санкт-Петербург, 1993. — Часть 1. - С. 36.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Демонстрация преобразования освещенность-частота / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Физика в системе современного образования (ФССО-93) [Текст] : тезисы докладов международной научно-методической конференции, 30 сентября - 4 октября 1993 г. — Сочи, 1993. — С. 101-102.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Диэлектрическая релаксация МДП-структур на основе антимонида индия / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах [Текст] : сборник научных трудов / РГПУ. — Санкт-Петербург, 1992. — С. 78-82.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Оптоэлектронный преобразователь для измерения частоты / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Сейфуллинские чтения,2:Материалы. — Целиноград,1991. — Т.2.-С.254-255.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Электропроводность в системе фотополупроводниковых оксидов свинца / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Сейфуллинские чтения,2:Материалы. — Целиноград,1991. — Т.2.-С.238-239.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Демонстрационный эксперимент в курсе прикладной физики на индустриально-педагогическом факультете / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Физика в системе современного образования (ФССО-91) [Текст] : тез. докл. Всесоюз. науч.-метод. конф., Ленинград-Репино, 12-16 мая 1991 г. — Л., 1991. — С. 99-100.
Полный текст: нет
DOI: нет
Бордовский В. А. Релаксация зарядового состояния фотодиэлектрика PB3O4 в условиях неравновесного возбуждения / Бордовский В. А., Аванесян В. Т. // Диэлектрические материалы в экстремальных условиях [Текст] : тез.докл.1 Всесоюз.совещ. — Суздаль,1990. — Т. 1. - С. 250-256.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Поляризационные процессы в тонкопленочной МДМ-структуре на основе Та2О5 / Аванесян В. Т. // Электронные процессы в твердом теле [Текст] : межвузовский сборник научных трудов / Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена. — Ленинград, 1990. — С. 11-15.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Дисперсионные свойства системы арсенид индия - анодный оксид / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Электронные процессы в твердом теле [Текст] : межвузовский сборник научных трудов / Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена. — Ленинград, 1990. — С. 15-19.
Полный текст: нет
DOI: нет
Способ получения фотоэлектрически чувствительного материала / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Паландузян Ю. Х. ; сост. : В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, Ю. Х. Паландузян. — Л., 1989. — 3 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Метод контроля вольт-фарадных характеристик тонкопленочных конденсаторов / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. ; сост. : В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский. — Л., 1989. — 4 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Метод контроля вольт-амперных характеристик тонкопленочных конденсаторов / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. ; сост. : В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский. — Л., 1989. — 4 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Метод диэлектрического контроля параметров стабильности тонкопленочных конденсаторов / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. ; сост. : В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский. — Л., 1989. — 4 с.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Поляризационные свойства Pb3O4 в области сегнетоактивного фазового перехода / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков, 12 [Текст] : тез. докл., Ростов-на-Дону, 1989 г. — Ростов н/Д, 1989. — Т. 2. - С. 27.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Релаксация диэлектрических параметров электретов из поливинилиденфторида / Аванесян В. Т. , Меликов К. А. // Электреты и их применение в радиотехнике и электронике [Текст] : тезисы докладов научно-технической конференции, 1-5 февраля 1988 г. / Научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова, Московское городское правление, Московский институт электронного машиностроения. — Москва, 1988. — С. 72-73.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Электрофотографические свойства поликристаллических слоев системы PbO-Bi2O3 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Степанов В. В. // Бессеребряные и необычные фотографические процессы [Текст] : тез. докл. 5 Всесоюз. конф., Суздаль, 5-9 дек. 1988 г. — Черноголовка, 1988. — Т. 1 : Фототермопластики. Электрофотография. - С. 150.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Фотоэлектрические свойства контакта металл-оксид свинца / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Потачев С. А. // Физика и применение контакта металл - полупроводник [Текст] : материалы Всесоюзной конференции, Киев, 16-19 ноября 1987 г. / Секция полупроводниковых гетероструктур Научного совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников", Секция "Физические явления в гетероструктурах" Научного совета АН СССР по проблеме "Физика полупроводников", Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко. — Киев, 1987. — С. 3.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Фотоэлектрические свойства контакта металл-оксид свинца / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Потачев С. А. // Физика и применение контакта металл-полупроводник [Текст] : тез. докл. Всесоюз. конф., Киев, 16-19 нояб. 1987 г. — Киев, 1987. — С. 3.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе InAs с высоким уровнем легирования / Аванесян В. Т., Степанов В. В. // Электронные процессы в твердых телах [Текст] : межвузовский сборник научных трудов / ЛГПИ. — Ленинград, 1986. — С. 29-34.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Диэлектрические релаксационные процессы в сэндвич-структурах на основе поликристаллических слоев Pb2Bi6O11 / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Степанов В. В. // Электронные процессы в твердых телах [Текст] : межвузовский сборник научных трудов / ЛГПИ. — Ленинград, 1986. — С. 5-9.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства керамик высокоомного полупроводника Pb2Bi6O11 / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Степанов В. В. // Вопросы радиофизики. Технология производства и оборудования [Текст]. — 1984. — N 1. - С. 125-129.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Низкочастотные релаксационные процессы в поликристаллических структурах 2PbO 3Bi2O3 / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Степанов В. В. // Вопросы радиофизики. Технология производства и оборудования [Текст]. — 1982. — N 3. - С. 51-56.
Полный текст: нет
DOI: нет
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства соединения Pb2Bi6O11 в переменных и постоянных электрических полях / Аванесян В. Т., Бордовский Г. А., Степанов В. В. // Физика диэлектриков [Текст] : тезисы докладов Всесоюзной научной конференции, 1-3 декабря 1982 г. / Министерство высшего и среднего специального образования СССР, Министерство высшего и среднего специального образования Азербайджанской ССР, Научный совет по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков АН СССР, Азербайджанский политехнический институт им. Чингиза Ильдрыма, Институт физики АН Азербайджанской ССР. — Баку, 1982. — Секция : Поляризация и диэлектрические потери. - С. 125-127.
Полный текст: нет
DOI: нет
Бордовский Г. А. Получение и исследование электрофизических соединений системы PBO-BI2O3 = Synthesis and Study of the Electrophysical Properties of Certain Compounds of the PbO-Bi2O3 System / Бордовский Г. А., Анисимова Н. И., Аванесян В. Т. // Неорганические материалы [Текст]. — 1981. — Том 17, № 2. - С. 291-295. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus RSCI
Bordovskii G. A. Preparation and electrophysical properties of certain compounds of the PbO-Bi2O3 system / Bordovskii G. A., Anisimova N. I., Avanesyan V. T. // Inorganic Materials [Text]. — 1981. — Vol. 17, N 2. - P. 207-211. Объем в п.л.: 0,625 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро
О влиянии пирополяризации на квазиэлектретное состояние в керамиках Bi2O3 / Аванесян В. Т., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Бордовский Г. А. ; В. Т. Аванесян, Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. А. Бордовский // Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / ЛГПИ. — Л., 1980. — С. 30-36.
Полный текст: нет
DOI: нет
Диэлектрические свойства системы PbO-Bi2O3 / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кишмария С. Р., Степанов В. В. ; В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, С. Р. Кишмария, В. В. Степанов // Республиканская научная и научно-методическая конференция физиков высших учебных заведений Грузинской ССР, 11 [Текст] : план работы и тез. докл., Тбилиси, 22 нояб. 1980 г. — Тбилиси, 1980. — С. 82-83. Объем в п.л.: 0,25 п.л.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Диэлектрические свойства сурика Pb3O4 в области низкотемпературного фазового перехода / Аванесян В. Т., Бордовский В. А. // Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / ЛГПИ. — Л., 1980. — С. 36-41.
Полный текст: нет
DOI: нет
Pyroelectric and Thermally stimulated Currents in System PbO-SeO / Bordovskiy G. A., Avanesyan V. T., Bordovskiy V. A., Kozevnicov K. L. ; G. A. Bordovskiy, V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskiy, K. L. Kozevnicov // Ferroelectrics [Тext]. — 1978. — Vol. 18, N 1-3. - P. 109-111.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Temperature dependent anomalies of dielectric properties of naturally disordered photoconductive lead oxides / Izvozchicov V. A., Avanesyan V. T., Bordovskiy V. A., Bordovskiy G. A. ; V. A. Izvozchicov, V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskii, G. A. Bordovskii // Ferroelectrics [Тext]. — 1978. — Vol. 18, N 1-3. - P. 105-108.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
On the problem of ferroelectricity in photoconducting lead oxides [Problem of ferroelectricity in photoconducting lead-oxides] / Izvozchicov V. A., Bordovskii G. A., Avanesyan V. T., Bordovskii V. A. ; V. A. Izvozchicov, G. A. Bordovskii, V. T. Avanesyan, V. A. Bordovskii // Physica Status Solidi (A) : Applied Research [Тext]. — 1978. — Volume 49, issue 2. - P. K173-175.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ Ядро Scopus
Аванесян В. Т. Исследование фотодиэлектрических свойств PbO / Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Извозчиков В. А. // Герценовские чтения, 30. Физическая электроника [Текст] : научные доклады / Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена. — Ленинград, 1977. — С. 60-62.
Полный текст: нет
DOI: нет
О вероятных временах диэлектрической релаксации в PbO / Аванесян В. Т., Ануфриев Ю. П., Бордовский В. А., Голубев Ю. В., Извозчиков В. А. ; В. Т. Аванесян, Ю. П. Ануфриев, В. А. Бордовский, Ю В. Голубев, В. А. Извозчиков // Герценовские чтения, 30. Физическая электроника [Текст] : научные доклады / Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена. — Ленинград, 1977. — С. 58-60.
Полный текст: нет
DOI: нет
Температурная зависимость диэлектрических характеристик керамик окислов свинца в интервале температур 293-1023 К / Аванесян В. Т., Ануфриев Ю. П., Бордовский В. А., Извозчиков В. А., Давыдова И. М. // Фотопроводящие окислы свинца : сборник научных трудов / ЛГПИ. — Ленинград, 1976. — С. 121-127.
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
Аванесян В. Т. Термоиндикаторное антикоррозийное покрытие : патент на изобретение N 2586701 RUS / Аванесян В. Т., Водкайло Е. Г. ; В. Т. Аванесян, Е. Г. Водкайло ; правообладатель Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена.
Полный текст: нет
DOI: нет

Идентификаторы

РИНЦ AuthorID / SPIN-код

179851 /8654-7902

Scopus AuthorID

6602587968

Web of Science ResearcherID

P-3005-2015

ORCID

0000-0001-5772-8375

Google Scholar ID

C7IlhqMAAAAJ

Процентиль по Ядру РИНЦ

Основная рубрика (ГРНТИ) Основная рубрика (OECD) Процентиль по ядру РИНЦ
290000. Физика 103. Physical sciences and astronomy 49

Публикации в журналах ВАК и RSCI*

2025 2024 2023 2022 2021
ВАК (Всего) 0 1 3 0 2
ВАК К1 ** 0 0 2 – –
ВАК К2 ** 0 0 0 – –
ВАК К3 ** 0 1 0 – –
RSCI *** 0 0 1 0 1
* – метка ВАК и RSCI в данном разделе добавлена библиографами ФБ РГПУ в результате сопоставления с Перечнями ВАК соответствующих лет и идентична разметке в разделе "Публикации преподавателя", процесс разметки продолжается
** – о категориях в Перечне ВАК и приравнивании к ним журналов в МНБД
*** – подробнее о RSCI

Показатели на 1 февраля 2025 года

Наименование показателя Количество публикаций Количество цитирований Индекс Хирша
РИНЦ 242 446 9
РИНЦ Ядро 66 231 6
РИНЦ 5 лет **** 16 20 –
РИНЦ Ядро 5 лет **** 9 11 –
РИНЦ ВАК ***** 71 217 –
Scopus 51 117 6
Web of Science 48 96 5
Google Scholar 54 226 8
**** – расчет индекса Хирша для пятилетнего периода в РИНЦ не производится
***** – метка ВАК в РИНЦ присваивается журналу целиком, вне зависимости от фактического года включения издания в перечень ВАК. Индекс Хирша не применяется
Уважаемый преподаватель, если Вы не обнаружили свои публикации или данные о наукометрических показателях, обратитесь, пожалуйста, в фундаментальную библиотеку по почте: https://lib.herzen.spb.ru/p/contacts или по адресу: наб. реки Мойки, д.48, корп.5, комн.9.
В разделах «Публикации преподавателя» и «Наукометрия» потребуется длительное время для разметки данных информацией об индексации в Scopus, Web of Science, РИНЦ и ВАК. Надеемся на ваше понимание и терпение.
Отметка о публикации в журнале из Белого списка научных изданий осуществляется для статей в выпусках журналов, вышедших после 01.09.2024.