Преподаватели
Колобов Александр Владимирович
Должность:
профессор
Ученая степень и звание:
доктор физ.-мат. наук, доцент
Кафедра:
физической электроники
Образование:
ЛЭТИ им.Ульянова (Ленина)
Профессиональные и научные интересы:
Аморфные и стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, оптическая и электронная память на фазопеременных материалах, двумерные полупроводники, использование синхротронного излучения для анализа структуры материалов, расчет свойств материалов из первых принципов.
| Дисциплины, которые ведет преподаватель по основным образовательным программам в 2024/25 учебном году | Форма обучения | Курс | Семестр | ЭУК | Общее кол-во часов |
|---|---|---|---|---|---|
| Модуль "Предметно-содержательный". Основы строения вещества. 44.03.01 Педагогическое образование – Физическое образование (бакалавриат) | очная | 3 | 1 | – | 2 |
| Модуль "Общая и экспериментальная физика". Физика атомного ядра и элементарных частиц. 03.03.02 Физика – Физика конденсированного состояния вещества (бакалавриат) | очная | 3 | 2 | – | 4 |
| Вариативные модули. Физика полупроводников. 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 2 | 1 | ЭУК | 26 |
| Модуль "Организация научных исследований и научный менеджмент". Коммерциализация результатов научной деятельности. 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 2 | 1 | – | 8 |
| Модуль "Организация научных исследований и научный менеджмент". 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 2 | 1 | – | 3 |
| Модуль "Математические методы обобщения и обработки результатов научных исследований". Компьютерное материаловедение. 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 1 | 2 | ЭУК | 26 |
| Модуль "Математические методы обобщения и обработки результатов научных исследований". 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 1 | 2 | – | 3 |
| Практики, которые ведет преподаватель по основным образовательным программам в 2024/25 учебном году | Форма обучения | Курс | Семестр | ЭУК | Общее кол-во часов |
|---|---|---|---|---|---|
| Модуль "Современные проблемы физики и астрономии". Производственная практика (научно-исследовательская работа). 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 1 | 1 | – | 4 |
| Модуль "Теоретическая атомная и молекулярная физика". Производственная практика (научно-исследовательская работа). 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 1 | 2 | – | 8 |
| Модуль "Математические методы обобщения и обработки результатов научных исследований". Учебная практика (научно-исследовательская работа). 03.04.02 Физика – Экспериментальная и теоретическая физика конденсированных сред и сложных систем (магистратура) | очная | 1 | 2 | – | 6 |
| Темы ВКР, которыми руководил преподаватель | Форма обучения | Год |
|---|---|---|
| Кооперативный оптический отклик двухслойной резонансной системы на внешнее воздействие | бакалавриат | 2023 |
| Сравнительный анализ оптических и электрических свойств объемного InSe и двумерных структур на его основе | бакалавриат | 2023 |
| Анализ двумерных гетероструктур AIII BVI путем первопринципных расчетов | магистратура | 2023 |
| Исследование эффекта одноосного сжатия на размерность и топологию связей слоистого GaSe и других материалов группы AIIIBVI | магистратура | 2023 |
| Исследование процессов кристаллизации низкоразмерных полупроводников из аморфной фазы методом спектроскопии рентгеновского поглощения | магистратура | 2022 |
| Исследование структуры аморфной фазы двумерного MoS2 методом первопринципных расчетов | бакалавриат | 2021 |
| Исследование атомной и электронной структуры двумерных халькогенидов (MoTe2 и InGaSe) путём расчетов из первых принципов | бакалавриат | 2021 |
| Исследование релаксационных процессов в аморфном MoTe2 | магистратура | 2021 |
| Спектроскопия рентгеновского поглощения как прямой метод анализа структуры аморфных веществ | бакалавриат | 2020 |
| Экспериментальное исследование оптических и диэлектрических свойств аморфного MoS2 | магистратура | 2020 |
| Повышение квалификации преподавателя | Продолжительность | Год |
|---|---|---|
| Оказание первой помощи пострадавшим на производстве | до 72 час. | 2022 |
| Функциональные халькогенидные полупроводники | 1 месяц | 2021 |
| Профессиональная деятельность преподавателя в условиях смешанного обучения в вузе | 72 час. | 2020 |
| повышение квалификации в рамках дистанционного обучения | 72 час. | 2019 |
| Проектирование и организация учебного процесса в электронной информационно-образовательной среде вуза | до 72 час. | 2018 |
| № п/п | Наименование проекта | Роль в проекте | Источник финансирования | Сроки реализации |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Разработка новых многофункциональных полупроводниковых материалов – аморфных дихалькогенидов переходных металлов – для оптических и телекоммуникационных систем | Руководитель | РФФИ | 2019-2021 |
| 2 | Диэлектрическая спектроскопия легированных переходными металлами нанокристаллических пленок оксидов ванадия – базовых элементов систем оптической памяти | Исполнитель | РФФИ | 2020-2022 |
| 3 | Управление стабильностью аморфной фазы и способностью к фотостимулированной модификации свойств гибридных аморфных халькогенидов путем контроля концентрации неподеленных электронных пар | Руководитель | РФФИ | 2020-2022 |
| 4 | Исследование механизма формирования двумерной кристаллической решетки из трехмерной аморфной фазы халькогенидов как основы для разработки перспективных функциональных устройств наноэлектроники | Руководитель | РФФИ | 2020-2021 |
| 5 | Закономерности изменения физических и химических свойств при переходе от массивных объектов к низкоразмерным и наноразмерным структурам | Исполнитель | Минпросвещения РФ, государственное задание | 2020-2022 |
| 6 | Функциональные материалы на основе низкоразмерных, слоистых и композитных структур | Исполнитель | Министерство просвещения РФ гос. задание | 2023-2025 |
| 7 | Первопринципный дизайн функциональных халькогенидных двумерных полупроводников для устройств нано- и оптоэлектроники, включая гибкую электронику | Руководитель | РНФ Отдельные научные группы (основной) | 2022-2024 |
Уважаемый преподаватель, если Вы не обнаружили свои публикации или данные о наукометрических показателях, обратитесь, пожалуйста, в фундаментальную библиотеку: с помощью специальной формы передачи данных, по почте или по адресу: наб. реки Мойки, д.48, корп.5, комн.9.
| Наименование публикации | Ссылки |
|---|---|
| A remarkable match of optical response in the amorphous-crystalline and zinc blende-rock salt phase pairs of GeTe / Plekhanov E. A., Tchougreeff A. L., Kolobov A. V. // Journal of Physics : Condensed Matter. — 2025. — Volume 37, Issue 9. - Article 095401. — DOI: 10.1088/1361-648X/ad9c09. | |
| Laser-Modified Arsenic Sulfide Vitreous Semiconductor Films: Structural Properties and Photoluminescence Changes / Shuleiko D., Kuzmin E., Pakholchuk P., Budagovsky I., Pepelyaev D., Konstantinova E., Zabotnov S., Kashkarov P. , Kolobov A., Kozyukhin S. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences : Physics. — 2024. — Volume 88, Supplement 3. – P. S428-S432. — DOI: 10.1134/S1062873824709966. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| Гавриков А. А. Контраст оптических свойств кристаллической и аморфной фаз VTe2 : исследование из первых принципов / Гавриков А. А., Кузнецов В. Г., Колобов А. В. // Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024 : тезисы докладов XIII Всероссийской конференции с международным участием, Санкт-Петербург, 16–20 сентября 2024 года. — 2024. — С. 265. Объем в п.л.: 0,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Gavrikov A. A. Band Gap Variation of 2D CdTe Slabs in the Sphalerite Phase and in the Phase with Boundary Chalcogen Atoms / Gavrikov A. A., Kuznetsov V. G., Kolobov A. V. // Semiconductors. — 2024. — Volume 58, N 2. – P. 120-123. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782624020040. — DOI: 10.1134/S1063782624020040. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
|
| Effect of Bi addition on the switching effect and structure of thin Ge2Sb2Te5 films prepared by ion-plasma RF co-sputtering / Tolepov Zh., Prikhodko O., Kolobov A., Ismailova G., Peshaya S., Guseinov N., Mukhametkarimov Y., Kapanov A., Maksimova S. ; Zh. Tolepov, O. Prikhodko, A. Kolobov, G. Ismailova, S. Peshaya, N. Guseinov, Y. Mukhametkarimov, A. Kapanov, S. Maksimova // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2024. — Volume 642. - Article 123167. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309324003442. — DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2024.123167. |
|
| Chemical bonding within AIIIBVI materials under uniaxial compression / Stepanov R. S., Radina A. D., Tantardini C., Kvashnin A. G., Kolobov A. V. ; Stepanov R. S., Radina A. D., Tantardini C., Kvashnin A. G., Kolobov A. V. // Physical Chemistry Chemical Physics. — 2024. — Volume 26, N 31. – P. 20984-20992. — URL: https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/cp/d4cp00937a. — DOI: 10.1039/d4cp00937a. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
DOI:
10.1039/d4cp00937a
|
| Structure and optical properties of amorphous AsS3-WS3 thin films prepared by spin-coating using mixed n-propylamine-based solutions of AsS3 glass and (NH4)2WS4 powder / Durcikova L., Jancalek J., Prikryl J., Mistrik J., Frumarova B., Slang S., Provotorov P., Kolobov A.V., Krbal M. ; Durcikova L., Jancalek J., Prikryl J., Mistrik J., Frumarova B., Slang S., Provotorov P., Kolobov A.V., Krbal M. // Ceramics International. — 2024. — Volume 50, Issue 18, Part A . – Pages 32233-32239. — DOI: 10.1016/j.ceramint.2024.06.031. | |
| Effect of surface states and in-plane deformation on transport properties of charge carriers in bismuth films / Gerega V. A., Suslov A. V., Grabov V. M., Komarov V. A., Kolobov A. V. ; V. A. Gerega, A. V. Suslov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, A. V. Kolobov // Applied Surface Science. — 2024. — Volume 665. – Article 160275. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.160275. | |
| Native Crystal Growth Revealed by a Joint Microscopy–Calorimetry Technique in (GeS2)0.1(Sb2S3)0.9 Thin Amorphous Films: A Critical Role of Internal Stress and Mechanical Defects / Svoboda R., Prikryl J., Provotorov P., Kolobov A. V., Krbal M. ; R. Svoboda, J. Prikryl, P. Provotorov, A. V. Kolobov, M. Krbal // Crystal Growth and Design. — 2024. — Volume 24, Issue 4. - P. 1724-1736. — URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.3c01356. — DOI: 10.1021/acs.cgd.3c01356. Объем в п.л.: 1,625 п.л. |
Полный текст:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.3c01356
|
| Kolobov A. V. A Possible Origin of Glasslike Thermal Conductivity in Phase-Change Memory Crystals / Kolobov A. V. // Physica Status Solidi (B) Basic Research. — 2024. — Volume 261, N 3. - Article 2300514. — DOI: 10.1002/pssb.202300514. | |
| A Complicated Route from Disorder to Order in Antimony–Tellurium Binary Phase Change Materials / Zheng Y., Song W., Song Z., Zhang Y., Xin T., Liu C., Xue Y., Song S., Liu B., Lin X., Kuznetsov V. G., Tupitsyn I. I., Kolobov A. V., Cheng Y. ; Y. Zheng, W. Song, Z. Song, Y. Zhang, T. Xin, C. Liu, Y. Xue, S. Song, B. Liu, X. Lin, V. G. Kuznetsov, I. I. Tupitsyn, A. V. Kolobov, Y. Cheng // Advanced Science. — 2024. — Volume 11, N 9. - Article 2301021. — DOI: 10.1002/advs.202301021. | |
| Гавриков А. А. Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена = Band Gap Variation of 2D CdTe Slabs in the Sphalerite Phase and in the Phase with Boundary Chalcogen Atoms / Гавриков А. А., Кузнецов В. Г., Колобов А. В. // Физика и техника полупроводников. — 2023. — Том 57, N 8. – С. 632-635. — DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56958.5153C. Объем в п.л.: 0,5 п.л. | |
| Structural Transformations and Formation of Microstructures and Nanostructures in Thin Films of Chalcogenide Vitreous Semiconductors / Zabotnov S. V., Kashkarov P. K., Kolobov A. V., Kozyukhin S. A. ; S. V. Zabotnov, P. K. Kashkarov, A. V. Kolobov, S. A. Kozyukhin // Nanobiotechnology Reports. — 2023. — Volume 18, Issue 6. - P. 829-841. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S2635167623600542. — DOI: 10.1134/S2635167623600542. Объем в п.л.: 1,625 п.л. | |
| Kuznetsov V. G. Band Gap Engineering in Ultimately Thin Slabs of CdTe with Different Layer Stackings / Kuznetsov V. G., Gavrikov A. A., Kolobov A. V. // Materials. — 2023. — Volume 16, Issue 23. - Article 7494. — URL: https://www.mdpi.com/1996-1944/16/23/7494. — DOI: 10.3390/ma16237494. |
Полный текст:
https://www.mdpi.com/1996-1944/16/23/7494
DOI:
10.3390/ma16237494
|
| Физика в системе современного образования (ФССО-2023) : материалы XVII Международной конференции, Санкт-Петербург, 27-30 июня 2023 года / ответственные редакторы : Гороховатский Ю. А., Ларченкова Л. А. ; редакционная коллегия : Глазов С. Ю., Грабов В. М., Завестовская И. Н., Калашников Н. П., Колобов А. В., Королев М. Ю., Ляпцев А. В., Морозов А. Н., Назаров А. И., Наумов А. В., Пронин В. П., Пурышева Н. С., Салецкий А. М., Тимофеев Н. А., Усольцев А. П. ; рецензенты : Иванов К. Г., Гавронская Ю. Ю. ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Региональный научный центр РАО в Северо-Западном федеральном округе. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2023. — 819 с. — ISBN 978-5-8064-3419-8. — URL: https://e.lanbook.com/book/387920. — ЭБС Лань.Тираж: 100 экз. Объем в п.л.: 51,1875 п.л. | |
| Effect of molybdenum doping on photoinduced changes of the properties of As3S7 films / Gresko V., Kapustina E., Sergeev M., Veiko V., Krbal M., Provotorov P., Kolobov A., Nesterov S. ; V. Gresko, E. Kapustina, M. Sergeev, V. Veiko, M. Krbal, P. Provotorov, A. Kolobov, S. Nesterov // Journal of Optical Technology. — 2023. — Volume 90, Issue 4. - P. 186-191. — DOI: 10.1364/JOT.90.000186. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| As2S3 Glass Quenched in a Weak Magnetic Field / Kozyukhin S. A., Krbal M., Kohara S., Kononov A. A., Anisimova N. I., Kolobov A.V. ; S. A. Kozyukhin, M. Krbal, S. Kohara, A. A. Kononov, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov // Journal of Surface Investigation. — 2023. — Volume 17, Issue 5. - P. 1162-1167. | |
| Lone-Pair-Enabled Polymorphism and Photostructural Changes in Chalcogenide Glasses / Kolobov A. V., Kuznetsov V. G., Krbal M., Zabotnov S. V. // Materials. — 2023. — Volume 16, Issue 19. - Article 6602. — DOI: 10.3390/ma16196602. | |
| Size effects in the galvanomagnetic and thermoelectric properties of ultrathin bismuth-antimony films = Размерные эффекты в гальваномагнитных и термоэлектрических свойствах сверхтонких пленок растворов висмут-сурьмы / Gerega V. A., Suslov A. V., Komarov V. A., Grabov V. M., Demidov E. V., Stepanov R. S., Rodionov A. V., Kolobov A. V. ; Gerega V. A., Suslov A. V., Komarov V. A., Grabov V. M., Demidov E. V., Stepanov R. S., Rodionov A. V., Kolobov, A. V. // St. Petersburg Polytechnic University Journal: Physics and Mathematics. — 2023. — Volume 16, Issue 1. – P. 9-15. — DOI: 10.18721/JPM.161.101. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| Effect of uniaxial deformation along the trigonal axis on the band structure of bulk bismuth / Gerega Vasilisa, Suslov Anton, Stepanov Roman, Komarov Vladimir, Grabov Vladimir, Kuznetsov Vladimir, Kolobov Alexander ; Gerega Vasilisa, Suslov Anton, Stepanov Roman, Komarov Vladimir, Grabov Vladimir, Kuznetsov Vladimir, Kolobov Alexander // European Physical Journal Plus. — 2023. — Volume 138, Issue 1. - Article 773. — DOI: 10.1140/epjp/s13360-023-04381-8. | |
| Stepanov R. S. Compositional and Structural Disorder in Two-Dimensional AIIIBVI Materials / Stepanov R. S., Marland P. I., Kolobov A. V. // Crystals. — 2023. — Volume 13, Issue 8. - Article 1209. — DOI: 10.3390/cryst13081209. | |
| Self-organized structures in thin films of phase-change material upon femtosecond laser excitation : From periodic ordering to ablation / Kunkel T., Vorobyov Y., Smayev M., Lazarenko P., Kolobov A., Kozyukhin S. ; T. Kunkel, Y. Vorobyov, M. Smayev, P. Lazarenko, A. Kolobov, S. Kozyukhin // Applied Surface Science. — 2023. — Volume 624. - Article 157122. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.157122. | |
| Khinich I. I. Introduction to Nanotechnology : Tutorial : [учебное пособие] = Введение в нанотехнологии / Khinich I. I., Kononov A. A., Kolobov A. V. ; reviewers : M. A. Zelikman, P. I. Lazarenko ; The Herzen State Pedagogical University of Russia . — St. Petersburg : Herzen University Publishing, 2023. — 111 p. — ISBN 978-5-8064-3338-2. — URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=709531. — ЭБС Университетская библиотека онлайн.Тираж: 300 экз. | |
| Amorphous As2S3 Doped with Transition Metals : An Ab Initio Study of Electronic Structure and Magnetic Properties / Kuznetsov V. G., Gavrikov A. A., Krbal M., Trepako V. A., Kolobov A. V. ; V. G. Kuznetsov, A. A. Gavrikov, M. Krbal, V. A. Trepakov, A. V. Kolobov // Nanomaterials. — 2023. — Volume 13, issue 5. - Article 896. — URL: https://www.mdpi.com/2079-4991/13/5/896. — DOI: 10.3390/nano13050896. |
Полный текст:
https://www.mdpi.com/2079-4991/13/5/896
DOI:
10.3390/nano13050896
|
| Structural Transformation of Thin Ge2Sb2Te5 Films Produced by Ion-Plasma Co-Sputtering Under Laser Irradiation = O. Yu. Prikhodko, G. A. Ismailova, A. S. Zhakypov, A. V. Kolobov, K. N. Turmanova, R. R. Nemkaeva, S. Ya. Maksimova, Zh. K. Tolepov, S. L. Peshaya / Prikhodko O. Yu., Ismailova G. A., Zhakypov A. S., Kolobov A. V., Turmanova K. N., Nemkaeva R. R., Maksimova S. Ya., Tolepov Zh. K., Peshaya S. L. // Journal of Electronic Materials. — 2023. — Volume 52, N 4. - P. 2492-2498. — DOI: 10.1007/s11664-022-10204-w. | |
| Uniaxial Pressure-Induced 2D-1D Dimensionality Change in GaSe and Related Materials / Stepanov R., Gerega V., Suslov A., Kolobov A. ; R. Stepanov, V. Gerega, A. Suslov, A. Kolobov // Physica Status Solidi. Rapid Research Letters. — 2023. — Volume 17, Issue 8. - Article 2200430. — DOI: 10.1002/pssr.202200430. | |
| Crystal Growth in Se-Te Chalcogenides : Overview of the Growth/Relaxation/Viscosity Interplay for Bulk Glasses and Thin Films / Svoboda R., Prikryl J., Provotorov P., Kolobov A. V., Krbal M. // Crystal Growth and Design. — 2023. — Volume 23, Issue 1. - P. 216-228. — URL: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.cgd.2c00934. — DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00934. | |
| Anomalous electrical conductivity change in MoS2 during the transition from the amorphous to crystalline phase / Krbal M., Prikryl J., Pis I., Prokop V., Rodriguez Pereira J., Kolobov A.V. ; M. Krbal, J. Prikryl, I. Pis, V. Prokop, J. Rodriguez Pereira, A. V. Kolobov // Ceramics International. — 2023. — Volume 49, N 2. - P. 2619-2625. — DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.09.242. | |
| Optical characteristics of modified As30S70 thin films / Avanesyan V. T., Provotorov P. S., Krbal M., Kolobov A. V. ; V. T. Avanesyan, P. S. Provotorov, M. Krbal, A. V. Kolobov // Physics of Complex Systems. — 2022. — Volume 3, N 3. – P. 137-143. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=49506887. — DOI: 10.33910/2687-153X-2022-3-3-137-143. |
Полный текст:
https://elibrary.ru/item.asp?id=49506887
|
| Гальваномагнитные свойства и термоэдс ультратонких пленок системы висмут--сурьма на подложке из слюды = Galvanomagnetic Properties and Thermoelectric Power of Ultrathin Films of the Bismuth-Antimony System on a Mica Substrate / Герега В. А., Суслов А. В., Комаров В. А., Грабов В. М., Демидов Е. В., Колобов А. В. ; В. А. Герега, А. В. Суслов, В. А. Комаров, В. М. Грабов, Е. В. Демидов, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2022. — Том 56, N 1. – С. 42-47. — DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51810.26. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge28.5Pb14.0Fe1.0S56.5 = Polarization Processes in Thin Layers of Glassy Hybrid System Ge28.5pb14.0fe1.0s56.5 / Кастро Арата Р. А., Грабко Г. И., Кононов А. А., Анисимова Н. И., Крбал М., Колобов А. В. ; Р. А. Кастро Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2022. — Том 56, N 6. – С. 559-565. — DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52589.9843. Объем в п.л.: 0,875 п.л. | |
| Formation of oriented layered MoS2 from amorphous thin film revealed by polarized x-ray absorption spectroscopy / Krbal M., Prikryl J., Prokop V., Pis I., Bondino F., Kolobov A. V. ; Krbal M., Prikryl J., Prokop V., Pis I., Bondino F., Kolobov A. V. // Applied Physics Letters. — 2022. — Volume 121, issue 19. - Article 192105. — DOI: 10.1063/5.0106886. | |
| Non-equilibrium steady states periodically driven by a long-lived coherent phonon in 2H-MoTe2 / Fukuda T., Makino K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Ando A., Mori T., Ishikawa R., Ueno K., Afalla J., Hase M. ; T. Fukuda, K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, A. Ando, T. Mori, R. Ishikawa, K. Ueno, J. Afalla, M. Hase // Optics InfoBase Conference Papers : Proceedings The International Conference on Ultrafast Phenomena (UP), 18-22 July 2022, Montreal, Quebec, Canada. — 2022. — Article Tu4A.7. — DOI: 10.1364/UP.2022.Tu4A.7. | |
| Next-gen approach to the combined micro/macro-scopic measurements of crystal growth in chalcogenide thin films : The case of Se90Te10 / Svoboda R., Prikryl J., Provotorov P., Kolobov A. V., Krbal M. ; Svoboda R., Prikryl J., Provotorov P., Kolobov A. V., Krbal M. // Journal of Alloys and Compounds. — 2022. — Volume 923. - Article 166389. — DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.166389. | |
| On the Galvanomagnetic Properties and Thermoelectric Power of Ultrathin Films of the Bismuth-Antimony System on a Mica Substrate / Gerega V. A., Suslov A. V., Komarov V. A., Grabov V. M., Demidov E. V., Kolobov A. V. ; Gerega V. A., Suslov A. V., Komarov V. A., Grabov V. M., Demidov E. V., Kolobov A. V. // Semiconductors. — 2022. — Volume 56, Issue 5. - P. 310-316. | |
| The Effect of Transition Metals on the Dielectric Properties of Diamond-Like Silicon-Carbon Films / Popov A. I., Barinov A. D., Emets V. M., Arta R. A. Kastro, Kolobov A. V., Kononov A. A., Ovcharov A. V., Chukanova T. S., Kolobov A.V ; A. I. Popov, A. D. Barinov, V. M. Emets, R. A. Kastro Arta, A. V. Kolobov, A. A. Kononov, A. V. Ovcharov, T. S. Chukanova // Physics of the Solid State. — 2022. — Volume 64, Issue 2. - P. 85-93. — URL: https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783422010164. — DOI: 10.1134/S1063783422010164. Объем в п.л.: 1,125 п.л. | |
| The structure and optical properties of amorphous thin films along the As40S60 - MoS3 tie-line prepared by spin-coating / Krbal M., Prokop V., Cervinka V., Slang S., Frumarova B., Mistrik J., Provotorov P., Vlcek M., Kolobov A.V. ; M. Krbal, V. Prokop, V. Cervinka, S. Slang, B. Frumarova, J. Mistrik, P. Provotorov, M. Vlcek, A. V. Kolobov // Materials Research Bulletin. — 2022. — Volume 153. - Article 111871. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002554082200143X?via%3Dihub#!. — DOI: 10.1016/j.materresbull.2022.111871. | |
| Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+ x / Krbal M., Prokop V., Prikryl J., Pereira J.R., Pis I., Kolobov A.V., Fons P.J., Saito Y., Hatayama S., Sutou Y. ; M. Krbal, V. Prokop, J. Prikryl, J. R. Pereira, Igor Pis, A. V. Kolobov, P. J. Fons, Y. Saito, Shogo Hatayama, Y. Sutou // Crystal Growth and Design. — 2022. — Volume 22, Issue 5. - P. 3072-3079. — DOI: 10.1021/acs.cgd.1c01504. | |
| Preparation of Sb2Se3-based ceramics and glass-ceramics from native thin films deposited on Kapton foil / Svoboda R., Prikryl J., Kolobov A. V., Krbal M. ; R. Svoboda, J. Prikryl, A. V. Kolobov, M. Krbal // Ceramics International. — 2022. — Volume 48, Issue 12. - P. 17065-17075. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0272884222006903?via%3Dihub. — DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.02.262. | |
| The formation of a one-dimensional van der Waals selenium crystal from the three-dimensional amorphous phase : A spectroscopic signature of van der Waals bonding / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Saito Y., Belev G., Kasap S. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, G. Belev, S. Kasap // Applied Physics Letters. — 2022. — Volume 120, Issue 3. - Article 033103. — DOI: 10.1063/5.0080133. | |
| Effect of doping of molybdenum on the optical properties of glasses of the As-S system / Provotorov P. S., Avanesyan V. T., Krbal M., Kolobov A. V. ; P. S. Provotorov, V. T. Avanesyan, M. Krbal, A. V. Kolobov // Physics of Complex Systems. — 2021. — Volume 2, N 3. – P. 115-121. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46529591. — DOI: 10.33910/2687-153X-2021-2-3-115-121. |
Полный текст:
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46529591
|
| Влияние переходных металлов на диэлектрические свойства алмазоподобных кремний-углеродных пленок = Effect of Transition Metals on the Dielectric Properties of Diamond-Like Silicon-Carbon Films / Герега В. А., Суслов А. В., Комаров В. А., Грабов В. М., Демидов Е. В., Колобов А. В. ; А. И. Попов, А. Д. Баринов, В. М. Емец, Р. А. Кастро Арата, А. В. Колобов, А. А. Кононов, А. В. Овчаров, Т. С. Чуканова // Физика твердого тела. — 2021. — Том 63, N 11. – С. 1844-1851. — DOI: 10.21883/FTT.2021.11.51586.132. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge28.5Pb14.5Fe0.5S56.5 = Charge Transfer in Thin Layers of Glassy Ge28.5pb14.5fe0.5s56.5 / Кастро Р. А., Грабко Г. И., Кононов А. А., Анисимова Н. И., Крбал М., Колобов А. Б. ; Р. А. Кастро-Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Том 55, N 5. – С. 450-454. — DOI: 10.21883/FTP.2021.05.50836.9578. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| Crystal Growth in Amorphous Selenium Thin Films-Reviewed and Revisited : Direct Comparison of Microscopic and Calorimetric Measurements / Svoboda R., Prikryl J., Cicmancova V., Prokop V., Kolobov A. V., Krbal M. ; R. Svoboda, J. Prikryl, V. Cicmancova, V. Prokop, A. V. Kolobov, M. Krbal // Crystal Growth and Design. — 2021. — Volume 21, N 12. - P. 7087-7097. — URL: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.cgd.1c00984. — DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00984. Объем в п.л.: 1,375 п.л. | |
| Диэлектрическая спектроскопия соединений сильнокоррелированных элементов : учебное пособие / Кастро Р. А., Ильинский А. В., Пашкевич М. Э., Попова И. О., Шадрин Е. Б. ; Р. А. Кастро, А. В. Ильинский, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин ; рецензенты : Ю. А. Гороховатский, А. В. Колобов ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург : ООО "Форма-принт", 2021. — 55 с. — ISBN 978-5-9031-8760-7.Тираж: 100 экз. Объем в п.л.: 3,437 п.л. | |
| Polymorphism of CdTe in the Few-Monolayer Limit / Kolobov A. V., Kuznetsov V. G., Fons P., Saito Y., Elets D. I., Hyot B. ; A. V. Kolobov, V. G. Kuznetsov, P. Fons, Y. Saito, D. I. Elets, B. Hyot // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2021. — Article 2100358. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.202100358. — DOI: 10.1002/pssr.202100358. | |
| Amorphous-to-Crystal Transition in Quasi-Two-Dimensional MoS2 : Implications for 2D Electronic Devices / Krbal M., Prokop V., Kononov A. A., Pereira J. R., Mistrik J., Kolobov A. V., Fons P. J., Saito Y., Hatayama S., Shuang Y., Sutou Y., Rozhkov S. A., Stellhorn J. R., Hayakawa S., Pis I., Bondino F. ; M. Krbal, V. Prokop, A. A. Kononov, J. R. Pereira, J. Mistrik, A. V. Kolobov, P. J. Fons, Y. Saito, S. Hatayama, Y. Shuang, Y. Sutou, S. A. Rozhkov, J. R. Stellhorn, S. Hayakawa, I. Pis, F. Bondino // ACS Applied Nano Materials. — 2021. — Volume 4, N 9. - P. 8834-8844. — URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsanm.1c01504. — DOI: 10.1021/acsanm.1c01504. Объем в п.л.: 1,375 п.л. | |
| Understanding the Low Resistivity of the Amorphous Phase of Cr2Ge2Te6 Phase-Change Material : Experimental Evidence for the Key Role of Cr Clusters / Hatayama S., Kobayashi K., Saito Y., Fons P., Shuang Y., Mori S., Kolobov A. V., Sutou Y. ; Hatayama S., Kobayashi K., Saito Y., Fons P., Shuang Y., Mori S., Kolobov A. V., Sutou Y. // Physical Review Materials. — 2021. — Volume 5, Issue 8. - Article 085601. — DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.085601. | |
| Recent developments concerning the sputter growth of chalcogenide-based layered phase-change materials / Saito Y., Morota M., Makino K., Tominaga J., Kolobov A. V. ; Y. Saito, M. Morota, K. Makino, J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons // Materials Science in Semiconductor Processing. — 2021. — Volume 135. - Article 106079. — DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106079. | |
| Электрорадиотехнологии (лабораторный практикум) : учебно-методическое пособие = А. А. Кононов, И. О. Попова, А. П. Смирнов, В. В. Маслов, А. В. Колобов ; рецензенты : В. Т. Аванесян, И. И. Хинич ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена / Кононов А. А., Попова И. О., Смирнов А. П., Маслов В. В., Колобов А. В. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2021. — Часть 1. - 72 с. — ISBN 978-5-8064-3019-0. — 978-5-8064-3017-6 (Ч. 1). — URL: https://e.lanbook.com/book/252692. — ЭБС Лань.Тираж: 35 экз. Объем в п.л.: 4,5 п.л. | |
| Электрорадиотехнологии (лабораторный практикум) : учебно-методическое пособие = А. А. Кононов, И. О. Попова, С. В. Федичкин, А. В. Колобов, Р. А. Кастро ; рецензенты : В. Т. Аванесян, И. И. Хинич ; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена / Кононов А. А., Попова И. О., Федичкин С. В., Колобов А. В., Кастро Р. А. — Санкт-Петербург : Издательство Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена, 2021. — Часть 2. - 68 с. — ISBN 978-5-8064-3019-0. — 978-5-8064-3018-3 (Ч. 2). — URL: https://e.lanbook.com/book/252695. — ЭБС Лань.Тираж: 35 экз. Объем в п.л.: 4,25 п.л. | |
| Dielectric relaxation in amorphous and crystalline Sb2Te3 thin films / Kononov A. A., Castro R. A., Saito Y., Fons P., Bordovsky G. A., Anisimova N. I., Kolobov A. V. ; A. A. Kononov, R. A. Castro, Y. Saito, P. Fons, G. A. Bordovsky, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov // Journal of Materials Science : Materials in Electronics. — 2021. — Volume 32, Issue 10. - P. 14072-14078. — URL: https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10854-021-05986-4. — DOI: 10.1007/s10854-021-05986-4. | |
| Crystallization of Ge2Sb2Te5 under high hydrostatic pressures : Differences in nanoscale atomic ordering in as-deposited and pressure-induced amorphous phases / Krbal M., Kolobov A. V., Hanfland M., Fons P. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, M. Hanfland, P. Fons // Journal of Alloys and Compounds. — 2021. — Volume 874. - Article 159980. — DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.159980. | |
| On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists / Nesterov S. I., Boyko M. E., Krbal M., Kolobov A. V. ; S. I.Nesterov, M. E. Boyko, M. Krbal, A. V. Kolobov // Journal of Non-Crystalline Solids . — 2021. — Volume 563. - Article 120816. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309321001757. — DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2021.120816. | |
| Evolution of the local structure surrounding nitrogen atoms upon the amorphous to crystalline phase transition in nitrogen-doped Cr2Ge2Te6 phase-change material / Shuang Y., Hatayama S., Saito Y., Fons P., Kolobov A.V., Ando D., Sutou Y. ; Y.Shuang, S. Hatayama, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, D,Ando, Y. Sutou // Applied Surface Science. — 2021. — Volume 556. - Article 149760. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433221008369?via%3Dihub. — DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149760. | |
| Dimensional transformation of chemical bonding during crystallization in a layered chalcogenide material / Saito Y., Hatayama S., Shuang Y., Fons P., Kolobov A. V., Sutou Y. ; Y. Saito, S. Hatayama, Y. Shuang, P. Fons, A. V. Kolobov, Y. Sutou // Scientific Reports. — 2021. — Volume 11, issue 1. - Article 4782. — URL: https://www.nature.com/articles/s41598-020-80301-5. — DOI: 10.1038/s41598-020-80301-5. | |
| Kolobov A. V. Crystalline Sb2Te3 : Side Surfaces and Disappearance of Dirac Cones / Kolobov A. V., Fons P., Saito Y. // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. — 2021. — Volume 15, Issue 3. - Article 2000418. — DOI: 10.1002/pssr.202000418. | |
| Fons P. Electric Fields and Interfacial Phase-Change Memory Structures / Fons P., Kolobov A. V., Saito Y. // Physica Status Solidi – Rapid Research Letters. — 2021. — Volume 15, Issue 3. - Article 2000412. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.202000412. — DOI: 10.1002/pssr.202000412. | |
| Chalcogenide Materials Engineering for Phase-Change Memory and Future Electronics Applications : From Sb–Te to Bi–Te / Saito Y., Mitrofanov K. V., Makino K., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Uesugi F., Takeguchi M. ; Y. Saito, K. V. Mitrofanov, K. Makino, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, F. Uesugi, M. Takeguchi // Physica Status Solidi – Rapid Research Letters. — 2021. — Volume 15, Issue 3. - Article 2000414. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.202000414. — DOI: 10.1002/pssr.202000414. | |
| Kolobov A. V. Preface by volume editors / Kolobov A. V., Shimakawa K. — (Materials and Energy Series, 15) // The World Scientific Reference of Amorphous Materials : Structure, Properties, Modeling and Main Applications (In 3 Volumes). — 2020. — Volume 1 : Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides. - P. vii-viii. — URL: https://www.worldscientific.com/doi/suppl/10.1142/11697-vol1/suppl_file/11697-vol1_preface02.pdf. Объем в п.л.: 0,25 п.л. | |
| Fons P. Phase-change alloys : Structural aspects / Fons P., Kolobov A. V. — (Materials and Energy Series, 15) // The World Scientific Reference of Amorphous Materials : Structure, Properties, Modeling and Main Applications. — 2020. — Volume 1 : Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides. - P. 323-339. — DOI: 10.1142/9789811215575_00010. Объем в п.л.: 2,125 п.л. | |
| Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS2, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления / Кононов А. А., Кастро Р. А., Главная Д. Д., Стожаров В. М., Долгинцев Д. М., Сайто Ю., Фонс П., Анисимова Н. И., Колобов А. В. ; А. А. Кононов, Р. А. Кастро Арата, Д. Д. Главная, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, Ю. Сайто, П. Фонс, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Том 54, N 5. - С. 461-465. — DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49262.9345. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления / Кастро Р. А., Стожаров В. М., Долгинцев Д. М., Кононов А. А., Сайто Ю., Фонс П., Томинага Дж., Анисимова Н. И., Колобов А. В. ; Р. А. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Дж. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Том 54, N 2. - С. 149-152. — DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48895.9287. Объем в п.л.: 0,5 п.л. | |
| Low-frequency dielectric relaxation in amorphous MoTe2layers obtained by RF magnetron sputtering / Castro R., Khachaturov S., Kononov A., Saito Y., Fons P., Anisimova N., Kolobov A. ; R. Castro, S. Khachaturov, A. Kononov, Y. Saito, P Fons, N. Anisimova, A. Kolobov // AIP Conference Proceedings : International conference "Physics of dielectrics", XV, Saint Petersburg, October 5-8, 2020. — 2020. — Volume 2308. - Article 060006. — DOI: 10.1063/5.0033533. | |
| Dielectric relaxation in the GeSb2Te4phase-change material / Kononov A., Saito Y., Fons P., Tominaga J., Anisimova N., Kolobov A. ; A. Kononov, Y. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. Anisimova, A. Kolobov // AIP Conference Proceedings : International conference "Physics of dielectrics", XV, Saint Petersburg, October 5-8, 2020. — 2020. — Volume 2308. - Article 060003. — DOI: 10.1063/5.0033358. | |
| The importance of contacts in Cu2GeTe3phase change memory devices / Shindo S., Shuang Y., Hatayama S., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Kobayashi K. ; S. Shindo, Y. Shuang, S. Hatayama, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, K. Kobayashi // Journal of Applied Physics. — 2020. — Volume 128, N 16. - Article 165105. — URL: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0019269. — DOI: 10.1063/5.0019269. | |
| Kolobov A. V. A word of salutation by the Editor-in-chief / Kolobov A. V. // Physics of Complex Systems. — 2020. — Volume 1, N 1. - P. 3. — URL: https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/13. Объем в п.л.: 0,125 п.л. | |
| Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS2 Thin Films / Kononov A. A., Castro R. A., Glavnaya D. D., Anisimova N. I., Bordovsky G. A., Kolobov A. V., Saito Y., Fons P. ; A. A. Kononov, R. A. Castro, D. D. Glavnaya, N. I. Anisimova, G. A. Bordovsky, A. V. Kolobov, Y. Saito, P. Fons // Physica Status Solidi (B) Basic Research. — 2020. — Article 2000114. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.202000114. — DOI: 10.1002/pssb.202000114. | |
| Structural Metastability in Chalcogenide Semiconductors : The Role of Chemical Bonding / Kolobov A.V., Saito Y., Fons P., Krbal M. ; A. V. Kolobov, Y. Saito, P. Fons, M. Krbal // Physica Status Solidi (B) Basic Research. — 2020. — Volume 257, issue 11. - Article 2000138. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/pssb.202000138. — DOI: 10.1002/pssb.202000138. | |
| High-quality sputter-grown layered chalcogenide films for phase change memory applications and beyond / Saito Y., Fons P. , Kolobov A. V., Mitrofanov K. V., Makino K., Tominaga J., Hatayama S., Sutou Y., Hase M., Robertson J. ; Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, K. V. Mitrofanov, K. Makino, J. Tominaga, S. Hatayama, Y. Sutou , M. Hase, J. Robertson // Journal of Physics D : Applied Physics. — 2020. — Volume 53, issue 28. - Article 284002. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43105311. — DOI: 10.1088/1361-6463/ab850b. | |
| Effects of electric and magnetic fields on the resistive switching operation of iPCM / Kolobov A., Mitrofanov K., Saito Y., Miyata N., Fons P., Tominaga J. ; A. Kolobov, K. Mitrofanov, Y. Saito, N. Miyata, P. Fons, J. Tominaga ; Herzen State Pedagogical University of Russia, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology of Japan // Applied Physics Letters. — New York, 2020. — Volume 116, Issue 20. – Article 201903. — URL: https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.5135608. — DOI: 10.1063/1.5135608. | |
| Direct observation of amorphous to crystalline phase transitions in Ge-Sb-Te thin films by grazing incidence X-ray diffraction method / Kozyukhin S. A., Nikolaev I. I., Lazarenko P. I., Valkovskiy G. A., Konovalov O., Kolobov A. V., Grigoryeva N. A. ; S. A. Kozyukhin, I. I. Nikolaev, P. I. Lazarenko, G. A. Valkovskiy, O. Konovalov, A. V. Kolobov, N. A. Grigoryeva // Journal of Materials Science : Materials in Electronics. — Springer Publ., 2020. — Vol. 31, Issue 13. - P. 10196-10206. — DOI: 10.1007/s10854-020-03565-7. | |
| Dynamics of long-lifetime coherent phonon in MoTe2 / Makino K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Ueno K., Hase M. ; K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, K. Ueno, M. Hase // Optics InfoBase Conference Papers : abstracts of the JSAP-OSA Joint Symposia, 18-21 September 2019, Hokkaido, Japan. — Hokkaido, The Optical Society, 2020. — Part F146. - Paper 20p_E214_14. — URL: https://www.osapublishing.org/abstract.cfm?uri=JSAP-2019-20p_E214_14. |
DOI: нет
|
| Polarization Processes in Thin Layers of Amorphous MoS2 Obtained by RF Magnetron Sputtering / Kononov A. A., Castro R. A., Glavnaya D. D., Stozharov V. M., Dolginsev D. M., Saito Y., Fons P., Anisimova N. I., Kolobov A. V. ; A. A. Kononov, R. A. Castro-Arata, D. D. Glavnaya, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, Y. Saito, P. Fons, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov // Semiconductors. — 2020. — Volume 54, issue 5. - P. 558-562. — DOI: 10.1134/S1063782620050073. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| Ultrafast dynamics of the low frequency shear phonon in 1T'- MoTe2 / Fukuda T., Makino K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Ueno K., Hase M. ; T. Fukuda, K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A.V. Kolobov, K. Ueno, M. Hase // Applied Physics Letters. — 2020. — Volume 116, issue 9. - Article 093103. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42592617. — DOI: 10.1063/1.5143485. |
Полный текст:
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42592617
DOI:
10.1063/1.5143485
|
| Structural and Dielectric Study of Thin Amorphous Layers of the Ge-Sb-Te System Prepared by RF Magnetron Sputtering / Castro R. A., Stozharov V. M., Dolginsev D. M., Kononov A. A., Saito Y., Fons P., Tominaga J., Anisimova N. I., Kolobov A. V. ; R. A. Castro-Arata, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, A. A. Kononov, Y. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov // Semiconductors. — 2020. — Volume 54, Issue 2. - P. 201-204. — DOI: 10.1134/S106378262002013X. Объем в п.л.: 0,5 п.л. | |
| Dielectric relaxation and photo-electromotive force in Ge-Sb-Te/Si Structures / Castro R. A., Goryaev M. A., Kononov A. A., Saito Y., Fons P., Tominaga J., Anisimova N. I., Kolobov A. V. ; R. A. Castro-Arata, M. A. Goryaev, A. A. Kononov, Y. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov // Photoptics 2020 : proceedings of the 8th International conference on photonics, optics and laser technology, Valletta, February 27-29, 2020 years. — Setubal, 2020. — P. 146-150. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42467019. — DOI: 10.5220/0009154201460150. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст:
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42467019
|
| Фотоэлектрические свойства структур Ge2Sb2Te5/Si = Photoelectrical properties of Ge2Sb2Te5/Si structures / Горяев М. А., Кастро Р. А., Кононов А. А., Анисимова Н. И., Колобов А. В. ; М. А. Горяев, Р. А. Кастро, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов // Международная конференция по фотонике и информационной оптике, 9 : сборник научных трудов, Москва, 29-31 января 2020 года / Государственная корпорация по атомной энергии «РОСАТОМ», Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». — Москва, 2020. — С. 427-428. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42564307. Объем в п.л.: 0,25 п.л. | |
| Remote epitaxy using graphene enables growth of stress-free GaN / Journot T., Okuno H., Mollard N., Michon A., Dagher R., Gergaud P., Dijon J., Kolobov A. V., Hyot B. ; T. Journot, H. Okuno, N. Mollard, A. Michon, R. Dagher, P. Gergaud, J. Dijon, A. V. Kolobov, B. Hyot // Nanotechnology. — 2019. — Volume 30, Issue 50. - Article 505603. — DOI: 10.1088/1361-6528/ab4501. | |
| Chalcogenide van der Waals superlattices : a case example of interfacial phase-change memory / Saito Y., Fons P. , Mitrofanov K. V., Makino K., Tominaga J., Robertson J., Kolobov A. V. ; Y. Saito, P. Fons, K. V. Mitrofanov, K. Makino, J. Tominaga, J. Robertson, A. V. Kolobov // Pure and Applied Chemistry. — 2019. — Volume 91, Issue 11. - P. 1777-1786. — URL: https://www.degruyter.com/view/journals/pac/91/11/article-p1777.xml. — DOI: 10.1515/pac-2019-0105. | |
| Dielectric study of PCM chalcogenide system GeSb2Te4 / Kononov A. A., Castro R. A., Anisimova N. I., Saito J. , Tominaga J., Kolobov A. V. ; A. A. Kononov, R. A. Castro, N. I. Anisimova, J. Saito, J. Tominaga, A. V. Kolobov // E\PCOS 2019 : European Phase-Change and Ovonic Symposium, Grenoble, September 8-10, 2019. — Grenoble, 2019. — P. 193-194. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Cr-Triggered Local Structural Change in Cr2Ge2Te6 Phase Change Material / Hatayama S., Shuang Y., Fons P., Saito Y., Kolobov A. V., Kobayashi K., Shindo S., Ando D., Sutou Y. ; S. Hatayama, Y. Shuang, P. Fons, Y. Saito, A.V. Kolobov, K. Kobayashi, S. Shindo, D. Ando, Y. Sutou // ACS Applied Materials and Interfaces [Text]. — 2019. — Vol. 11, Iss. 46. - P. 43320-43329. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41689156. — DOI: 10.1021/acsami.9b11535. | |
| Switching of the Optical Properties of Ge2Sb2Te5 Phase Change Material in the Terahertz Frequency Region / Makino K., Kato K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Nakano T., Nakajima M. ; K. Makino, K. Kato, Y. Saito, P. Fons, A.V. Kolobov, J. Tominaga, T. Nakano, M. Nakajima // IRMMW-THz 2019 : International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 44th, Paris, France, 1-6 September, 2019. — 2019. — Article no. 8873769. — DOI: 10.1109/IRMMW-THz.2019.8873769. | |
| Photon energy dependence of Kerr rotation in GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices / Suzuki T., Mondal R., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Shigekawa H., Hase M. ; T. Suzuki, R. Mondal, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, H. Shigekawa, M. Hase // Journal of Physics-Condensed Matter [Text]. — 2019. — Volume 31, issue 41. - Article 415502. — DOI: 10.1088/1361-648X/ab2e9f. | |
| Terahertz spectroscopic characterization of Ge2Sb2Te5 phase change materials for photonics applications / Makino K., Kato K., Saito Y., Fons P., Kolobov A., Tominaga J., Nakano T., Nakajima M. ; K. Makino, K. Kato, Y. Saito, P. Fons, A. Kolobov, J. Tominaga, T. Nakano, M. Nakajima // Journal of Materials Chemistry C [Text]. — 2019. — Volume 7, Issue 27. - P. 8209-8215. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41612767. Объем в п.л.: 0,875 п.л. | |
| Кононов А. А. Исследование оптических свойств тонких слоев пленок в ходе научно-исследовательской практики / Кононов А. А., Кастро Р. А., Колобов А. В. // Физика в системе современного образования (ФССО-2019) : сборник научных трудов XV Международной конференции, Санкт-Петербург, 3-6 июня 2019 года / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2019. — Том 1. - С. 392-396. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42746182. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| Колобов А. В. О роли первопринципных расчетов в понимании физических процессов / Колобов А. В., Марко Бернаскони // Физика в системе современного образования (ФССО-2019) : сборник научных трудов XV Международной конференции, Санкт-Петербург, 3-6 июня 2019 года / Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2019. — Том 1. - С. 78-82. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42746161. Объем в п.л.: 0,625 п.л. | |
| High-Speed Bipolar Switching of Sputtered Ge-Te/Sb-Te Superlattice iPCM with Enhanced Cyclability / Mitrofanov K. V., Saito Y., Miyata N., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J. ; K. V. Mitrofanov, Y. Saito, N. Miyata, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters [Text]. — 2019. — Volume 13, issue 8. - Article 1900105. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/pssr.201900105. — DOI: 10.1002/pssr.201900105. | |
| Systematic materials design for phase-change memory with small density changes for high-endurance non-volatile memory applications / Saito Y., Hatayama S., Shuang Y., Shindo S., Fons P., Kolobov A. V., Kobayashi K., Sutou Y. ; Y. Saito, S. Hatayama, Y. Shuang, S. Shindo, P. Fons, A. V. Kolobov, K. Kobayashi, Y. Sutou // Applied physics express [Text]. — 2019. — Volume 12, N 5. - Article 051008. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38748971. — DOI: 10.7567/1882-0786/ab1301. | |
| Investigation of the oxidation process in GeTe-based phase change alloy using Ge K-edge XANES spectroscopy / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Nitta K., Uruga T., Tominaga J. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, K. Nitta, T. Uruga, J. Tominaga // Pure and Applied Chemistry. — 2019. — Volume 91, issue 11. - P. 1769-1775. — URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38689516. — DOI: 10.1515/pac-2018-1229. Объем в п.л.: 0,875 п.л. | |
| Origin of resistivity contrast in interfacial phase-change memory : The crucial role of Ge/Sb intermixing / Saito Y., Kolobov A. V., Fons P., Mitrofanov K. V., Makino K., Tominaga J., Robertson J. ; Y. Saito, A. V. Kolobov, P. Fons, K. V. Mitrofanov, K. Makino, J. Tominaga, J. Robertson // Applied Physics Letters [Text]. — 2019. — Volume 114, issue 13. - N 132102. — URL: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5088068. — DOI: 10.1063/1.5088068. | |
| Terahertz generation measurements of multilayered GeTe-Sb2Te3 phase change materials / Makino K., Kato K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Nakano T., Nakajima M. ; K. Makino, K. Kato, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, T. Nakano, M. Nakajima // Optics Letters [Text]. — 2019. — Volume 44, Issue 6. - P. 1355-1358. — DOI: 10.1364/OL.44.001355. Объем в п.л.: 0,5 п.л. | |
| Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature / Mitrofanov K. V., Saito Y., Miyata N., Fons P. , Kolobov A. V., Tominaga J. ; K.V. Mitrofanov, Y. Saito, N. Miyata, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2018. — Volume 57, Issue 4. - P. 04FE06. — URL: https://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.04FE06/meta. | |
| A cascading nonlinear magneto-optical effect in topological insulators / Mondal R., Saito Y., Aihara Y., Fons P. , Kolobov A. V., Tominaga J., Murakami S., Hase M. ; R. Mondal, Y. Saito, Y. Aihara, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, S. Murakami, M. Hase // Scientific Reports [Text]. — 2018. — Volume 8. Issue 1. - P. 3908. — URL: https://www.nature.com/articles/s41598-018-22196-x.pdf. |
Полный текст:
https://www.nature.com/articles/s41598-018-22196-x.pdf
DOI: нет
|
| Topological Phase Buried in a Chalcogenide Superlattice Monitored by Helicity-Dependent Kerr Measurement / Mondal R., Aihara Y., Saito Y., Fons P. , Kolobov A. V., Tominaga J., M. Hase ; R. Mondal, Y. Aihara, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, M. Hase // ACS Applied Materials & Interfaces [Text]. — 2018. — Volume 10, Issue 31. - P. 26781-26786. — URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.8b07974. — DOI: 10.1021/acsami.8b07974. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| Understanding the fast phase-change mechanism of tetrahedrally bonded Cu2GeTe3 : Comprehensive analyses of electronic structure and transport phenomena / Kobayashi K., Skelton J. M. , Saito Y., Shindo S., Kobata M., Fons P., Kolobov A. V., Elliott S., Ando D. , Suto Y. ; K. Kobayashi, J. M. Skelton, Y. Saito, S. Shindo, M. Kobata, P. Fons, A. V. Kolobov, S. Elliott, D. Ando, Y. Suto // Physical Review B [Text]. — 2018. — Volume 97, Issue 19. - P. 195105. — URL: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.97.195105. — DOI: 10.1103/PhysRevB.97.195105. | |
| Coherent Dirac plasmons in topological insulators / Mondal R., Arai A., Saito Y., Fons P. , Kolobov A. V., Tominaga J., M. Hase ; R. Mondal, A. Arai, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, M. Hase // Physical Review B [Text]. — 2018. — Volume 97, Issue 14. - P. 144306. — URL: https://link.aps.org/accepted/10.1103/PhysRevB.97.144306. — DOI: 10.1103/PhysRevB.97.144306. | |
| Reconfiguration of van der Waals gaps as the key to switching in GeTe/Sb2Te3 superlattices / Kolobov A. V., Fons P. , Saito Y., Tominaga J. ; A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, J. Tominaga // MRS Advances [Text]. — 2018. — Volume 3, Issue 57-58. - P. 3413-3418. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=38758837. — DOI: 10.1557/adv.2018.444. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст:
https://elibrary.ru/item.asp?id=38758837
DOI:
10.1557/adv.2018.444
|
| All-optical detection of periodic structure of chalcogenide superlattice using coherent folded acoustic phonons / Suzuki T., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Hase M. ; T. Suzuki, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, M. Hase // Physica Status Solidi. Rapid Research Letters [Text]. — 2018. — Volume 12, Issue 9. - P. 1800246. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/am-pdf/10.1002/pssr.201800246. — DOI: 10.1002/pssr.201800246. | |
| Zener Tunneling Breakdown in Phase-Change Materials Revealed by Intense Terahertz Pulses / Sanari Y., Tachizaki T., Saito Y., Makino K., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Tanaka K., Kanemitsu Y., Hase M., Hirori H. ; Y. Sanari, T. Tachizaki, Y. Saito, K. Makino, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, K. Tanaka, Y. Kanemitsu, M. Hase, H. Hirori // Physical Review Letters [Text]. — 2018. — Volume 121, Issue 16. - P. 165702. — URL: https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.121.165702. — DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.165702. | |
| Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Structures Based on Ge2Sb2Te5 Chalcogenide System = Диэлектрическая релаксация и перенос заряда в структурах на основе халькогенидной системы Ge2Sb2Te5 / Castro R. A., Kononov A. A., Saito Y. , Tominaga J., Kolobov A. V. ; R.A. Castro, A. A. Kononov, Y. Saito, J. Tominaga, A. V. Kolobov // Университетский научный журнал [Текст]. — 2017. — N 35. - С. 32-39. — URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=41221781. Объем в п.л.: 1,0 п.л. | |
| Kolobov A. V. Phase-Change Memory Materials / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials [Text]. — Gewerbestrasse, 2017. — P. 1149-1162. | |
| Kolobov A. V. Insights into the physics and chemistry of chalcogenides obtained from x-ray absorption spectroscopy / Kolobov A. V., Fons P. // Semiconductor Science and Technology [Text]. — 2017. — Volume 32, Issue 12. - P. 123003. — URL: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aa9170. — DOI: 10.1088/1361-6641/aa9170. | |
| Detection of N-Te bonds in the as-deposited amorphous nitrogen-doped GeTe-based phase change alloys using N K-edge XANES spectroscopy and their impact on crystallization / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Mitrofanov K., Tamenori Y., Hyot B., Andre B., Tominaga J. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, K. Mitrofanov, Y. Tamenori, B. Hyot, B. Andre, J. Tominaga // Journal of Alloys and Compounds. — 2017. — Volume 704. - P. 254-259. — URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838817303894?via%3Dihub. — DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.01.322. Объем в п.л.: 0,75 п.л. | |
| Pressure-Induced Phase Transitions in GeTe-Rich Ge-Sb-Te Alloys across the rhombohedral-to-cubic transitions / Krbal M., Bartak J., Kolar J., Prytuliak A., Kolobov A. V., Fons P., Bezacier L., Hanfland M., Tominaga J. ; M. Krbal, J. Bartak, J. Kolar, A. Prytuliak, A. V. Kolobov, P. Fons, L. Bezacier, M. Hanfland, J. Tominaga // Inorganic Chemistry [Text]. — 2017. — Volume 56, Issue 14. - P. 7687-7693. — URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.inorgchem.7b00163. — DOI: 10.1021/acs.inorgchem.7b00163. Объем в п.л.: 0,875 п.л. | |
| Manipulating the bulk band structure of artificially constructed van der Waals chelcogenide heterostructure / Saito Y., Makino K., Fons P., Kolobov A. V., Tomibaga J. ; Y. Saito, K. Makino, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tomibaga // ACS Applied Materials & Interfaces [Text]. — 2017. — Volume 9, Issue 28. - P. 23918-23925. — URL: https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.7b04450. — DOI: 10.1021/acsami.7b04450. | |
| Enhancement of coherent phonon amplitude in phase-change materials by near-infrared laser irradiation / Suzuki T., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J. ; T. Suzuki, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Applied Physics Letters [Text]. — 2017. — Volume 111, Issue 11. - P. 112101. — URL: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5003346. — DOI: 10.1063/1.5003346. | |
| Electronic structure of transition-metal based Cu2GeTe3 phase-change materials : revealing the key role of Cu d-electrons / Saito Y., Sutou Y., Fons P., Shindo S., Kozina X., Skelton J. M., Kolobov A. V., Kobayashi K. ; Y. Saito, Y. Sutou, P. Fons, S. Shindo, X. Kozina, J. M. Skelton, A. V. Kolobov, K. Kobayashi // Chemistry of Materials [Text]. — 2017. — Volume 29, Issue 17. - P. 7440-7449. — URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemmater.7b02436. — DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b02436. Объем в п.л.: 1,25 п.л. | |
| Compositional tuning in sputter-grown highly-oriented Bi-Te films and their optical and electronic structures / Saito Y., Fons P., Makino K., Mitrofanov K. M., Uesugi F., Takeguchi M., Kolobov A. V., Tominaga J. ; Y. Saito, P. Fons, K. Makino, K. M. Mitrofanov, F. Uesugi, M. Takeguchi, A. V. Kolobov, J. Tominaga, // Nanoscale [Text]. — 2017. — Volume 9, Issue 39. - P. 15115-15121. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| A magnetoresistance induced by a nonzero Berry phase in GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices / Tominaga J., Saito Y., Mitrofanov K. , Inoue N., Fons P., Kolobov A. V. , Nakaura H., Miyata N. ; J. Tominaga, Y. Saito, K. Mitrofanov, N. Inoue, P. Fons, A. V. Kolobov, H. Nakaura, N. Miyata, // Advanced Functional Materials [Text]. — 2017. — Volume 27, Issue 40. - P. 1702243. — URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/am-pdf/10.1002/adfm.201702243. |
DOI: нет
|
| Strain engineering of atomic and electronic structures of few-monolayer-thick GaN / Kolobov A. V., Fons P., Saito Y., Tominaga J., Hyot B., Andre B. ; A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, J. Tominaga, B. Hyot, B. Andre // Physical Review Letters [Text]. — 2017. — Volume 1, Issue 2. - P. 024003. — URL: https://journals.aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.1.024003. — DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.1.024003. | |
| Atomic reconfiguration of van der Waals gaps as the key to switching in GeTe/Sb2Te3 superlattices / Kolobov A. V., Fons P., Saito Y., Tominaga J. ; A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, J. Tominaga // ACS Omega [Text]. — 2017. — Volume 2, Issue 9. - P. 6223-6232. — URL: https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsomega.7b00812. — DOI: 10.1021/acsomega.7b00812. Объем в п.л.: 1,25 п.л. | |
| Local structure of the crystalline and amorphous states of Ga2 Te3 phase-change alloy without resonant bonding : A combined x-ray absorption and ab initio study / Kolobov A. V., Fons P., Mitrofanov K., Tominaga J., Krbal M., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, K. Mitrofanov, J. Tominaga, M. Krbal, T. Uruga // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2017. — Volume 95, Issue 5. - P. 054114. — URL: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.95.054114. — DOI: 10.1103/PhysRevB.95.054114. | |
| Kolobov A. V. Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides : [коллективная монография] / Kolobov A. V., Tominaga J. — б.м. : Springer, 2016. — Volume 239. - 538 p. — (Springer Series in Materials Science). — ISBN 978-3-319-31449-5. — URL: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2F978-3-319-31450-1.pdf.Тираж: Тираж не обозначен экз. Объем в п.л.: 33,625 п.л. |
DOI: нет
|
| Anisotropic lattice response induced by a linearly-polarized femtosecond optical pulse excitation in interfacial phase change memory material / Makino K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Nakano T., Tominaga J., Hase M. ; K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Nakano, J. Tominaga, M. Hase // Scientific Reports [Text]. — 2016. — Volume 6 - P. 19758. — DOI: 10.1038/srep19758 . | |
| Sub-nanometre resolution of atomic motion during electronic excitation in phase-change materials / Mitrofanov K., Fons P., Makino K., Terashima R., Shimada T., Kolobov A. V., Tominaga J., Bragaglia V., Giussani A., Calarco R., Riechert H., Sato T., Katayama Te., Ogawa K., Togashi T., Yabashi M., Wall S., Brewe D., Hase M. ; K. Mitrofanov, P. Fons, K. Makino, R. Terashima, T. Shimada, A. V. Kolobov, J. Tominaga, V. Bragaglia, A. Giussani, R. Calarco, H. Riechert, T. Sato, Te. Katayama, K. Ogawa, T. Togashi, M. Yabashi, S. Wall, D. Brewe, M. Hase // Scientific Reports [Text]. — 2016. — Volume 6, Issue 1. - P. 20633. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| A two-step process for growth of highly oriented Sb2Te3 using sputtering / Saito Y., Fons P., Bolotov L., Miyata N., Kolobov A. V., Tominaga J. ; Y. Saito, P. Fons, L. Bolotov, N. Miyata, A. V. Kolobov, J. Tominaga // AIP Advances [Text]. — 2016. — Volume 6, Issue 4. - P. 045220. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Instability and spontaneous reconstruction of few-monolayer thick GaN graphitic structures / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Hyot B., Andre B. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, B. Hyot, B. Andre // Nano Letters [Text]. — 2016. — Volume 16, Issue 8. - P. 4849-4856. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Electronic excitation-induced semiconductor-to-metal transition in monolayer MoTe2 / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Physical Review B [Text]. — 2016. — Volume 94, Issue 9. - P. 094114. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. From 3D to 2D : Fabrication Methods / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 79-107. Объем в п.л.: 3,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Chemistry of Chalcogenides and Transition Metals / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 7-27. Объем в п.л.: 2,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Emerging Applications of 2D TMDCs / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 473-512. Объем в п.л.: 5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. TMDC heterostructures / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 447-471. Объем в п.л.: 3,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Exciton / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 321-363. Объем в п.л.: 5,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Bulk TMDCs : Review of Structure and Properties / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 29-77. Объем в п.л.: 6,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Raman Scattering of 2D TMDCs / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 227-294. Объем в п.л.: 8,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Structure and Physico-Chemical Properties of Single Layer and Few-Layer TMDCs / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2016. — Volume 239. - P. 109-163. Объем в п.л.: 6,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Electronic excitation-induced semiconductor-to-metal transition in monolayer MoTe2 / Kolobov A. V. , Fons P., Tominaga J. // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2016. — Volume 94, Issue 9. - P. 094114. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Structure of Ge quantum dots and nanocrystals / Kolobov A. V. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2015. — Volume 190. - P. 203-222. Объем в п.л.: 2,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Stabilization of combustion wave through the competitive endothermic reaction / Gubernov V. V., Kolobov A. V., Polezhaev A. A., Brindley J., Sidhu H. S., Mcintosh A. ; V. V. Gubernov, A. V. Kolobov, A. A. Polezhaev, J. Brindley, H. S. Sidhu, A. Mcintosh // Proceedings of The Royal Society A : Mathematical Physical and Engineering Sciences [Text]. — 2015. — Volume 471, Issue 2180. - P. 20150293. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Extracorporal rat cecum mesothelium desiccation-induced by CO2 insufflation : is there a clinical sense of this adhesion formation model? / Eliseeva M. Y., Simakov S. S., Benhidjeb T., Mynbaev O. A., Kolobov A. V. ; M. Y. Eliseeva, S. S. Simakov, T. Benhidjeb, O. A. Mynbaev, A. V. Kolobov // Colloids and Surfaces B : Biointerfaces [Text]. — 2015. — Volume 128. - P. 620-621. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Giant multiferroic effects in topological GeTe-Sb2Te3 superlattices / Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P., Wang X., Saito Y., Nakano T., Hase M., Murakami S., Herfort J., Takagaki Y. ; J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons, X. Wang, Y. Saito, T. Nakano, M. Hase, S. Murakami, J. Herfort, Y. Takagaki // Science and Technology of Advanced Materials [Text]. — 2015. — Volume 16, Issue 1. - P. 014402. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of epitaxial GeTe and Ge2Sb2Te5 films grown on InAs and Si substrates with (100) and (111) orientations: An x-ray absorption near-edge structure study / Kolobov A. V. , Fons P., Krbal M., Tominaga J., Giussani A., Perumal K., Riechert H., Calarco R., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, M. Krbal, J. Tominaga, A. Giussani, K. Perumal, H. Riechert, R. Calarco, T. Uruga // Journal of Applied Physics [Text]. — 2015. — Volume 117, Issue 12. - P. 125308. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Understanding Phase-Change Memory Alloys from a Chemical Perspective / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Scientific Reports [Text]. — 2015. — Volume 5, Issue 1. - P. 13698. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Self-organized van der Waals epitaxy of layered chalcogenide structures / Saito Y., Fons P., Kolobov A. V. , Tominaga J. ; Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2015. — Volume 250, Issue 10. - P. 2151-2158. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Femtosecond structural transformation of phase-change materials far from equilibrium monitored by coherent phonons / Hase M., Fons P., Mitrofanov K., Kolobov A. V. ; M. Hase, P. Fons, K. Mitrofanov, A. V. Kolobov // Nature Communications [Text]. — 2015. — Volume 6, Issue 1. - P. 8367. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Coherent gigahertz phonons in Ge2Sb2Te5 phase-change materials / Hase M., Fons P., Kolobov A. V. , Tominaga J. ; M. Hase, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Journal of Physics : Condensed Matter [Text]. — 2015. — Volume 27, Issue 48. - P. 485402. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Group IV Quantum Dots and Nanoparticles / Kolobov A. V. // Springer Series in Optical Sciences [Text]. — 2015. — Volume 190. - P. 203-222. Объем в п.л.: 2,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| The effect of depletion of radicals on freely propagating hydrocarbon flames / Gubernov V. V., Kolobov A. V., Minaev S. S., Babushok V. I. ; V. V. Gubernov, A. V. Kolobov, S. S. Minaev, V. I. Babushok // Journal of Mathematical Chemistry [Text]. — 2015. — Volume 53, Issue 10. - P. 2137-2154. Объем в п.л.: 2,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Ferroelectric order control of the Dirac-semimetal phase in GeTe-Sb2Te3 superlattices / Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P., Nakano T., Murakami S. ; J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons, T. Nakano, S. Murakami // Advanced Materials Interfaces [Text]. — 2014. — Volume 1. Issue 1. - P. 1300027. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Ge L3-edge x-ray absorption near-edge structure study of structural changes accompanying conductivity drift in the amorphous phase of Ge2Sb2Te5 / Mitrofanov K. V., Kolobov A. V. , Fons P., Wang X., Tominaga J., Tamenori Y., Uruga T., Ciocchini N., Ielmini D. ; K. V. Mitrofanov, A. V. Kolobov, P. Fons, X. Wang, J. Tominaga, Y. Tamenori, T. Uruga, N. Ciocchini, D. Ielmini // Journal of Applied Physics. — 2014. — Volume 115. Issue 17. - P. 173501. — DOI: 10.1063/1.4874415. | |
| Ferroelectric switching in epitaxial GeTe films / Kolobov A. V., Kim D. J., Giussani A., Fons P., Tominaga J., Calarco R., Gruverman A. ; A. V. Kolobov, D. J. Kim, A. Giussani, P. Fons, J. Tominaga, R. Calarco, A. Gruverman // APL Materials [Text]. — 2014. — Volume 2. Issue 6. - P. 066101. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Coherent phonon study of (GeTe) l (Sb2Te3) m interfacial phase change memory materials / Makino K., Saito Y., Fons P., Kolobov A. V., Nakano T., Tominaga J., Hase M. ; K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Nakano, J. Tominaga, M. Hase // Applied Physics Letters [Text]. — 2014. — Volume 105, Issue 15. - P. 151902. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Study of band inversion in the PbxSn1-xTe class of topological crystalline insulators using x-ray absorption spectroscopy / Mitrofanov K. V., Kolobov A. V., Fons P., Krbal M. , Tominaga J., Uruga T. ; K. V. Mitrofanov, A. V. Kolobov, P. Fons, M. Krbal, J. Tominaga, T. Uruga // Journal of Physics : Condensed Matter [Text]. — 2014. — Volume 26, Issue 47. - P. 475502. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Laser-driven switching dynamics in phase change materials investigated by time-resolved X-ray absorption spectroscopy / Boschker J. E., Wang R. N. , Bragaglia V., Fons P., Giussani A., Le Guyader L., Beye M., Radu I., Kolobov A. V., Holldack K., Calarco R. ; J. E. Boschker, R. N. Wang, V. Bragaglia, P. Fons, A. Giussani, L. Le Guyader, M. Beye, I. Radu, A. V. Kolobov, K. Holldack, R. Calarco // Phase Transitions [Text]. — 2014. — Volume 88, Issue 1. - P. 82-89. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Лазерно-индуцированная структурно-фазовая модификация стеклообразных материалов / Вейко В. П., Агеев Э. И., Колобов А. В., Томинага Д. ; В. П. Вейко, Э. И. Агеев, А. В. Колобов, Д. Томинага // Известия высших учебных заведений. Приборостроение [Текст]. — 2014. — Т 57, N 6. - С. 7-31. Объем в п.л.: 3,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Reversible Laser-Induced Transformations in Chalcogenide- and Silicate-Based Optical Materials / Kolobov A. V., Tominaga J., Veiko V. P. // Springer Series in Materials Science [Text]. — 2014. — Volume 195. - P. 223-246. Объем в п.л.: 3,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Mirror-symmetric Magneto-optical Kerr Rotation using Visible Light in [(GeTe)2(Sb2Te3)1]n Topological Superlattices / Bang D., Awano H., Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P., Saito Y., Makino K., Nakano T., Hase M., Takagaki Y., Giussani A., Calarco R., Murakami S. ; D. Bang, H. Awano, J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, K. Makino, T. Nakano, M. Hase, Y. Takagaki, A. Giussani, R. Calarco, S. Murakami // Scientific Reports [Text]. — 2014. — Volume 4. - P. 5727. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Excitation-Assisted Disordering of GeTe and Related Solids with Resonant Bonding / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Hase M. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, M. Hase // Journal of Physical Chemistry C [Text]. — 2014. — Volume 118. Issue 19. - P. 10248. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Ab-initio calculations and structural studies of (SiTe)2(Sb2Te3)n (n: 1, 2, 4 and 6) phase-change superlattice films / Saito Y., Tominaga J., Fons P., Kolobov A. V., Nakano T. ; Y. Saito, J. Tominaga, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Nakano // Physica Status Solidi. Rapid Research Letters [Text]. — 2014. — Volume 8, Issue 4. - P. 302-306. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Picosecond strain dynamics in Ge2Sb2Te5 monitored by time-resolved x-ray diffraction / Fons P., Mitrofanov K. V., Kolobov A. V., Tominaga J., Rodenbach P., Giussani A., Calarco R., Hanke M., Riechert H., Shayduk R., Simpson R. E., Hase M. ; P. Fons, K. V. Mitrofanov, A. V. Kolobov, J. Tominaga, P. Rodenbach, A. Giussani, R. Calarco, M. Hanke, H. Riechert, R. Shayduk, R. E. Simpson, M. Hase // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2014. — Volume 90, Issue 9. - P. 094305. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of the SnTe topological crystalline insulator : Rhombohedral distortions emerging from the rocksalt phase / Mitrofanov K. V., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Krbal M., Shintani T., Uruga T. ; K. V. Mitrofanov, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, M. Krbal, T. Shintani, T. Uruga // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2014. — Volume 90, Issue 13. - P. 134101. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Athermal amorphization of crystallized chalcogenide glasses and phase-change alloys / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2014. — Volume 251, Issue 7. - P. 1297-1308. Объем в п.л.: 1,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Popescu M. Amorphous and Nanostructured Chalcogenides / Popescu M., Kolobov A. V. // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2014. — Volume 251, Issue 7. - P. 1295-1296. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Location of P and As dopants and p-type doping of ZnO / Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Hyot B., Andre B. ; P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, B. Hyot, B. Andre // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials [Text]. — 2014. — Volume 16, Issue 1-2. - P. 1-5. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Doping of ZnO nanowires using phosphorus diffusion from a spin-on doped glass source / Bocheux A., Robin I. C., Bonaime J., Hyot B., Feuillet G., Kolobov A. V., Mitrofanov K. V., Fons P., Tominaga J., Tamenori Y. ; A. Bocheux, I. C. Robin, J. Bonaime, B. Hyot, G. Feuillet, A. V. Kolobov, K. V. Mitrofanov, P. Fons, J. Tominaga, Y. Tamenori // Journal of Applied Physics [Text]. — 2014. — Volume 115, Issue 19. - P. 194302. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Hard x-ray photoelectron spectroscopy study of Ge2Sb2Te5; as-deposited amorphous, crystalline, and laser-reamorphized / Richter J. H., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Ueda S., Yoshikawa H., Yamashita Y., Ishimaru S., Kobayashi K. ; J. H. Richter, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, S. Ueda, H. Yoshikawa, Y. Yamashita, S. Ishimaru, K. Kobayashi // Applied Physics Letters [Text]. — 2014. — Volume 104, Issue 6. - P. 061909. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Ultrafast optical manipulation of atomic motion in multilayer Ge-Sb-Te phase change materials / Makino K., Hase M., Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P. ; K. Makino, M. Hase, J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons // International Conference on Ultrafast Phenomena, XVIII [Текст] : The European Physical Journal Web of Conferences, July 08-13, 2012, Lausanne. — Lausanne, 2013. — P. 03007. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Nanometer Resolution XANES Imaging of in situ switched individual PC-RAM devices / Richter J. H., Kolobov A. V., Fons P., Wang X., Mitrofanov K. V., Tominaga J., Osawa H., Suzuki M. ; J. H. Richter, A. V. Kolobov, P. Fons, X. Wang, K. V. Mitrofanov, J. Tominaga, H. Osawa, M. Suzuki // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 01-05, 2013, San Francisco. — San Francisco, 2013. — P. 1-5. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Vacancy-mediated three-center four-electron bonds in GeTe-Sb2Te3 phase-change memory alloys / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Ovshinsky S. R. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, S. R. Ovshinsky // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2013. — Volume 87, Issue 16. - P. 165206. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Local instability of p-type bonding makes amorphous GeTe a lone-pair semiconductor / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2013. — Volume 87, Issue 15. - P. 155204. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Laser-induced phase-structure changes (PSC) in glass-like materials / Veiko V., Ageev E., Kolobov A. V., Tominaga J. ; V. Veiko, E. Ageev, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials [Text]. — 2013. — Volume 15, Issue 5-6. - P. 371-394. Объем в п.л.: 3,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Selective detection of tetrahedral units in amorphous GeTe-based phase change alloys using Ge L3-edge x-ray absorption near-edge structure spectroscopy / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Mitrofanov K. V., Tamenori Y., Hegedus J., Elliott S. R. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, K. V. Mitrofanov, Y. Tamenori, J. Hegedus, S. R. Elliott // Applied Physics Letters [Text]. — 2013. — Volume 102, Issue 11. - P. 111904. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Amorphous phase of GeTe-based phase-change memory alloys : Polyvalency of Ge-Te bonding and polyamorphism / Kolobov A. V., Fons P., Krbal M., Tominaga J. ; A. V. Kolobov, P. Fons, M. Krbal, J. Tominaga // Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science [Text]. — 2012. — Volume 109, Issue 6. - P. 1031-1035. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Epitaxial phase-change materials / Rodenbach P., Calarco R., Perumal K., Katmis F., Hanke M., Proessdorf A., Braun W., Giussani A., Trampert A., Riechert H., Fons P., Kolobov A. V. ; P. Rodenbach, R. Calarco, K. Perumal, F. Katmis, M. Hanke, A. Proessdorf, W. Braun, A. Giussani, A. Trampert, H. Riechert, P. Fons, A. V. Kolobov // Physica Status Solidi. Rapid Research Letters [Text]. — 2012. — Volume 6, Issue 11. - P. 415-417. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Comment on “New Structural Picture of the Ge2Sb2Te5 Phase-Change Alloy” / Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Kohara S., Takata M., Matsunaga T., Yamada N., Bokoch S. ; P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, S. Kohara, M. Takata, T. Matsunaga, N. Yamada, S. Bokoch // Physical Review Letters [Text]. — 2012. — Volume 108. - P. 239603. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Crystalline GeTe-based phase-change alloys : Disorder in order / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Elliott S. R., Hegedus J., Guissani A., Perumal K., Calarco R., Matsunaga T., Yamada N., Nitta K., Uruga T. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, S. R. Elliott, J. Hegedus, A. Guissani, K. Perumal, R. Calarco, T. Matsunaga, N. Yamada, K. Nitta, T. Uruga // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2012. — Volume 86, Issue 4. - P. 045212. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| A reconsideration of the thermodynamics of phase - change switching / Tominaga J., Wang X., Kolobov A. V., Fons P. ; J. Tominaga, X. Wang, A. V. Kolobov, P. Fons // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2012. — Volume 249, Issue 10. - P. 1932-1938. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Disorder in order : a study of local and global order in Ge-rich Ge-Sb-Te alloys / Fons P., Kolobov A. V., Krbal M., Tominaga J., Matsunaga T., Yamada N. ; P. Fons, A. V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga, T. Matsunaga, N. Yamada // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2012. — Volume 249, Issue 10. - P. 1919-1924. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. p-Type conductivity of GeTe : The role of lone-pair electrons / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2012. — Volume 212, Issue 249. - P. 1902. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Polarization dependent optical control of atomic arrangement in multilayer Ge-Sb-Te phase change materials / Makino K., Hase M., Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P. ; K. Makino, M. Hase, J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons // Applied Physics Letters [Text]. — 2012. — Volume 101, Issue 23. - P. 232101. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Recrystallization of an amorphized epitaxial phase-change alloy : A phoenix arising from the ashes / Rodenbach P., Giussani A., Perumal K., Hanke M., Dubslaff M., Riechert H., Calarco R., Burghammer M., Kolobov A. V., Fons P. ; P. Rodenbach, A. Giussani, K. Perumal, M. Hanke, M. Dubslaff, H. Riechert, R. Calarco, M. Burghammer, A. V. Kolobov, P. Fons // Applied Physics Letters [Text]. — 2012. — Volume 101. Issue 6. - P. 061903. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of nitrogen in N-doped amorphous and crystalline GeTe / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Tamenori Y., Hyot B., Andre B., Yoshikawa H., Kobayashi K. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, Y. Tamenori, B. Hyot, B. Andre, H. Yoshikawa, K. Kobayashi // Applied Physics Letters [Text]. — 2012. — Volume 100, Issue 6. - P. 061910. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Enhanced crystallization of GeTe from an Sb2Te3 template / Simpson R. E., Fons P., Kolobov A. V., Krbal M., Tominaga J. ; R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga // Applied Physics Letters [Text]. — 2012. — Volume 100, Issue 2. - P. 021911. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Bond-Selective Excitation and Following Displacement of Ge Atoms in GeTe/Sb2Te3 Superlattice / Makino K., Hase M., Tominaga J., Kolobov A. V., Fons P. ; K. Makino, M. Hase, J. Tominaga, A. V. Kolobov, P. Fons // Acta Physica Polonica A [Text]. — 2012. — Volume 121, Issue 2. - P. 336-339. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Athermal component of amorphisation in phase-change alloys and chalcogenide glasses / Kolobov A. V., Fons P., Krbal M., Tominaga J. ; A. V. Kolobov, P. Fons, M. Krbal, J. Tominaga // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 2012. — Volume 358, Issue 17. - P. 2398-2401. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Nanometer Resolution XANES Imaging of Individual PC-RAM Devices / Richter J. H., Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Wang X., Mitrofanov K. V., Simpson R. E., Tominaga J., Osawa H., Suzuki M. ; J. H. Richter, M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, X. Wang, K. V. Mitrofanov, R. E. Simpson, J. Tominaga, H. Osawa, M. Suzuki // MRS Spring Meetings [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 09-13, 2012, San Francisco. — San Francisco, 2012. — P. 26-30. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy / Kolobov A. V., Krbal M., Fons P., Tominaga J., Uruga T. ; A. V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga // Nature Chemistry [Text]. — 2011. — Volume 4, Issue 4. - P. 311-316. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Interfacial phase-change memory / Simpson R. E., Fons P., Kolobov A. V., Fukaya T., Krbal M., Tominaga J., Yagi T. ; R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, M. Krbal, J. Tominaga, T. Yagi // Nature Nanotechnology [Text]. — 2011. — Volume 6, Issue 8. - P. 501-505. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local atomic order of crystalline Ge8Sb2Te11 across the ferroelectric to paraelectric transition : The role of vacancies and static disorder / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Simpson R. E., Tominaga J., Matsunaga T., Yamada N. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, R. E. Simpson, J. Tominaga, T. Matsunaga, N. Yamada // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. [Text]. — 2011. — Volume 84, Issue 10. - P. 104106. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Intrinsic complexity of the melt-quenched amorphous Ge2Sb2Te5 memory alloy / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Uruga T., Elliott S. R., Hegedus J. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga, S. R. Elliott, J. Hegedus // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2011. — Volume 83, Issue 5. - P. 054203. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Pressure-induced structural transitions in phase-change materials based on Ge-free Sb-Te alloys / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Haines J., Pradel A., Ribes M., Piarristeguy A. A., Levelut C., Le Parc R., Agafonov V., Hanfland M. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, A. A. Piarristeguy, C. Levelut, R. Le Parc, V. Agafonov, M. Hanfland // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2011. — Volume 83, Issue 2. - P. 024105. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| The order-disorder transition in GeTe : Views from different length-scales / Matsunaga T., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Yamada N. ; T. Matsunaga, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, N. Yamada // Applied Physics Letters [Text]. — 2011. — Volume 99, Issue 23. - P. 231907. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Electrical-field induced giant magnetoresistivity in (non-magnetic) phase change films / Tominaga J., Simpson R. E., Fons P., Kolobov A. V. ; J. Tominaga, R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov // Applied Physics Letters [Text]. — 2011. — Volume 99, Issue 15. - P. 152105. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Effect of doping on global and local order in crystalline GeTe / Biquard X., Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Simpson R. E., Hyot B., Andr B., Tominaga J., Uruga T. ; X. Biquard, M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, R. E. Simpson, B. Hyot, B. Andr, J. Tominaga, T. Uruga // Applied Physics Letters [Text]. — 2011. — Volume 98, Issue 23. - P. 231907. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Amorphous InSb : Longer bonds yet higher density / Krbal M., Kolobov A. V., Hyot B., Andre B., Fons P., Simpson R. E., Uruga T., Tanida H., Tominaga J. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, B. Hyot, B. Andre, P. Fons, R. E. Simpson, T. Uruga, H. Tanida, J. Tominaga // Advanced Materials Interfaces [Text]. — 2010. — Volume 108. Issue 2. - P. 023506. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| The role of vacancies in the pressure amorphisation phenomenon observed in Ge-Sb-Te phase change alloys / Krbal M., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Haines J., Pradel A., Ribes M., Levelut C., Le Parc R., Hanfland M. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 05-09, 2010, San Francisco. — San Francisco, 2010. — P. 80-86. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Stress Limited Scaling of Ge2Sb2Te5 / Simpson R. E., Krbal M., Fons P. J., Kolobov A. V., Tominaga J., Uruga T., Tanida H. ; R. E. Simpson, M. Krbal, P. J. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, T. Uruga, H. Tanida // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 05-09, 2010, San Francisco. — San Francisco, 2010. — P. 13-18. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| The first principle computer simulation and real device characteristics of superlattice phase-change memory / Tominaga J., Simpson R., Fons P., Kolobov A. V. ; J. Tominaga, R. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov // Technical Digest [Текст] : International Electron Devices Meeting, December 06-08, 2010, San Francisco. — San Francisco, 2010. — P. 5703412. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoassisted amorphization of the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / Fons P., Kolobov A. V., Fukaya T., Tominaga J., Osawa H., Suzuki M., Uruga T., Kawamura N., Tanida H. ; P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, J. Tominaga, H. Osawa, M. Suzuki, T. Uruga, N. Kawamura, H. Tanida // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2010. — Volume 82, Issue 4. - P. 041203. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Phase transition in crystalline GeTe : Pitfalls of averaging effects / Fons P., Kolobov A. V., Krbal M., Tominaga J., Uruga T., Andrikopoulos K. S., Yannopoulos S. N., Voyiatzis G. A. ; P. Fons, A. V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga, T. Uruga, K. S. Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, G. A. Voyiatzis // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2010. — Volume 82, Issue 15. - P. 155209. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Toward the Ultimate Limit of Phase Change in Ge2Sb2Te5 / Simpson R. E., Krbal M., Fons P., Kolobov A. V. , Tominaga J. , Uruga T., Tanida H. ; R. E. Simpson, M. Krbal, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, T. Uruga, H. Tanida // Nano Letters [Text]. — 2010. — Volume 10, Issue 2. - P. 414-419. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Non-melting super-resolution near-field apertures in Sb-Te alloys / Simpson R. E., Fons P. , Wang X. , Kolobov A. V. , Fukaya T. , Tominaga J. ; R. E. Simpson, P. Fons, X. Wang, A. V. Kolobov, T. Fukaya, J. Tominaga // Applied Physics Letters [Text]. — 2010. — Volume 97, Issue 16. - P. 161906-3. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Crystallization of Bi doped Sb8Te2 / Simpson R., Fons P., Kolobov A. V., Kuwahara M., Tominaga J. ; R. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, M. Kuwahara, J. Tominaga // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2009. — Volume 48. Issue 3. - P. 03A062–03A062. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Epitaxy of Ge-Sb-Te phase-change memory alloys / Braun W., Shayduk R., Flissikowski T., Ramsteiner M., Grahn H. T., Riechert H., Fons P., Kolobov A. V. ; W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, M. Ramsteiner, H. T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, A. V. Kolobov // Applied Physics Letters [Text]. — 2009. — Volume 94. Issue 4. - P. 041902. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Initial structure memory of pressure-induced changes in the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / Krbal M., Kolobov A. V., Haines J., Fons P., Levelut C., Le Parc R., Hanfland M., Tominaga J., Pradel A., Ribes M. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, J. Haines, P. Fons, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland, J. Tominaga, A. Pradel, M. Ribes // Physical Review Letters [Text]. — 2009. — Volume 103, Issue 11. - P. 115502. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Local structure of amorphous Ge-Sb-Te alloys : Ge umbrella flip vs. DFT simulations / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2009. — Volume 246, Issue 8. - P. 1826-1830. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| What is the origin of activation energy in phase-change film? / Tominaga J., Shima T., Fons P., Simpson R. E., Kuwahara M., Kolobov A. V. ; J. Tominaga, T. Shima, P. Fons, R. E. Simpson, M. Kuwahara, A. Kolobov // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2009. — Volume 48, Issue 3. - P. 03A053. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Liquid Ge2 Sb2 Te5 studied by extended x-ray absorption / Kolobov A. V., Fons P., Krbal M., Simpson R. E., Tominaga J., Uruga T., Tanida H., Hosokawa S. ; A. V. Kolobov, P. Fons, M. Krbal, R. E. Simpson, J. Tominaga, T. Uruga, H. Tanida, S. Hosokawa // Applied Physics Letters [Text]. — 2009. — Volume 95, Issue 24. - P. 241902. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Epitaxial phase change materials: growth and switching of Ge 2Sb2Te5 on GASB(001) / Braun W., Shayduk R., Flissikowski T., Grahn H. T., Riechert H., Fons P., Kolobov A. V. ; W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, H. T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, A. V. Kolobov // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 14-17, 2009, San Francisco. — San Francisco, 2009. — P. 177-183. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Behaviour of combustion waves in one-step and two-step models / Sharples J. J., Sidhu H. S., Towers I. N., Gubernov V. V., Kolobov A. V., Polezhaev A. A. ; J. J. Sharples, H. S. Sidhu, I. N. Towers, V. V. Gubernov, A. V. Kolobov, A. A. Polezhaev // Interfacing modelling and simulation with mathematical and computational sciences [Текст] : 18th IMACS World Congress MODSIM09 Proceedings, July 13-17, 2009, Cairns. — Cairns, 2009. — P. 4453-4459. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Large Optical Transitions in Rewritable Digital Versatile Discs: An Interlayer Atomic Zipper in a SbTe Alloy / Tominaga J., Fons P., Shima T., Kuwahara M., Suzuki O., Kolobov A. V. ; J. Tominaga, P. Fons, T. Shima, M. Kuwahara, O. Suzuki, A. V. Kolobov // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, March 24-28, 2008, San Francisco. — San Francisco, 2008. — P. 72-80. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Changes in electronic structure and chemical bonding upon crystallization of the phase change material GeSb2Te4 / Klein A., Spath B., Dieker H., Steimer C., Wuttig M., Kolobov A. V. ; A. Klein, B. Spath, H. Dieker, C. Steimer, M. Wuttig, P. Fons, A. V. Kolobov // Physical Review Letters [Text]. — 2008. — Volume 100, Issue 1. - P. 016402. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Information storage : Around the phase-change cycle / Kolobov A. V. // Nature Materials [Text]. — 2008. — Volume 7, Issue 5. - P. 351-353. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Role of Ge Switch in Phase Transition : Approach using Atomically Controlled GeTe/Sb2Te3 Superlattice / Tominaga J., Fons P., Kolobov A. V., Shima T., Zhao R., Lee H. K., Chong T. C., Shi L. ; J. Tominaga, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Shima, R. Zhao, H. K. Lee, T. C. Chong, L. Shi // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2008. — Volume 47, Issue 7. - P. 5763-5766. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Temperature independence of pressure-induced amorphization of the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / Krbal M., Kolobov A. V., Haines J., Pradel A., Ribes M., Fons P., Tominaga J., Levelut C., Le Parc R., Hanfland M. ; M. Krbal, A. V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland // Applied Physics Letters [Text]. — 2008. — Volume 93, Issue 3. - P. 031918. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Formation Mechanism of Ge Nanocrystals Embedded in SiO2 Studied by Fluorescence X-Ray Absorption Fine Structure / Yan W., Li Z., Sun Z., Wei S., Kolobov A. V. ; W. Yan, Z. Li, Z. Sun, S. Wei, A. V. Kolobov // AIP Conference Proceedings [Тext] : International Conference, July 09-14, 2006, Stanford. — Stanford, 2007. — P. 802-805. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| X-ray fluorescence holographic study on a single-crystal thin film of a rewritable optical media / Hosokawa S., Ozaki T., Hayashi K., Happo N., Horii K., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J. ; S. Hosokawa, T. Ozaki, K. Hayashi, N. Happo, K. Horii, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Synchrotron Radiation Instrumentation [Текст] : International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation, 28 May - 28 June, 2006, Daegu. — Daegu, 2007. — P. 1309-1312. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Growth of embedded Ge nanocrystals on different substrates / Yan W., Li Z., Sun Z., Pan Z., Wei S., Kolobov A. V. ; W. Yan, Z. Li, Z. Sun, Z. Pan, S. Wei, A. V. Kolobov // Journal of Applied Physics [Text]. — 2007. — Volume 101, Issue 10. - P. 104318. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Sub-Nanosecond Time-Resolved Structural Measurements of the Phase-Change Alloy Ge2Sb2Te5 / Fons P., Kolobov A. V., Fukaya T., Tominaga J., Suzuki M., Uruga T., Kawamura N., Takagaki M., Ohsawa H., Tanida H. ; P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, J. Tominaga, M. Suzuki, T. Uruga, N. Kawamura, M. Takagaki, H. Ohsawa, H. Tanida // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2007. — Volume 46, Issue 6. - P. 3711-3714. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Pressure-induced amorphization of quasibinary GeTe-Sb2Te3 : The role of vacancies / Kolobov A. V., Haines J., Pradel A., Ribes M., Fons P., Tominaga J., Steimer C., Aquilanti G., Pascarelli S. ; A. V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, C. Steimer, G. Aquilanti, S. Pascarelli // Applied Physics Letters [Text]. — 2007. — Volume 91, Issue 2. - P. 021911. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Existence of tetrahedral site symmetry about Ge atoms in a single-crystal film of Ge2Sb2Te5 found by x-ray fluorescence holography / Hosokawa S., Ozaki T., Hayashi K., Happo N., Fujiwara M., Horii K., Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J. ; S. Hosokawa, T. Ozaki, K. Hayashi, N. Happo, M. Fujiwara, K. Horii, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga // Applied Physics Letters [Text]. — 2007. — Volume 90, Issue 13. - P. 131913. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| A possible mechanism of ultrafast amorphization in phase-change memory alloys : an ion slingshot from the crystalline to amorphous position / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Mishchenko A. S., Yakubenya S. M. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A. S. Mishchenko, S. M. Yakubenya // Journal of Physics: Condensed Matter [Text]. — 2007. — Volume 19, Issue 45. - P. 455209. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Phase-change optical recording : Past, present, future / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // Thin Solid Films [Text]. — 2007. — Volume 515, Issue 19. - P. 7534-7537. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phase-change materials / Andrikopoulos K. S., Yannopoulos S. N., Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. ; K. S. Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga // Journal of Physics and Chemistry of Solids [Text]. — 2007. — Volume 68, Issue 5-6. - P. 1074-1078. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure around lead, barium and strontium in waste cathode-ray tube glasses / Mear F. O., Yot P. G., Kolobov A. V., Ribes M., Guimon M. F., Gonbeau D. ; F. O. Mear, P. G. Yot, A. V. Kolobov, M. Ribes, M. F. Guimon, D. Gonbeau . — ISBN ISSN 0022-3093 // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 2007. — Volume 353, Issue 52-54. - P. 4640-4646. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Phase Change Optical Recording / Kolobov A. V., Tominaga J. // Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials [Text]. — Gewerbestrasse, 2006. — P. 1139-1146. Объем в п.л.: 1,0 п.л. | |
| Understanding structural changes in phase change memory alloys / Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Brewe D., Stern E. ; P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, D. Brewe, E. Stern // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 19-21, 2006, San Francisco. — San Francisco, 2006. — P. 147-156. Объем в п.л.: 1,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. What Makes Phase-Change Chalcogenide Alloys Materials of Choice for Optical Data Storage / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J. // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 19-21, 2006, San Francisco. — San Francisco, 2006. — P. 181-187. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Localized Light Focusing and Super Resolution Readout via Chalcogenide Thin Film / Tominaga J., Fons P., Shima T., Kurihara K., Nakano T., Kolobov A. V., Petit S. ; J. Tominaga, P. Fons, T. Shima, K. Kurihara, T. Nakano, A. Kolobov, S. Petit // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 19-21, 2006, San Francisco. — San Francisco, 2006. — P. 41-51. Объем в п.л.: 1,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Localized Light Focusing and Super Resolution Readout via Chalcogenide Thin Film / Tominaga J., Fons P., Shima T., Kurihara K., Nakano T., Kolobov A. V., Petit S. ; J. Tominaga, P. Fons, T. Shima, K. Kurihara, T. Nakano, A. Kolobov, S. Petit // MRS Spring Meeting [Текст] : Materials Research Society symposia proceedings, April 17-21, 2006, San Francisco. — San Francisco, 2006. — P. 79-89. Объем в п.л.: 1,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Why DVDs work the way they do : The nanometer-scale mechanism of phase change in Ge–Sb–Te alloys / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 2006. — Volume 352, Issue 9-20. - P. 1612-1615. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Nanometer-scale mechanism of phase-change optical recording as revealed by XAFS / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Frenkel A. I., Ankudinov A. L., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, T. Uruga // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms [Text]. — 2006. — Volume 246, Issue 1. - P. 69-74. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Soft X-ray XANES of N in ZnO:N – Why is doping so difficult? / Fons P., Tampo H., Niki S., Kolobov A. V., Ohkubo M., Tominaga J., Friedrich S., Carboni R., Boscherini F. ; P. Fons, H. Tampo, S. Niki, A.V. Kolobov, M. Ohkubo, J. Tominaga, S. Friedrich, R. Carboni, F. Boscherini // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms [Text]. — 2006. — Volume 246, Issue 1. - P. 75-78. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Raman scattering study of the a-GeTe structure and possible mechanism for the amorphous to crystal transition / Andrikopoulos K. S., Yannopoulos S. N., Voyiatzis G. A., Kolobov A. V., Tominaga J., Ribes M. ; K. S. Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, G. A. Voyiatzis, A. V. Kolobov, J. Tominaga, M. Ribes // Journal of Physics: Condensed Matter [Text]. — 2006. — Volume 18, Issue 3. - P. 965-979. Объем в п.л.: 1,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Phase-change optical recording : The role of confinement / Kolobov A. V., Haines J., Fons P., Tominaga J., Pradel A., Ribes M. ; A. V. Kolobov, J. Haines, P. Fons, J. Tominaga, A. Pradel, M. Ribes // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials [Text]. — 2006. — Volume 8, Issue 6. - P. 2161-2163. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Direct observation of nitrogen location in molecular beam epitaxy grown nitrogen-doped ZnO / Fons P., Tampo H., Kolobov A. V., Ohkubo M., Niki S., Tominaga J., Carboni R., Boscherini F., Friedrich S. ; P. Fons, H. Tampo, A. V. Kolobov, M. Ohkubo, S. Niki, J. Tominaga, R. Carboni, F. Boscherini, S. Friedrich // Physical Review Letters [Text]. — 2006. — Volume 96, Issue 4. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Pressure-induced site-selective disordering of Ge2Sb2Te5 : a new insight into phase-change optical recording. / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Haines J., Pradel A., Ribes M., Katayama Y., Hammouda T., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, Y. Katayama, T. Hammouda, T. Uruga // Physical Review Letters [Text]. — 2006. — Volume 97, Issue 3. - P. 035701. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Short-range order structures of self-assembled Ge quantum dots probed by multiple-scattering extended x-ray absorption fine structure / Sun Z., Wei S., Kolobov A. V., Oyanagi H., Brunner K. ; Z. Sun, S. Wei, A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2005. — Volume 71, Issue 24. - P. 1-8. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Why Phase-Change Media Are Fast and Stable : A New Approach to an Old Problem / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Frenkel A. I., Ankuoinov A. L., Yannopoulos S. N., Andrikopoulos K. S., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A. I. Frenkel, A. L. Ankuoinov, S. N. Yannopoulos, K. S. Andrikopoulos, T. Uruga // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2005. — Volume 44, Issue 5. - P. 3345-3349. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Thermal decomposition of sputtered thin PtOx layers used in super-resolution optical disks / Kolobov A. V., Wilhelm F., Rogalev A., Shima T., Tominaga J. ; A. V. Kolobov, F. Wilhelm, A. Rogalev, T. Shima, J. Tominaga // Applied Physics Letters [Text]. — 2005. — Volume 86, Issue 12. - P. 1-3. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| High-pressure induced structural changes in metastable Ge2Sb2Te5 thin films : An X-ray absorption study / Fons P., Kolobov A. V., Tominaga J., Katayama Y. ; P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, Y. Katayama // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms [Text]. — 2005. — Volume 238, Issue 1-4. - P. 160-162. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Laser-induced Ge Atom Switching as aKey to Understanding Phase-change Optical Media / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Frenkel A. I., Ankudinov A. L., Uruga T. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, T. Uruga // CLEO - Technical Digest [Текст] : Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, July 11-15, 2005, Tokyo. — Tokyo, 2005. — P. 102-103. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Raman scattering investigation of a Ge/SIO2/Si nanocrystal system under hydrostatic pressure / Liu L., Shen Z. X., Teo K. L., Sun J. S., Ong E. H., Kolobov A. V., Maeda Y. ; L. Liu, Z. X. Shen, K. L. Teo, J. S. Sun, E. H. Ong, A. V. Kolobov, Y. Maeda // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2004. — Volume 69, Issue 12. - P. 1253331-1253337. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Raman scattering studies in two kinds of Ge nanosystems under hydrostatic pressure / Teo K. L., Shen Z. X., Liu L., Kolobov A. V., Maeda Y. ; K. L. Teo, Z. X. Shen, L. Liu, A. V. Kolobov, Y. Maeda // Physica Status Solidi (B) : Basic Solid State Physics [Text]. — 2004. — Volume 241, Issue 14. - P. 3269-3273. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media / Kolobov A. V. , Shima T., Tominaga J., Frenkel A. I., Ankudinov A. L. , Uruga T. ; A. V. Kolobov, T. Shima, J. Tominaga, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, T. Uruga // Nature Materials [Text]. — 2004. — Volume 3, Issue 10. - P. 703-708. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Thermal decomposition of a thin AgOx layer generating optical near-field / Kolobov A. V. , Shima T., Tominaga J., Rogalev A., Wilhelm F., Jaouen N. ; A. V. Kolobov, T. Shima, J. Tominaga, A. Rogalev, F. Wilhelm, N. Jaouen // Applied Physics Letters [Text]. — 2004. — Volume 84, Issue 10. - P. 1641-1643. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Распределение по размерам нанокластеров кобальта в матрице аморфного углерода / Иванов-Омский В. И., Колобов А. В., Лодыгин А. Б., Ястребов С. Г. ; В. И. Иванов-Омский, А. В. Колобов, А. Б. Лодыгин, С. Г. Ястребов // Физика и техника полупроводников [Текст]. — 2004. — N 38 (12). - С. 1463-1465. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Ferroelectric catastrophe : beyond nanometre-scale optical resolution / Tominaga J., Shima T., Kuwahara M., Fukaya T., Kolobov A. V., Nakano T. ; J. Tominaga, T. Shima, M. Kuwahara, T. Fukaya, A. V. Kolobov, T. Nakano . — ISBN ISSN 0957-4484 ; eISSN 1361-6528 // Nanotechnology [Text]. — 2004. — Volume 15, Issue 5. - P. 411-415. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Crystallization-induced short-range order changes in amorphous GeTe / Kolobov A. V., Fons P., Tominaga J., Ankudinov A. L., Yannopoulos S. N., Andrikopoulos K. S. ; A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A. L. Ankudinov, S. N. Yannopoulos, K. S. Andrikopoulos // Journal of Physics: Condensed Matter [Text]. — 2004. — Volume 16, Issue 44. - P. S5103-S5108. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Ge nanostructures : Average and local structure / Kolobov A. V. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics [Text]. — 2004. — Volume 15, Issue 4. - P. 195-203. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Visible photoluminescence of Ge enriched SIOx layers / Torchynska T. V., Hernandez A.V., Kolobov A. V., Goldstein Y., Savir E., Jedrzejewski J. J. ; T. V. Torchynska, A.V. Hernandez, A. V. Kolobov, Y. Goldstein, E. Savir, J. J. Jedrzejewski // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena [Text]. — 2004. — Volume 137-140. - P. 619-622. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoinduced Metastability in Amorphous Semiconductors / edited A. V. Kolobov ; foreword K. Tanaka. — Weinheim : Wiley-VCH, 2003. — 436 с. — ISBN 978-3527403707. Объем в п.л.: 27,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Photoinduced diffusion of Zn in chalcogenide glassy films / Lyubin V., Klebanov M., Arsh A. , Froumin N., Kolobov A. V. ; V. Lyubin, M. Klebanov, A. Arsh, N. Froumin, A. V. Kolobov // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 2003. — Volume 326-327. - P. 189-192. Объем в п.л.: 1,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Raman scattering of germanium nanocrystals embedded in glass matrix under hydrostatic pressure / Liu L., Shen Z., Teo K., Kolobov A. V., Maeda Y. ; L. Liu, Z. Shen, K. Teo, A. V. Kolobov, Y. Maeda // Journal of Applied Physics [Text]. — 2003. — Volume 93, Issue 11. - P. 9392-9394. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Mechanism of photoluminescence of silicon oxide films enriched by Si or Ge / Torchynska T., Aguilar-Hernandez J., Schacht Hernandez L., Polupan G., Goldstein Y., Many A., Jedrzejewski J., Kolobov A. V. ; T. Torchynska, J. Aguilar-Hernandez, L. Schacht Hernandez, G. Polupan, Y. Goldstein, A. Many, J. Jedrzejewski, A. V. Kolobov // Microelectronic Engineering [Text]. — 2003. — Volume 66, Issue 1-4. - P. 83-90. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Photoluminescence of silicon oxide films enriched by Si or Ge / Torchynska T. V., Aguilar-Hernandez J., Hernandez L. S., Goldstein Y., Many A., Jedrzejewski J., Kolobov A. V. ; T. V. Torchynska, J. Aguilar-Hernandez, L. S. Hernandez, Y. Goldstein, A. Many, J. Jedrzejewski, A. V. Kolobov // Journal of Luminescence [Text]. — 2003. — Volume 102-103. - P. 557-561. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoluminescence of Ge nano-crystallites embedded in silicon oxide / Torchynska T. V., Polupan G., Palacios Gomez J., Kolobov A. V. ; T. V. Torchynska, G. Polupan, J. Palacios Gomez, A. V. Kolobov // Microelectronics Journal [Text]. — 2003. — Volume 34, Issue 5-8. - P. 541-543. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of Ge/Si nanostructures : Uniqueness of XAFS spectroscopy / Kolobov A. V., Yamasaki S., Oyanagi H., Frenkel A., Robinson I., Cross J., Wei S., Brunner K., Abstreiter G., Maeda Y., Shklyaev A., Ichikawa M., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, S. Yamasaki, H. Oyanagi, A. Frenkel, I. Robinson, J. Cross, S. Wei, K. Brunner, G. Abstreiter, Y. Maeda, A. Shklyaev, M. Ichikawa, K. Tanaka // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms [Text]. — 2003. — Volume 199. - P. 174-178. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Chalcogenide glasses as prospective materials for optical memories and optical data storage / Kolobov A. V., Tominaga J. // Journal of Materials Science : Materials in Electronics [Text]. — 2003. — Volume 14, Issue 10-12. - P. 677-680. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of crystallized GeTe films / Kolobov A. V., Tominaga J., Fons P., Uruga T. ; A. V. Kolobov, J. Tominaga, P. Fons, T. Uruga // Applied Physics Letters [Text]. — 2003. — Volume 82, Issue 3. - P. 382-384. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local Structure of AgOx Thin Layers Generating Optical Near Field : an X-Ray Absorption Fine Structure Study / Kolobov A. V., Buechel D., Shima T., Kuwahara M., Tominaga J., Fons P., Uruga T. ; A. V. Kolobov, D. Buechel, T. Shima, M. Kuwahara, J. Tominaga, P. Fons, T. Uruga // Japanese Journal of Applied Physics [Text]. — 2003. — Volume 42, Issue 2. - P. 1022-1025. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO2 matrix : Transmission electron microscopy, x-ray absorption, and optical studies / Kolobov A. V., Wei S. Q., Yan W. S., Oyanagi H., Maeda Y., Tanakas K. ; A. V. Kolobov, S. Q. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda, K. Tanakas // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 2003. — Volume 67, Issue 19. - P. 1953141-1953148. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Direct separation of short range order in intermixed nanocrystalline and amorphous phases / Frenkel A. I., Kolobov A. V., Robinson I., Cross J., Maeda Y., Bouldin C. ; A. I. Frenkel, A. V. Kolobov, I. Robinson, J. Cross, Y. Maeda, C. Bouldin // Physical Review Letters [Text]. — 2002. — Volume 89, Issue 28. - P. 285503. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of Co nanocrystals embedded in hydrogenated amorphous carbon : An x-ray absorption study / Kolobov A. V., Tominaga J., Zvonareva T., Ivanov Omskii V. I., Oyanagi H. ; A. V. Kolobov, J. Tominaga, T. Zvonareva, V. I. Ivanov Omskii, H. Oyanagi // Journal of Applied Physics [Text]. — 2002. — Volume 92, Issue 10. - P. 6195-6199. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| A Raman scattering study of self-assembled pure isotope Ge/Si (100) quantum dots / Kolobov A. V., Morita K., Itoh K., Haller E. ; A. V. Kolobov, K. Morita, K. Itoh, E. Haller // Applied Physics Letters [Text]. — 2002. — Volume 81, Issue 20. - P. 3855-3857. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Chalcogenide glasses in optical recording : recent progress / Kolobov A. V., Tominaga J. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials [Text]. — 2002. — Volume 4, Issue 3. - P. 679-686. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Local structure of Ge quantum dots self-assembled on Si (100) probed by x-ray absorption fine-structure spectroscopy / Kolobov A. V., Oyanagi H., Wei S., Brunner K., Abstreiter G., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, S. Wei, K. Brunner, G. Abstreiter, K. Tanaka // Physical Review B [Text]. — 2002. — Volume 66, Issue 7. - P. 1099. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Oyanagi H. Local structure of photo-induced phases probed by x-ray absorption spectroscopy : Photo-induced anisotropy in chalcogenide glasses / Oyanagi H., Kolobov A. V., Tanaka K. // International Journal of Modern Physics B [Text]. — 2002. — Volume 16, Issue 11-12. - P. 1721-1730. Объем в п.л.: 1,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Effect of the interface on the local structure of Ge-Si nanostructures / Kolobov A. V., Oyanagi H., Brunner K., Abstreiter G., Maeda Y., Shklyaev A., Yamasaki S., Ichikawa M., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner, G. Abstreiter, Y. Maeda, A. Shklyaev, S. Yamasaki, M. Ichikawa, K. Tanaka // Journal of Vacuum Science and Technology [Text]. — 2002. — Volume 20, Issue 3. - P. 1116-1119. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Raman scattering and x-ray absorption studies of Ge-Si nanocrystallization / Kolobov A. V., Oyanagi H., Usami N., Tokumitsu S., Hattori T., Yamasaki S., Tanaka K., Ohtake S., Shiraki Y. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, N. Usami, S. Tokumitsu, T. Hattori, S. Yamasaki, K. Tanaka, S. Ohtake, Y. Shiraki // Applied Physics Letters [Text]. — 2002. — Volume 80, Issue 3. - P. 488-490. Объем в п.л.: 1,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. In situ x-ray absorption fine structure detection of reversible photoinduced anisotropy in amorphous selenium / Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. // Physical Review Letters [Text]. — 2001. — Volume 87, Issue 14. - P. 145502. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Comment on ”Self-assembled Ge nanostructures on polymer-coated silicon : Growth and characterization” / Kolobov A. V., Tanaka K. // Applied Physics Letters [Text]. — 2001. — Volume 78, Issue 22. - P. 3550-3551. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Local structure of Ge nanoislands on Si (111) surfaces with a SiO2 coverage / Kolobov A. V., Shklyaev A. A., Oyanagi H., Fons P., Yamasaki S., Ichikawa M. ; A. V. Kolobov, A. A. Shklyaev, H. Oyanagi, P. Fons, S. Yamasaki, M. Ichikawa // Applied Physics Letters [Text]. — 2001. — Volume 78, Issue 17. - P. 2563-2565. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Local structure of Ge nanocrystals embedded in SiO2 studied by x-ray absorption fine structure / Kolobov A. V., Oyanagi H., Maeda Y., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, Y. Maeda, K. Tanaka // Journal of Synchrotron Radiation [Text]. — 2001. — Volume 8, Issue 2. - P. 511-513. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Local structure of uncapped and Si-capped Ge/Si (100) self-assembled quantum dots / Kolobov A. V., Oyanagi H., Brunner K., Schittenhelm P., Abstreiter G., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner, P. Schittenhelm, G. Abstreiter, K. Tanaka // Applied Physics Letters [Text]. — 2001. — Volume 78, Issue 4. - P. 451-453. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Oyanagi H. Photo-induced nonthermal melting of amorphous chalco- genides observed by pump and probe x-ray absorption spectroscopy / Oyanagi H., Kolobov A. V., Tanaka K. // Phase Transitions [Text]. — 2001. — Volume 74, Issue 1-2. - P. 235-254. Объем в п.л.: 2,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Raman spectra of Ge nanocrystals embedded into SiO2 / Kolobov A. V., Maeda Y., Tanaka K. // Journal of Applied Physics [Text]. — 2000. — Volume 88, Issue 6. - P. 3285-3289. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Granulated metal nanostructure deposited by laser ablation accompanied by cascade drop fission / Kozhevin V. M., Yavsin D. A., Kouznetsov V. M., Busov V. M., Mikushkin V. M., Nikonov S. Y., Gurevich S. A. , Kolobov A. V. ; V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, V. M. Kouznetsov, V. M. Busov, V. M. Mikushkin, S. Y. Nikonov, S. A. Gurevich, A. V. Kolobov // Journal of Vacuum Science & Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures [Text]. — 2000. — Volume 18, Issue 3. - P. 1402-1405. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates : Power and limitations / Kolobov A. V. // Journal of Applied Physics [Text]. — 2000. — Volume 87, Issue 6. - P. 2926-2930. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. Photo-induced metastability in amorphous chalcogenides / Kolobov A. V., Tanaka K. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials [Text]. — 1999. — Volume 1, Issue 4. - P. 3-20. Объем в п.л.: 2,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Comment on ”Raman scattering from a self-organized Ge dot superlattice” / Kolobov A. V., Tanaka K. // Applied Physics Letters [Text]. — 1999. — Volume 75, Issue 22. - P. 3572-3573. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Photo-induced bond switching in amorphous chalcogenides / Kolobov A. V., Oyanagi H., Kondo M., Matsuda A., Roy A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, M. Kondo, A. Matsuda, A. Roy, K. Tanaka // Journal of Luminescence [Text]. — 1999. — Volume 83-84. - P. 205-208. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoinduced changes of ac transport in a-As2Se3 films: Role of defects and band tails / Ganjoo A., Shimakawa K., Yoshida N., Ohno T., Kolobov A. V., Ikeda Y. ; A. Ganjoo, K. Shimakawa, N. Yoshida, T. Ohno, A. V. Kolobov, Y. Ikeda // Physical Review B [Text]. — 1999. — Volume 59, Issue 23. - P. 14856. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Reversible and athermal photo- vitrification of As50Se50 thin films deposited onto silicon wafer and glass substrates / Prieto-Alcon R., Marquez E., Gonzalez-Leal J. M., Kolobov A. V. ; R. Prieto-Alcon, E. Marquez, J. M. Gonzalez-Leal, A. V. Kolobov // Applied Physics A : Materials Science and Processing [Text]. — 1999. — Volume 68, Issue 6. - P. 653-661. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Structure of single selenium chains confined in nanochannels of zeolites : a polarized x-ray absorption study / Kolobov A. V., Oyanagi H., Poborchii V. V., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, V. V. Poborchii, K. Tanaka // Journal of Synchrotron Radiation [Text]. — 1999. — Volume 6, Issue 3. - P. 362-363. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Dimerization of single selenium chains confined in nanochannels of cancrinite : An x-ray absorption study / Kolobov A. V., Oyanagi H., Poborchii V. V., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, V. V. Poborchii, K. Tanaka // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 1999. — Volume 59, Issue 14. - P. 9035-9043. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Dynamics of single selenium chains confined in one-dimensional nanochannels of AlPO4-5 : Temperature dependencies of the first-and second-order raman spectra / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Caro J., Zhuravlev V. V., Tanaka K. ; V. V. Poborchii, A. V. Kolobov, J. Caro, V. V. Zhuravlev, K. Tanaka // Physical Review Letters [Text]. — 1999. — Volume 82, Issue 9. - P. 1955-1958. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Poborchii V. V. Photomelting of selenium at low temperature / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Tanaka K. // Applied Physics Letters [Text]. — 1999. — Volume 74, Issue 2. - P. 215-217. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. In situ EXAFS study of the photoexcited state and defects in chalcogenide glasses / Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. // MRS Bulletin [Text]. — 1999. — Volume 24, Issue 1. - P. 32-35. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium : An in situ optically induced ESR study / Kolobov A. V., Kondo M., Oyanagi H., Matsuda A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, M. Kondo, H. Oyanagi, A. Matsuda, K. Tanaka // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics [Text]. — 1998. — Volume 58, Issue 18. - P. 12004-12010. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Nanoscale mechanism of photoinduced metastability and reversible photodarkening in chalcogenide vitreous semiconductors / Kolobov A. V., Tanaka K. // Semiconductors [Text]. — 1998. — Volume 32, Issue 8. - P. 801-806. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| A nanometer scale mechanism for the reversible photostructural change in amorphous chalcogenides / Kolobov A. V., Oyanagi H., Roy A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, A. Roy, K. Tanaka // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1998. — Volume 232-234. - P. 80-85. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photo-induced ring-to-chain conversion in as- evaporated films of amorphous selenium / Roy A., Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. ; A. Roy, A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Tanaka // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1998. — Volume 78, Issue 1. - P. 87-94. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Roy A. Laser-induced suppression of photocrystallization rate in amor- phous selenium films / Roy A., Kolobov A. V., Tanaka K. // Journal of Applied Physics [Text]. — 1998. — Volume 83, Issue 9. - P. 4951-4956. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| H. Oyanagi. Pump and probe x-ray absorption fine structure using high- brilliance photon sources / H. Oyanagi, Kolobov A. V., Tanaka K. // Journal of Synchrotron Radiation [Text]. — 1998. — Volume 5, Issue 3. - P. 1001-1003. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Raman and x-ray absorption study of selenium incorporated into the channels of mordenite : Dependence on the ion exchange and the method of incorporation / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Oyanagi H., Romanov S., K. Tanaka ; V. V. Poborchii, A. V. Kolobov, H. Oyanagi, S. Romanov, K. Tanaka // Nanostructured Materials [Text]. — 1998. — Volume 10, Issue 3. - P. 427-436. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Poborchii V. V. An in situ Raman study of polarization-dependent photocrystallization in amorphous selenium films / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Tanaka K. // Applied Physics Letters [Text]. — 1998. — Volume 72, Issue 10. - P. 1167-1169. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoinduced reflectance anisotropy in chalcogenide glassy semiconductors / Lyubin V., Kolobov A. V., Yasuda T., Klebanov M., Boehm L., Tanaka K. ; V. Lyubin, A. V. Kolobov, T. Yasuda, M. Klebanov, L. Boehm, K. Tanaka // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1998. — Volume 227-230, Issue 2. - P. 677-681. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Role of lone-pair electrons in reversible photostruc- tural changes in amorphous chalcogenides / Kolobov A. V., Oyanagi H., Roy A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, A. Roy, K. Tanaka // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1998. — Volume 227-230, Issue 2. - P. 710-714. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Negative correlation energy in amorphous selenium : experimental evidence / Kolobov A. V., Kondo M., Matsuda A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, M. Kondo, A. Matsuda, K. Tanaka // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1998. — Volume 227-230, Issue 2. - P. 842-846. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Structure of selenium incorporated into nanochannels of mordenite : dependence on ion exchange and method of incorporation / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Tanaka K., Oyanagi H., Romanov S. G. ; V. V. Poborchii, A. V. Kolobov, H. Oyanagi, S. G. Romanov, K. Tanaka // Chemical Physics Letters [Text]. — 1997. — Volume 280, Issue 1-2. - P. 10-16. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Polarized Raman spectra of selenium species confined in nanochannels of AlPO4-5 single crystals / Poborchii V. V., Kolobov A. V., Caro J., Zhuravlev V. V., Tanaka K. // Chemical Physics Letters [Text]. — 1997. — Volume 280, Issue 1-2. - P. 17-23. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| An x-ray absorption study of selenium confined in channels of cancrinite : Evidence for dimerisation in highly oriented chains / Kolobov A. V., Oyanagi H., Poborchii V. V., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, V. V. Poborchii, K. Tanaka // Solid State Communications [Text]. — 1997. — Volume 103, Issue 12. - P. 669-673. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Experimental evidence for negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium / Kolobov A. V., Kondo M., Oyanagi H., Durny R., Matsuda A., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, M. Kondo, H. Oyanagi, R. Durny, A. Matsuda, K. Tanaka // Physical Review B : Condensed Matter [Text]. — 1997. — Volume 56, Issue 2. - P. 485-488. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Dynamical bonds in the photoexcited state of amorphous selenium observed by in-situ EXAFS / Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. // The European Physical Journal Special Topics [Text]. — 1997. — Volume 7, Issue 2-1. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoinduced anisotropy in vitreous As2S3 : A reflectance-difference study / Kolobov A. V., Lyubin V., Yasuda T., Klebanov M., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, V. Lyubin, T. Yasuda, M. Klebanov, K. Tanaka // Physical Review B : Condensed Matter [Text]. — 1997. — Volume 55, Issue 14. - P. 8788-8792. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photostructural transformations induced by IR radiation in As-Se-Te glassy films / Lyubin V., Tada T., Klebanov M., Smirnova N., Kolobov A. V., Tanaka K. ; V. Lyubin, T. Tada, M. Klebanov, N. Smirnova, A. V. Kolobov, K. Tanaka // Materials Letters [Text]. — 1997. — Volume 30, Issue 1. - P. 79-82. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Photoinduced anisotropic conversion of bonding and lone-pair electrons in As2S3 glass / Kolobov A. V., Lyubin V., Yasuda T., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, V. Lyubin, T. Yasuda, K. Tanaka // Physical Review B : Condensed Matter [Text]. — 1997. — Volume 55, Issue 1. - P. 23-25. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Structural study of amorphous selenium by in situ EXAFS : Observation of photoinduced bond alternation / Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. // Physical Review B : Condensed Matter [Text]. — 1997. — Volume 55, Issue 2. - P. 726-734 . Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. An EXAFS study of reversible photostructural changes in As2Se3 glass / Kolobov A. V., Tanaka K., Oyanagi H. // Physics of the Solid State [Text]. — 1997. — Volume 39, Issue 1. - P. 64-67. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Structure of inorganic nanoclusters embedded in solid matrixes: an x-ray absorption study / Kolobov A. V., Oyanagi H., Gurevich S. A., Zaraiskaya T. A., Horenko V. V., Poborchii V., Tanaka K. ; A. V. Kolobov, H. Oyanagi, S. A. Gurevich, T. A. Zaraiskaya, V. V. Horenko, V. Poborchii, K. Tanaka // Zeitschrift fur Physik D Atoms, Molecules and Clusters [Text]. — 1997. — Volume 40, Issue 1-4. - P. 520-522. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Photostructural changes in amorphous selenium : an in situ EXAFS study at low temperature / Kolobov A. V., Tanaka K., Oyanagi H. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1996. — Volume 198-200, Part 2. - P. 709-713. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. On the origin of p-type conductivity in amorphous chalcogenides / Kolobov A. V. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1996. — Volume 198-200, Part 2. - P. 728-731. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. An in situ EXAFS study of amorphous selenium : The formation of dynamical bonds under light excitation / Kolobov A. V., Oyanagi H., Tanaka K. // Journal of Luminescence [Text]. — 1995. — Volume 66-67, Issue 1-6. - P. 174-178. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Reversible photo-amorphization of crystalline films of As50Se50 / Kolobov A. V., Elliott S. R. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1995. — Volume 189, Issue 3. - P. 297-300. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Reversible photo-amorphization of a crystallized As50Se50 alloy / Kolobov A. V., Elliott S. R. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1995. — Volume 71, Issue 1. - P. 1-10. Объем в п.л.: 1,125 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. On the mechanism of photostructural changes in As-based vitreous chalcogenides microscopic, dynamic and electronic aspects / Kolobov A. V., Adriaenssens G. J. // Philosophical Magazine [Text]. — 1994. — Volume 69, Issue 1. - P. 21-30. Объем в п.л.: 1,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Electron spectroscopic study of the growth, composition and stability of GeSx films prepared in ultra-high vacuum / Horton J. H., Moggridge G. D., Ormerod R. M., Kolobov A. V., Lambert R. M. ; J. H. Horton, G. D. Moggridge, R. M. Ormerod, A. V. Kolobov, R. M. Lambert // Thin Solid Films [Text]. — 1994. — Volume 237, Issue 1-2. - P. 134-140. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Photo-induced atomic processes in vitreous chalcogenides / Kolobov A. V. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1993. — Volume 164-166, Part 2. - P. 1159-1164. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Backward-wave phonon echoes from tunneling systems in chalcogenide glasses / Bolle N., Michiels L., Kolobov A. V., Adriaenssens G. J. ; N. Bolle, L. Michiels, A. V. Kolobov, G. J. Adriaenssens // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1993. — Volume 164-166, Part 2. - P. 1227-1230. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Athermal photoamorphization of As50Se50 films / Kolobov A. V., Bershtein V. A., Elliott S. R. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1992. — Volume 150, Issue 1-3. - P. 116-119. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Bershtein V. A. A differential scanning calorimetric study of structural changes in thin As-Se films / Bershtein V. A., Egorova L. M., Kolobov A. V. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 1992. — Volume 18, Issue 5. - P. 367-371. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Anisotropy arising from photodoping of vitreous As2S3 by silver / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Tikhomirov V. K. // Glass Physics and Chemistry [Text]. — 1992. — Volume 18, Issue 5. - P. 372-373. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Применение маски As2S3-органический фоторесист для реактивного травления полупроводников АIIIВV / Гуревич С. А., Колобов А. В., Любин В. М., Нестеров С. И., Кулагина М. М., Тимофеев Ф. Н., Трошков С. И. ; С. А. Гуревич, А. В. Колобов, В. М. Любин, С. И. Нестеров, М. М. Кулагина, Ф. Н. Тимофеев, С. И. Трошков // Письма в Журнал технической физики [Текст]. — 1992. — N 18 (17). - С. 85-90. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Polarized photodoping of As2S3 films by silver / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Tikhomirov V. K. // Philosophical Magazine Letters [Text]. — 1992. — Volume 65, Issue 1. - P. 67-69. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Lateral diffusion of silver in vitreous chalcogenide films / Kolobov A. V. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1991. — Volume 137, Part 2. - P. 1027-1030. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Kolobov A. V. Effect of conductive substrate on dissolution and lateral diffusion of metals in vitreous chalcogenides / Kolobov A. V., Bedelbaeva G. E. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1991. — Volume 64, Issue 1. - P. 21-32. Объем в п.л.: 1,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Elliott S. R. Athermal light induced vitrification of As50Se50 films / Elliott S. R., Kolobov A. V. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1991. — Volume 128, Issue 2. - P. 216-220. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
РИНЦ
|
| Исследование фотоструктурных превращений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников методом фотоэлектронной спектроскопии / Колобов А. В., Костиков Ю. П., Лантратова С. С., Любин В. М., Коломиец Б. Т. ; А. В. Колобов, Ю. П. Костиков, С. С. Лантратова, В. М. Любин, Б. Т. Коломиец // Физика твердого тела [Текст]. — 1991. — N 33 (3). - P. 781-785. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Поперечная диффузия серебра в стеклообразных пленках As-Se, стимулированная коронным разрядом / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Тагирджанов М. А. // Физика твердого тела [Текст]. — 1991. — N 33 (1). - P. 221-224. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Бедельбаева Г. Е. О механизме фотодиффузии цинка в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Бедельбаева Г. Е., Колобов А. В. // Физика твердого тела [Текст]. — 1990. — N 32 (7). - P. 2141-2143. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Structure of photodoped and thermally Zn-doped glassy arsenic sulfide films / Kolobov A. V., Elliott S. R., Steel A. T. // Physical Review B : Condensed Matter [Text]. — 1990. — Volume 41, Issue 14. - P. 9913-9920. Объем в п.л.: 1,0 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Elliott S. R. Photostructural changes in amorphous As50Se50 films : An EXAFS study / Elliott S. R., Kolobov A. V. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1990. — Volume 61, Issue 5. - P. 853-858. Объем в п.л.: 0,625 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. On the mechanism of photodoping in vitreous chalcogenides / Kolobov A. V., Elliott S. R., Taguirdzhanov M. A. // Philosophical Magazine [Text]. — 1990. — Volume 61, Issue 5. - P. 859-865. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Bedelbaeva G. E. Photoinduced selectivity of metal deposition on the surface of chalcogenide vitreous semiconductors / Bedelbaeva G. E., Kolobov A. V., Lyubin V. M. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1989. — Volume 60, Issue 5. - P. 689-694. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. On the mechanism of anomalous surface diffusion of silver in an amorphous chalcogenide/silver structure / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Taguirdzhanov M. A. // Physica Status Solidi (A) Applied Research [Text]. — 1989. — Volume 115, Issue 2. - P. K139-K141. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Электроностимулированное изменение скорости конденсации паров цинка на поверхности стеклообразного As2S3 / Бедельбаева Г. Е., Ивкин Е. Б., Колобов А. В., Коломиец Б. Т., Любин В. М. ; Г. Е. Бедельбаева, Е. Б. Ивкин, А. В. Колобов, Б. Т. Коломиец, В. М. Любин // Журнал технической физики [Текст]. — 1989. — N 59 (10). - P. 161. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Electrical and photoelectric properties of glassy arsenic sulphide films doped with zinc by a photothermal process / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Taguirdzhanov M. A. // Soviet Physics Semiconductors [Text]. — 1989. — Volume 23, Issue 4. - P. 376-397. Объем в п.л.: 2,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Колобов А. В. Блокирование светом фотостимулированной диффузии серебра в пленках As2S3 / Колобов А. В., Любин В. М., Трельч Й. // Письма в Журнал технической физики [Текст]. — 1988. — N 14 (12). - P. 1088-1090. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Photodoping of As-S films with group-II metals / Bedelbayeva G. E., Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M., Taguirdzhanov M. A. ; G. E. Bedelbaeva, A. V. Kolobov, B. T. Kolomiets,V. M. Lyubin // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1987. — Volume 97-98, Part 2. - P. 1243-1246. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Бедельбаева Г. Е. Фоторегистрирующие среды на основе структур ХСП-цинк / Бедельбаева Г. Е., Колобов А. В., Любин В. М. // Журнал научной и прикладной фотографии [Текст]. — 1987. — N 32 (3). - P. 208-210. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Lyubin V. M. Photoinduced processes in chalcogenide vitreous semiconductor-metal structures / Lyubin V. M., Kolobov A. V. // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1987. — Volume 90, Issue 1. - P. 489-495. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Колобов А. В. Фотоиндуцированное изменение скорости конденсации паров металлов II- группы на поверхности стеклообразных полупроводников / Колобов А. В., Любин В. М. // Физика твердого тела [Текст]. — 1986. — N 28 (11). - P. 3567-3569. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Колобов А. В. Фотостимулированное изменение скорости конденсации паров цинка на поверхности стеклообразного AS2S3 / Колобов А. В., Любин В. М. // Письма в Журнал технической физики [Текст]. — 1986. — N 12 (6). - P. 374-377. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Photodoping and thermal doping of chalcogenide vitreous semiconductors by zinc / Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M., Tagirdzhanov M. A. ; A. V. Kolobov, B. T. Kolomiets, V. M. Lyubin, M. A. Tagirdzhanov // Solid State Communications [Text]. — 1985. — Volume 54, Part 5. - P. 379-382. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Колобов А. В. Фотодиффузия цинка в стеклообразном AS2S3 / Колобов А. В., Любин Б. М. // Физика твердого тела [Текст]. — 1984. — N 26 (8). - P. 2522-2524. Объем в п.л.: 0,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Колобов А. В. Эффект лазерных импульсов на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников / Колобов А. В., Себастиан Н. // Журнал технической физики [Текст]. — 1984. — N 54 (1). - P. 186-187. Объем в п.л.: 0,25 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Optical absorption in semiconductors within the framework of the configurational coordinate model / Kolobov A. V., Konstantinov O. V. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1983. — Volume 47, Issue 1. - P. 1-9. — DOI: 10.1080/01418638308226779. | |
| Plasma-induced processes in chalcogenide vitreous semiconductors / Dashuk P. N., Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M. ; P. N. Dashuk, A. V. Kolobov, B. T. Kolomiets, V. M. Lyubin // Physica Status Solidi (A) Applied Research [Text]. — 1983. — Volume 80, Issue 2. - P. K187-K192. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Колобов А. В. Фотостимулированные процессы в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия / Колобов А. В., Коломиец Б. Т., Любин Б. М. // Физика твердого тела [Текст]. — 1982. — N 24 (4). - P. 1062-1067. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
| Kolobov A. V. Effect of pressure on photoinduced changes in chalcogenide vitreous semiconductors / Kolobov A. V., Lyubin V. M., Taguirdzhanov M. A. // Solid State Communications. — 1982. — Volume 41, Issue 6. - P. 453-455. — DOI: 10.1016/0038-1098(82)90523-3. Объем в п.л.: 0,375 п.л. | |
| A model of photostructural changes in chalcogenide vitreous semiconductors. 1. theoretical considerations / Averyanov V. L., Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M. ; V. L. Averyanov, A. V. Kolobov, B. T. Kolomiets,V. M. Lyubin // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1981. — Volume 45, Part 3. - P. 335-341. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| A model of photostructural changes in chalcogenide vitreous semiconductors. 2. experimental results / Averyanov V. L., Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M. ; V. L. Averyanov, A. V. Kolobov, B. T. Kolomiets,V. M. Lyubin // Journal of Non-Crystalline Solids [Text]. — 1981. — Volume 45, Part 3. - P. 343-353. Объем в п.л.: 1,375 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| B. T. Kolomiets. Configurational approach to photostructural trans- formations in chalcogenide vistreous semiconductors - further development / B. T. Kolomiets, Kolobov A. V., Lyubin V. M. // Revue Roumaine de Physique [Text]. — 1981. — Volume 26, Issue 8-9. - P. 839-844. Объем в п.л.: 0,75 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Thermal and optical bleaching in darkened films of chalcogenide vitreous semiconductors / Averyanov V. L., Kolobov A. V., Kolomiets B. T., Lyubin V. M. ; V. L. Averyanov, A. V. Kolobov, A. V. Kolomiets, V. M. Lyubin // Physica Status Solidi (A) Applied Research [Text]. — 1980. — Volume 57, Issue 1. - P. 81-88. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Kolobov A. V. The urbach rule in the configuration coordiante model of amorphous semiconductors / Kolobov A. V., Konstantinov O. V. // Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties [Text]. — 1979. — Volume 40, Issue 6. - P. 475-481. Объем в п.л.: 0,875 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
|
| Термооптические переходы при фотоструктурных превращениях в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Аверьянов В. Л., Колобов А. В., Коломиец Б. Т., Любин Б. М. // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики [Текст]. — 1979. — N 30 (9). - P. 584-587. Объем в п.л.: 0,5 п.л. |
Полный текст: нет
DOI: нет
RSCI
|
РИНЦ AuthorID / SPIN-код
26561 /2863-7792
Scopus AuthorID
Web of Science ResearcherID
ORCID
Google Scholar ID
Публикации в журналах ВАК и RSCI*
| 2025 | 2024 | 2023 | 2022 | 2021 | |
|---|---|---|---|---|---|
| ВАК (Всего) | 1 | 6 | 3 | 4 | 2 |
| ВАК К1 ** | 1 | 5 | 2 | – | – |
| ВАК К2 ** | 0 | 1 | 1 | – | – |
| ВАК К3 ** | 0 | 1 | 0 | – | – |
| RSCI *** | 0 | 0 | 1 | 2 | 2 |
* – метка ВАК и RSCI в данном разделе добавлена библиографами ФБ
РГПУ в результате сопоставления с Перечнями ВАК соответствующих лет и идентична разметке в
разделе "Публикации преподавателя", процесс разметки продолжается
*** – подробнее о RSCI
Показатели на 1 марта 2025 года
| Наименование показателя | Количество публикаций | Количество цитирований | Индекс Хирша |
|---|---|---|---|
| РИНЦ | 451 | 8924 | 43 |
| РИНЦ Ядро | 393 | 8494 | 41 |
| РИНЦ 5 лет **** | 85 | 283 | – |
| РИНЦ Ядро 5 лет **** | 63 | 255 | – |
| РИНЦ ВАК ***** | 57 | 465 | – |
| Scopus | 347 | 10484 | 49 |
| Web of Science | 334 | 8720 | 45 |
| Google Scholar | 545 | 15042 | 57 |
**** – расчет индекса Хирша для пятилетнего периода в РИНЦ не
производится
***** – метка ВАК в РИНЦ присваивается журналу целиком, вне
зависимости от фактического года включения издания в перечень ВАК. Индекс Хирша не применяется
Уважаемый преподаватель, если Вы не обнаружили свои публикации или данные о наукометрических
показателях, обратитесь, пожалуйста, в фундаментальную библиотеку по почте:
https://lib.herzen.spb.ru/p/contacts
или по адресу: наб. реки Мойки, д.48, корп.5, комн.9.
В разделах «Публикации преподавателя» и «Наукометрия»
потребуется длительное время для разметки
данных информацией об индексации в Scopus, Web of Science,
РИНЦ и ВАК. Надеемся на ваше понимание и
терпение.
Отметка о публикации в журнале из Белого списка научных изданий осуществляется
для статей в выпусках журналов, вышедших после 01.09.2024.